JPS6257223A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6257223A JPS6257223A JP19742085A JP19742085A JPS6257223A JP S6257223 A JPS6257223 A JP S6257223A JP 19742085 A JP19742085 A JP 19742085A JP 19742085 A JP19742085 A JP 19742085A JP S6257223 A JPS6257223 A JP S6257223A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の、パシベーション膜の′形成方
法に関する。
法に関する。
ポリイミド膜、シリケートガラスからなるパシベーショ
ン膜のエツチング形成方法に関する。
ン膜のエツチング形成方法に関する。
従来の、パシベーション膜としては、(1)シリコン酸
化膜を中心とした無機膜 (2)プラズマ放電により形
成されたシリコン窒化膜 (8) (1)及び(2)の
組み合せ (4)ポリイミド系樹脂膜などが、使われて
いる。この中で、(4)のポリイミド膜は、(1)〜(
8)に比べ、容易に、かつ安価な方法により形成できる
方法として注目されている技術であるが、ポリイミド自
体、吸湿性及び水分の保持特性が強いため、外部からの
、水分混入に対して(1)〜(8)に比べ、劣っている
。
化膜を中心とした無機膜 (2)プラズマ放電により形
成されたシリコン窒化膜 (8) (1)及び(2)の
組み合せ (4)ポリイミド系樹脂膜などが、使われて
いる。この中で、(4)のポリイミド膜は、(1)〜(
8)に比べ、容易に、かつ安価な方法により形成できる
方法として注目されている技術であるが、ポリイミド自
体、吸湿性及び水分の保持特性が強いため、外部からの
、水分混入に対して(1)〜(8)に比べ、劣っている
。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕そこで、耐
湿性に優れる、(1)(2)の無機膜を、ポリイミド膜
上に、形成することが考えられるが、次の2点より、現
状では不可能となっている。
湿性に優れる、(1)(2)の無機膜を、ポリイミド膜
上に、形成することが考えられるが、次の2点より、現
状では不可能となっている。
(1)ポリイミド膜が有機膜であるため、高温(400
3以上)で、分解するので、従来のOVD法では、無機
膜をポリイミド膜上に形成できない。(ト)ポリイミド
膜の分解温度以下で形成する。プラズマOVD法で、形
成した場合、ポリイミド膜が、無機膜の、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜に比べ、10〜11]0倍の、熱膨
張係数を持つため、上記無機膜を、ポリイミド膜上に形
成時に、無機膜が割れる。これを避けるためには、形成
温度を、200℃以下にする必要があり、この状態では
、膜質的に満足する無機膜を形成するのは困難である。
3以上)で、分解するので、従来のOVD法では、無機
膜をポリイミド膜上に形成できない。(ト)ポリイミド
膜の分解温度以下で形成する。プラズマOVD法で、形
成した場合、ポリイミド膜が、無機膜の、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜に比べ、10〜11]0倍の、熱膨
張係数を持つため、上記無機膜を、ポリイミド膜上に形
成時に、無機膜が割れる。これを避けるためには、形成
温度を、200℃以下にする必要があり、この状態では
、膜質的に満足する無機膜を形成するのは困難である。
そこで、ポリイミド膜上に、安定した無機ガラスを形成
する方法、及び、ポンディングパッドを形成する方法を
提供するものである。
する方法、及び、ポンディングパッドを形成する方法を
提供するものである。
第1図で、実施例をもって製造方法を説明する。能動部
が既に形成された半導体装置の、ワイヤボンディングパ
ッド101を、形成する。次に、主パッジベージ冒ン膜
として、ポリイミド樹脂膜を、スピンコード方法で、ス
ピンコード時膜厚2ないしは5ミクロン形成し、150
℃で30分ベーク後、300℃で50分穿索中でキュア
し、さらに、400℃窒素中で30分分キー上た。次に
、重量モル%で1%のリンを含む、液状シリケートガラ
ス103をスピンコード法で、スピンコード時膜厚10
00ないし、2000オングストロームの範囲に形成し
、100℃、60分及び250℃・1時間の熱処理を行
なった。次に、レジスト膜を塗布、露光、現像形成し、
ワイヤボンディングパッド101上に、開口部を形成し
たパターン104を得る。このレジストパターン104
をマスクに、上記シリケートガラス膜を、エツチングす
る。なお、このエツチングを、実施例では、バッフアー
ト弗酸溶液(弗酸対弗化アンモニウム1対10)を用い
た。このあと、一度150℃で30分ベークし、続けて
、アノード電極カップル型プラズマエツチング装置で、
酸素プラズマ中で、ポリイミド樹脂膜102をエツチン
グした。このとき、上記レジスト膜104と、ポリイミ
ド樹脂膜102の、酸素プラズマに対するエツチングレ
ートを、酸素ガス圧、プラズマエツチング装置の印加電
圧等で調整することにより、ポリイミド樹脂膜102の
パッド開口終了時に、レジスト膜104が除去されるよ
うコントレールすれば、レジスト膜を後工程で除去する
必要はなくなる。この状態で、ポリイミド樹脂と、シリ
ケートガラス膜からなる2層構造のパシベーション膜が
形成できる。
が既に形成された半導体装置の、ワイヤボンディングパ
ッド101を、形成する。次に、主パッジベージ冒ン膜
として、ポリイミド樹脂膜を、スピンコード方法で、ス
ピンコード時膜厚2ないしは5ミクロン形成し、150
℃で30分ベーク後、300℃で50分穿索中でキュア
し、さらに、400℃窒素中で30分分キー上た。次に
、重量モル%で1%のリンを含む、液状シリケートガラ
ス103をスピンコード法で、スピンコード時膜厚10
00ないし、2000オングストロームの範囲に形成し
、100℃、60分及び250℃・1時間の熱処理を行
なった。次に、レジスト膜を塗布、露光、現像形成し、
ワイヤボンディングパッド101上に、開口部を形成し
たパターン104を得る。このレジストパターン104
をマスクに、上記シリケートガラス膜を、エツチングす
る。なお、このエツチングを、実施例では、バッフアー
ト弗酸溶液(弗酸対弗化アンモニウム1対10)を用い
た。このあと、一度150℃で30分ベークし、続けて
、アノード電極カップル型プラズマエツチング装置で、
酸素プラズマ中で、ポリイミド樹脂膜102をエツチン
グした。このとき、上記レジスト膜104と、ポリイミ
ド樹脂膜102の、酸素プラズマに対するエツチングレ
ートを、酸素ガス圧、プラズマエツチング装置の印加電
圧等で調整することにより、ポリイミド樹脂膜102の
パッド開口終了時に、レジスト膜104が除去されるよ
うコントレールすれば、レジスト膜を後工程で除去する
必要はなくなる。この状態で、ポリイミド樹脂と、シリ
ケートガラス膜からなる2層構造のパシベーション膜が
形成できる。
従来耐湿性の点が弱いとされてきたポリイミド樹脂膜上
に、シリケートガラス膜を形成することにより、耐湿性
の向上が期待できる。又、酸素プラズマにより、ポリイ
ミド樹脂膜のエツチングと、レジスト膜の除去が同時に
行える。つまり、シリケートガラスが、酸素プラズマに
対して、充分なマスクになることは、重要である。
に、シリケートガラス膜を形成することにより、耐湿性
の向上が期待できる。又、酸素プラズマにより、ポリイ
ミド樹脂膜のエツチングと、レジスト膜の除去が同時に
行える。つまり、シリケートガラスが、酸素プラズマに
対して、充分なマスクになることは、重要である。
第1図(α)〜(C)が、本発明の実施例の工程断面図
である。102がポリイミド樹脂膜、103がシリケー
トガラス、104がレジスト膜である。 以 上
である。102がポリイミド樹脂膜、103がシリケー
トガラス、104がレジスト膜である。 以 上
Claims (1)
- 半導体装置の、パシベーション膜の形成方法として、ポ
リイミド系樹脂膜を用いること、スピンオンガラスを形
成し、レジスト膜を塗布形成すること、ワイヤボンディ
ングパッドを開口するに、該レジスト膜を露光現像形成
すること、該レジスト膜をマスクに、該スピンオンガラ
スをエッチングすること、該レジスト膜及び該スピンオ
ンガラスをマスクに、ポリイミド系樹脂膜を、エッチン
グすること、その後、該レジスト膜を、除去することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19742085A JPS6257223A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19742085A JPS6257223A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6257223A true JPS6257223A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16374218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19742085A Pending JPS6257223A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6257223A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63312646A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
EP0997939A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Semiconductor device comprising a lead wire |
US6656846B2 (en) * | 1989-02-27 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for processing samples |
KR100550380B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2006-02-09 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 |
WO2011065665A3 (en) * | 2009-11-30 | 2011-09-29 | Siltron Inc. | Method of manufacturing nitride semiconductor device |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19742085A patent/JPS6257223A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63312646A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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WO2011065665A3 (en) * | 2009-11-30 | 2011-09-29 | Siltron Inc. | Method of manufacturing nitride semiconductor device |
KR101105918B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-01-17 | 주식회사 엘지실트론 | 질화물 반도체 소자의 제조방법 |
US8124497B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-02-28 | Siltron, Inc. | Method of manufacturing nitride semiconductor device |
CN102640258A (zh) * | 2009-11-30 | 2012-08-15 | Lg矽得荣株式会社 | 一种制作氮化物半导体器件的方法 |
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