JPH05190532A - ポリイミドパッシベーション膜の製造方法 - Google Patents
ポリイミドパッシベーション膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH05190532A JPH05190532A JP1946692A JP1946692A JPH05190532A JP H05190532 A JPH05190532 A JP H05190532A JP 1946692 A JP1946692 A JP 1946692A JP 1946692 A JP1946692 A JP 1946692A JP H05190532 A JPH05190532 A JP H05190532A
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- Japan
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- polyimide
- photoresist
- layer
- film
- nitride film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミドの膜質軟化・表面安定性低下を抑
制し、組立歩留を向上するポリイミドパッシベ−ション
の製造方法を提供すること。 【構成】 アルミ電極５上にプラズマ窒化膜６を形成
し、その上面にポリイミド７を塗布し、熱処理して膜質
硬化を行い（工程Ａ）、次に、フォトレジスト８を塗布
し（工程Ｂ）、このフォトレジスト８をマスクとしてポ
リイミド層７を選択的にエッチングする（工程Ｃ）。し
かる後、このフォトレジスト８をさらにマスクとして、
プラズマ窒化膜６を選択的にドライエッチングし（工程
Ｄ）、次に、該フォトレジスト８を剥離した後、ウエッ
ト化したポリイミド層７を熱処理により再度硬化する
（工程Ｅ）。 【効果】 ポリイミド膜とプラズマ窒化膜とを同一フォ
トレジストをマスクとしてエッチングすることにより、
ポリイミドが露出した状態での処理を必要とせず、その
ため、ポリイミドの膜質軟化・表面安定性低下が抑制さ
れ、組立工程でのスティッキングエラ−が低減でき、組
立歩留が向上する。
制し、組立歩留を向上するポリイミドパッシベ−ション
の製造方法を提供すること。 【構成】 アルミ電極５上にプラズマ窒化膜６を形成
し、その上面にポリイミド７を塗布し、熱処理して膜質
硬化を行い（工程Ａ）、次に、フォトレジスト８を塗布
し（工程Ｂ）、このフォトレジスト８をマスクとしてポ
リイミド層７を選択的にエッチングする（工程Ｃ）。し
かる後、このフォトレジスト８をさらにマスクとして、
プラズマ窒化膜６を選択的にドライエッチングし（工程
Ｄ）、次に、該フォトレジスト８を剥離した後、ウエッ
ト化したポリイミド層７を熱処理により再度硬化する
（工程Ｅ）。 【効果】 ポリイミド膜とプラズマ窒化膜とを同一フォ
トレジストをマスクとしてエッチングすることにより、
ポリイミドが露出した状態での処理を必要とせず、その
ため、ポリイミドの膜質軟化・表面安定性低下が抑制さ
れ、組立工程でのスティッキングエラ−が低減でき、組
立歩留が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドパッシベ−
ション膜の製造方法に関し、特に、ポリイミドとプラズ
マ窒化膜又は低濃度P.S.G膜のパッシベ−ションを併用
する製品に係るポリイミドパッシベ−ション膜の製造方
法に関する。
ション膜の製造方法に関し、特に、ポリイミドとプラズ
マ窒化膜又は低濃度P.S.G膜のパッシベ−ションを併用
する製品に係るポリイミドパッシベ−ション膜の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種製品の製造法を図３に基づ
いて説明する。図３は、従来技術を説明するための図で
あって、ポリイミドとプラズマ窒化膜とをパッシベ−シ
ョンとする製品に適用した製造工程順断面図である。
いて説明する。図３は、従来技術を説明するための図で
あって、ポリイミドとプラズマ窒化膜とをパッシベ−シ
ョンとする製品に適用した製造工程順断面図である。
【０００３】従来法は、まず、半導体基板１に第１の酸
化膜層２を形成し、写真蝕刻法及び熱拡散を用いて第１
の拡散層３を形成した後、同様にして第２の拡散層４を
形成する。しかる後、写真蝕刻法によりコンタクト層を
開孔し、アルミ蒸着及び写真蝕刻法にてアルミ電極５を
形成する。次に、プラズマＣＶＤ装置によりプラズマ窒
化膜を成長させ、このプラズマ窒化膜層６により製品パ
タ−ン上を被覆保護した後、ポリイミドをその上面から
塗布してポリイミド層７を形成し（工程Ａ）、その後、
熱処理（Ｎ2雰囲気中250℃で60分間の熱処理）により膜
質硬化をはかる。
化膜層２を形成し、写真蝕刻法及び熱拡散を用いて第１
の拡散層３を形成した後、同様にして第２の拡散層４を
形成する。しかる後、写真蝕刻法によりコンタクト層を
開孔し、アルミ蒸着及び写真蝕刻法にてアルミ電極５を
形成する。次に、プラズマＣＶＤ装置によりプラズマ窒
化膜を成長させ、このプラズマ窒化膜層６により製品パ
タ−ン上を被覆保護した後、ポリイミドをその上面から
塗布してポリイミド層７を形成し（工程Ａ）、その後、
熱処理（Ｎ2雰囲気中250℃で60分間の熱処理）により膜
質硬化をはかる。
【０００４】次に、フォトレジスト８を塗布し（工程
Ｂ）、そして、写真蝕刻法によりアルミ電極５とのコン
タクトパタ−ン（ボンデイングパッド）を開孔した後、
このフォトレジスト８をマスクとして有機溶剤によりポ
リイミド層７を選択的にエッチングする（工程Ｃ）。し
かる後、低温（100℃）の有機溶剤によりフォトレジス
ト８を剥離し（工程Ｄ）、次に、ウエット化したポリイ
ミド層７を熱処理（Ｎ2雰囲気中350℃で30分間の熱処
理）により再度硬化をはかる。
Ｂ）、そして、写真蝕刻法によりアルミ電極５とのコン
タクトパタ−ン（ボンデイングパッド）を開孔した後、
このフォトレジスト８をマスクとして有機溶剤によりポ
リイミド層７を選択的にエッチングする（工程Ｃ）。し
かる後、低温（100℃）の有機溶剤によりフォトレジス
ト８を剥離し（工程Ｄ）、次に、ウエット化したポリイ
ミド層７を熱処理（Ｎ2雰囲気中350℃で30分間の熱処
理）により再度硬化をはかる。
【０００５】その後、前記ポリイミド層７をマスクとし
てプラズマ処理にてプラズマ窒化膜層６を選択的にドラ
イエツチングし（工程Ｅ）、このドライエツチングのプ
ラズマにより変質した表面のポリイミド層７を再度有機
溶剤にて処理してポリイミド層７の表面の安定化をはか
り、更に、この有機溶剤処理でウエット化したポリイミ
ド層７を再度熱処理（Ｎ2雰囲気中400℃で30分間の熱処
理）して膜質の再硬化をはかる。従来技術では、このよ
うにしてポリイミドとプラズマ窒化膜とをパッシベ−シ
ョンとする製品を製造している。
てプラズマ処理にてプラズマ窒化膜層６を選択的にドラ
イエツチングし（工程Ｅ）、このドライエツチングのプ
ラズマにより変質した表面のポリイミド層７を再度有機
溶剤にて処理してポリイミド層７の表面の安定化をはか
り、更に、この有機溶剤処理でウエット化したポリイミ
ド層７を再度熱処理（Ｎ2雰囲気中400℃で30分間の熱処
理）して膜質の再硬化をはかる。従来技術では、このよ
うにしてポリイミドとプラズマ窒化膜とをパッシベ−シ
ョンとする製品を製造している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ポリイミド
パッシベ−ションは、製品信頼度を向上させるために用
いられるものであるが、その反面、組立でのステイッキ
ングエラ−を誘発する原因になっている。このため、ポ
リイミド膜には、膜質硬化及び安定した表面の作り込み
が要求される。（なお、ステイッキングエラ−とは、マ
ウント時にポリイミド上に吸着コレツトの跡が残るエラ
−モ−ドのことを意味する。）
パッシベ−ションは、製品信頼度を向上させるために用
いられるものであるが、その反面、組立でのステイッキ
ングエラ−を誘発する原因になっている。このため、ポ
リイミド膜には、膜質硬化及び安定した表面の作り込み
が要求される。（なお、ステイッキングエラ−とは、マ
ウント時にポリイミド上に吸着コレツトの跡が残るエラ
−モ−ドのことを意味する。）
【０００７】しかしながら、前述した従来技術において
は、フォトレジスト８を有機溶剤処理により除去した
後、ポリイミド層７をマスクとしてプラズマ窒化膜層６
をドライエッチングするため、このポリイミド層７は、
上記有機溶剤処理による膜質軟化が起こり、しかも、上
記ドライエッチングによつてポリイミド層７の表面が不
安定となり、その結果、組立でのステッキングエラ−が
容易に発生するという問題点を有している。また、従来
技術では、ポリイミド層７のエッチングとプラズマ窒化
膜層６のエッチングとをそれぞれ異なるマスクで実施す
るため、有機溶剤処理と熱処理とを繰り返すプロセスを
採用せざるをえないものであり、その結果、工期が長く
なるという問題点を有している。
は、フォトレジスト８を有機溶剤処理により除去した
後、ポリイミド層７をマスクとしてプラズマ窒化膜層６
をドライエッチングするため、このポリイミド層７は、
上記有機溶剤処理による膜質軟化が起こり、しかも、上
記ドライエッチングによつてポリイミド層７の表面が不
安定となり、その結果、組立でのステッキングエラ−が
容易に発生するという問題点を有している。また、従来
技術では、ポリイミド層７のエッチングとプラズマ窒化
膜層６のエッチングとをそれぞれ異なるマスクで実施す
るため、有機溶剤処理と熱処理とを繰り返すプロセスを
採用せざるをえないものであり、その結果、工期が長く
なるという問題点を有している。
【０００８】そこで、本発明は、従来技術における上記
問題点を解消するポリイミドパッシベ−ション膜の製造
方法を提供することを目的とし、詳細には、ポリイミド
とプラズマ窒化膜又はP.S.G膜を併用したパッシベ−シ
ョンを有する製品において、ポリイミドの膜質軟化及び
表面安定性を低下させることなくボンデイングパタ−ン
を形成することができる新規なポリイミドパッシベ−シ
ョンの製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解消するポリイミドパッシベ−ション膜の製造
方法を提供することを目的とし、詳細には、ポリイミド
とプラズマ窒化膜又はP.S.G膜を併用したパッシベ−シ
ョンを有する製品において、ポリイミドの膜質軟化及び
表面安定性を低下させることなくボンデイングパタ−ン
を形成することができる新規なポリイミドパッシベ−シ
ョンの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、ポリ
イミドとプラズマ窒化膜又はP.S.G膜を併用したパッシ
ベ−ションを有する製品において、ポリイミドのエツチ
ング時に使用するフォトレジストマスクを残存させるこ
とにより、ポリイミド表面を保護した状態でプラズマ窒
化膜又はP.S.G膜のエッチングを実施することを特徴と
するものであり、これによって上記目的を達成したもの
である。
イミドとプラズマ窒化膜又はP.S.G膜を併用したパッシ
ベ−ションを有する製品において、ポリイミドのエツチ
ング時に使用するフォトレジストマスクを残存させるこ
とにより、ポリイミド表面を保護した状態でプラズマ窒
化膜又はP.S.G膜のエッチングを実施することを特徴と
するものであり、これによって上記目的を達成したもの
である。
【００１０】即ち、本発明は、(1) アルミ電極上にプラ
ズマ窒化膜又はP.S.G膜を形成する工程、(2) このプラ
ズマ窒化膜又はP.S.G膜上にポリイミドを塗布し、熱処
理により該ポリイミドを硬化する工程、(3) このポリイ
ミド層上にフォトレジストを塗布し、該フォトレジスト
にボンデイングパタ−ンを形成する工程、(4) 上記フォ
トレジストをマスクとして、ポリイミドをエッチングす
る工程、(5) 上記フォトレジストをさらにマスクとし
て、プラズマ窒化膜又はP.S.G膜をエツチングする工
程、(6) 上記フォトレジストを除去する工程、を含むこ
とを特徴とするポリイミドパッシベ−ション膜の製造方
法を要旨とするものである。
ズマ窒化膜又はP.S.G膜を形成する工程、(2) このプラ
ズマ窒化膜又はP.S.G膜上にポリイミドを塗布し、熱処
理により該ポリイミドを硬化する工程、(3) このポリイ
ミド層上にフォトレジストを塗布し、該フォトレジスト
にボンデイングパタ−ンを形成する工程、(4) 上記フォ
トレジストをマスクとして、ポリイミドをエッチングす
る工程、(5) 上記フォトレジストをさらにマスクとし
て、プラズマ窒化膜又はP.S.G膜をエツチングする工
程、(6) 上記フォトレジストを除去する工程、を含むこ
とを特徴とするポリイミドパッシベ−ション膜の製造方
法を要旨とするものである。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例を図１及び図２に基づ
いて詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明の一実施例を示す図であっ
て、ポリイミドとプラズマ窒化膜をパッシベ−ションと
する製品に適用した場合製造工程順断面図である。ま
ず、従来法と同様、アルミ電極５上のプラズマ窒化膜層
６を形成し、次に、その上面よりポリイミドを塗布して
ポリイミド層７を形成し（工程Ａ）、その後、熱処理
（Ｎ2雰囲気中250℃で60分間の熱処理）によりポリイミ
ド膜７の膜質硬化をはかる。
いて詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明の一実施例を示す図であっ
て、ポリイミドとプラズマ窒化膜をパッシベ−ションと
する製品に適用した場合製造工程順断面図である。ま
ず、従来法と同様、アルミ電極５上のプラズマ窒化膜層
６を形成し、次に、その上面よりポリイミドを塗布して
ポリイミド層７を形成し（工程Ａ）、その後、熱処理
（Ｎ2雰囲気中250℃で60分間の熱処理）によりポリイミ
ド膜７の膜質硬化をはかる。
【００１２】次に、フォトレジスト８を塗布し（工程
Ｂ）、そして、写真蝕刻法によりアルミ電極５とのコン
タクトパタ−ン（ボンデイングパッド）開孔部を形成し
た後、このフォトレジスト８をマスクとして、有機溶剤
によりポリイミド層７を選択的にエッチングする（工程
Ｃ）。続いて、このフォトレジスト８を同じくマスクと
して、プラズマ処理にてプラズマ窒化膜層６を選択的に
ドライエッチングする（工程Ｄ）。
Ｂ）、そして、写真蝕刻法によりアルミ電極５とのコン
タクトパタ−ン（ボンデイングパッド）開孔部を形成し
た後、このフォトレジスト８をマスクとして、有機溶剤
によりポリイミド層７を選択的にエッチングする（工程
Ｃ）。続いて、このフォトレジスト８を同じくマスクと
して、プラズマ処理にてプラズマ窒化膜層６を選択的に
ドライエッチングする（工程Ｄ）。
【００１３】次に、低温（100℃）の有機溶剤により上
記フォトレジスト８を剥離し（工程Ｅ）、その後、ウエ
ット化したポリイミド層７を熱処理（Ｎ2雰囲気中400℃
で30分間の熱処理）により再硬化させる。このようにし
てポリイミドとプラズマ窒化膜とをパッシベ−ションと
する製品を製造する。
記フォトレジスト８を剥離し（工程Ｅ）、その後、ウエ
ット化したポリイミド層７を熱処理（Ｎ2雰囲気中400℃
で30分間の熱処理）により再硬化させる。このようにし
てポリイミドとプラズマ窒化膜とをパッシベ−ションと
する製品を製造する。
【００１４】この実施例１では、以上説明したように、
ポリイミド層７のエッチング時に使用するフォトレジス
ト８のマスクをプラズマ窒化膜層６のドライエッチング
時にも使用するものであり、これによって、ポリイミド
の膜質軟化及び表面不安定化を防止することができ、そ
の結果、従来法と比較して組立工程に於けるスティッキ
ングエラ−の発生を低下させることができる効果が生ず
る。なお、スティッキングエラ−発生防止対策として
は、この実施例１の他に最終熱処理の高温化も挙げられ
るが、これは、アルミ電極形成後の熱処理である。そし
て、現熱処理条件（Ｎ2雰囲気中400℃で30分間の熱処
理）以上の温度を付加すると、アルミ電極とプラズマ窒
化膜の界面に水素ガスが発生し、ふくれが生じるため、
スティッキングエラ−発生防止対策とは成り得ないもの
である。
ポリイミド層７のエッチング時に使用するフォトレジス
ト８のマスクをプラズマ窒化膜層６のドライエッチング
時にも使用するものであり、これによって、ポリイミド
の膜質軟化及び表面不安定化を防止することができ、そ
の結果、従来法と比較して組立工程に於けるスティッキ
ングエラ−の発生を低下させることができる効果が生ず
る。なお、スティッキングエラ−発生防止対策として
は、この実施例１の他に最終熱処理の高温化も挙げられ
るが、これは、アルミ電極形成後の熱処理である。そし
て、現熱処理条件（Ｎ2雰囲気中400℃で30分間の熱処
理）以上の温度を付加すると、アルミ電極とプラズマ窒
化膜の界面に水素ガスが発生し、ふくれが生じるため、
スティッキングエラ−発生防止対策とは成り得ないもの
である。
【００１５】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
を示す図であって、ポリイミドと低濃度P.S.G膜をパッ
シベ−ションとする製品に適用した場合を工程順に示し
た製造工程順断面図である。まず、気相成長法によりア
ルミ電極５上に低濃度P.S.G膜９を成長し、次に、その
上面よりポリイミドを塗布してポリイミド層７を形成し
（工程Ａ）、その後、熱処理（Ｎ2雰囲気中250℃で60分
間の熱処理）によりポリイミド膜７の膜質硬化をはか
る。
を示す図であって、ポリイミドと低濃度P.S.G膜をパッ
シベ−ションとする製品に適用した場合を工程順に示し
た製造工程順断面図である。まず、気相成長法によりア
ルミ電極５上に低濃度P.S.G膜９を成長し、次に、その
上面よりポリイミドを塗布してポリイミド層７を形成し
（工程Ａ）、その後、熱処理（Ｎ2雰囲気中250℃で60分
間の熱処理）によりポリイミド膜７の膜質硬化をはか
る。
【００１６】次に、フォトレジスト８を塗布し（工程
Ｂ）、そして、写真蝕刻法によりアルミ電極５とのコン
タクトパタ−ン（ボンデイングパッド）開孔部を形成し
た後、このフォトレジスト８をマスクとして、有機溶剤
によりポリイミド層７を選択的にエッチングする（工程
Ｃ）。続いて、このフォトレジスト８を同じくマスクと
して、有機溶剤にて低濃度P.S.G膜９をエッチングする
（工程Ｄ）。
Ｂ）、そして、写真蝕刻法によりアルミ電極５とのコン
タクトパタ−ン（ボンデイングパッド）開孔部を形成し
た後、このフォトレジスト８をマスクとして、有機溶剤
によりポリイミド層７を選択的にエッチングする（工程
Ｃ）。続いて、このフォトレジスト８を同じくマスクと
して、有機溶剤にて低濃度P.S.G膜９をエッチングする
（工程Ｄ）。
【００１７】次に、低温（100℃）の有機溶剤により上
記フォトレジスト８を剥離し（工程Ｅ）、その後、ウエ
ット化したポリイミド層７を熱処理（Ｎ2雰囲気中400℃
で30分間の熱処理）により再硬化させる。このようにし
てポリイミドと低濃度P.S.G膜とをパッシベ−ションと
する製品を製造する。
記フォトレジスト８を剥離し（工程Ｅ）、その後、ウエ
ット化したポリイミド層７を熱処理（Ｎ2雰囲気中400℃
で30分間の熱処理）により再硬化させる。このようにし
てポリイミドと低濃度P.S.G膜とをパッシベ−ションと
する製品を製造する。
【００１８】実施例２では、以上説明したように、低濃
度P.S.G膜をフォトレジストマスクでエッチングするも
のであり、これによって、前記実施例１と同様の効果を
得ることができる。
度P.S.G膜をフォトレジストマスクでエッチングするも
のであり、これによって、前記実施例１と同様の効果を
得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、ポリイ
ミド膜とプラズマ窒化膜又はP.S.G膜を同一フォトレジ
ストをマスクとしてエッチングすることを特徴とするも
のであり、ポリイミドが露出した状態での処理を必要と
しないものである。その結果、本発明は、ポリイミドの
膜質軟化及び表面安定性を低下を抑制することができ、
従来法と比較して組立工程でのスティッキングエラ−発
生を低下させることができ、そのため、組立歩留を向上
する（具体的には10％向上する）ことができる効果が生
じ、また、製品拡散工期を短縮する（具体的には５時間
程度短縮する）ことができる効果が生ずる。
ミド膜とプラズマ窒化膜又はP.S.G膜を同一フォトレジ
ストをマスクとしてエッチングすることを特徴とするも
のであり、ポリイミドが露出した状態での処理を必要と
しないものである。その結果、本発明は、ポリイミドの
膜質軟化及び表面安定性を低下を抑制することができ、
従来法と比較して組立工程でのスティッキングエラ−発
生を低下させることができ、そのため、組立歩留を向上
する（具体的には10％向上する）ことができる効果が生
じ、また、製品拡散工期を短縮する（具体的には５時間
程度短縮する）ことができる効果が生ずる。
【図１】本発明の一実施例を示す図であって、ポリイミ
ドとプラズマ窒化膜パッシベ−ションの製品に適用した
場合の製造工程順断面図である。
ドとプラズマ窒化膜パッシベ−ションの製品に適用した
場合の製造工程順断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す図であって、ポリイ
ミドと低濃度P.S.G膜パッシベ−ションの製品に適用し
た場合の製造工程順断面図である。
ミドと低濃度P.S.G膜パッシベ−ションの製品に適用し
た場合の製造工程順断面図である。
【図３】従来技術説明するための図であって、ポリイミ
ドとプラズマ窒化膜パッシベ−ションの製品に適用した
場合の製造工程順断面図である。
ドとプラズマ窒化膜パッシベ−ションの製品に適用した
場合の製造工程順断面図である。
１ 半導体基板 ２ 第１の酸化膜層 ３ 第１の拡散層 ４ 第２の拡散層 ５ アルミ電極 ６ プラズマ窒化膜層 ７ ポリイミド層 ８ フォトレジスト ９ 低濃度P.S.G膜
Claims (1)
- 【請求項１】 (1) アルミ電極上にプラズマ窒化膜又は
P.S.G膜を形成する工程、 (2) このプラズマ窒化膜又はP.S.G膜上にポリイミドを
塗布し、熱処理により該ポリイミドを硬化する工程、 (3) このポリイミド層上にフォトレジストを塗布し、該
フォトレジストにボンデイングパタ−ンを形成する工
程、 (4) 上記フォトレジストをマスクとして、ポリイミドを
エッチングする工程、 (5) 上記フォトレジストをさらにマスクとして、プラズ
マ窒化膜又はP.S.G膜をエツチングする工程、 (6) 上記フォトレジストを除去する工程、 を含むことを特徴とするポリイミドパッシベ−ション膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1946692A JPH05190532A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | ポリイミドパッシベーション膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1946692A JPH05190532A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | ポリイミドパッシベーション膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190532A true JPH05190532A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12000102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1946692A Pending JPH05190532A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | ポリイミドパッシベーション膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6287750B1 (en) | 1996-05-17 | 2001-09-11 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device in which opening can be formed with high precision |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298747A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置の電極とその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP1946692A patent/JPH05190532A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298747A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置の電極とその製造方法 |
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| US6287750B1 (en) | 1996-05-17 | 2001-09-11 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device in which opening can be formed with high precision |
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