JPS63289948A - 絶縁膜形成方法 - Google Patents
絶縁膜形成方法Info
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- JPS63289948A JPS63289948A JP12554687A JP12554687A JPS63289948A JP S63289948 A JPS63289948 A JP S63289948A JP 12554687 A JP12554687 A JP 12554687A JP 12554687 A JP12554687 A JP 12554687A JP S63289948 A JPS63289948 A JP S63289948A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばトランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体デバイスにおける保護膜、眉間絶縁膜などの絶縁膜
の形成方法に関する。
導体デバイスにおける保護膜、眉間絶縁膜などの絶縁膜
の形成方法に関する。
第２図は、従来の絶縁膜（保護膜）形成方法の一例を要
約して示す工程図である。
約して示す工程図である。
まず、基板２上に所定の金属電極４が形成されたものを
用意しく同図（Ａ）） 、次いで金属電極４上に例えば
ポリイミドから成る絶縁性の保護膜６を塗布しかつ所定
のパターンにパターニングして、接続用等のために金属
電極４の所定部分４ａを露出させ（同図（Ｂ）） 、そ
して加熱炉内において高温下（例えば３００〜４５０℃
程度）で保護膜６の熱硬化（ポストキュア）を行って同
図（Ｃ）に示すようなものを得ていた。
用意しく同図（Ａ）） 、次いで金属電極４上に例えば
ポリイミドから成る絶縁性の保護膜６を塗布しかつ所定
のパターンにパターニングして、接続用等のために金属
電極４の所定部分４ａを露出させ（同図（Ｂ）） 、そ
して加熱炉内において高温下（例えば３００〜４５０℃
程度）で保護膜６の熱硬化（ポストキュア）を行って同
図（Ｃ）に示すようなものを得ていた。
その場合、金属電極４には通常、安価で高伝導性を持つ
銅、アルミニウム等が用いられているが、上記方法だと
、保護膜６の熱硬化を行う際、加熱炉内の微量の酸素と
高温状態のために、当該金属電極４の露出部分４ａが酸
化され、その結果その部分に対するワイヤボンディング
や半田付けの性能が悪化するという問題が生じる。
銅、アルミニウム等が用いられているが、上記方法だと
、保護膜６の熱硬化を行う際、加熱炉内の微量の酸素と
高温状態のために、当該金属電極４の露出部分４ａが酸
化され、その結果その部分に対するワイヤボンディング
や半田付けの性能が悪化するという問題が生じる。
そのため従来は金属電極４の酸化防止の一手段として、
真空加熱炉内で保護膜６の熱硬化を行うという方法が採
られていたが、これだと設備が複雑になると共に真空引
き等のために時間もかかるという問題がある。
真空加熱炉内で保護膜６の熱硬化を行うという方法が採
られていたが、これだと設備が複雑になると共に真空引
き等のために時間もかかるという問題がある。
また他の手段として、金属電極４に、金、白金等の酸化
されにくい貴金属類を用いるという方法が採られる場合
もあるが、これだと金属電極４が高価になるという問題
がある。
されにくい貴金属類を用いるという方法が採られる場合
もあるが、これだと金属電極４が高価になるという問題
がある。
そこでこの発明は、上記とは別の手段によって、金属電
極の酸化を防止するようにした保護膜、層間絶縁膜など
の絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。
−゛〔目的達成のための手段〕 この発明の絶縁膜形成方法は、金属電極上の全面にスピ
ンオングラスを形成する工程と、そのスピンオングラス
上の全面に絶縁膜を塗布する工程と、その絶縁膜をパタ
ーニングする工程と、その絶縁膜を熱硬化させる工程と
、スピンオングラスの露出部分をエツチングで除去する
工程とを備えることを特徴とする。
極の酸化を防止するようにした保護膜、層間絶縁膜など
の絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。
−゛〔目的達成のための手段〕 この発明の絶縁膜形成方法は、金属電極上の全面にスピ
ンオングラスを形成する工程と、そのスピンオングラス
上の全面に絶縁膜を塗布する工程と、その絶縁膜をパタ
ーニングする工程と、その絶縁膜を熱硬化させる工程と
、スピンオングラスの露出部分をエツチングで除去する
工程とを備えることを特徴とする。
〔作用〕
絶縁膜を熱硬化させる際には、金属電極は全面がスピン
オングラスで覆われて保護されているため、当該金属電
極の酸化が防止される。
オングラスで覆われて保護されているため、当該金属電
極の酸化が防止される。
第１図は、この発明の一実施例に係る保護膜形成方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
まず、基板２上に所定の金属電極４が形成されたものを
用意しく同図（Ａ）） 、次いで当該金属電極４上の全
面に、例えばＳｉＯ，ｚ基波膜形成用塗布液を塗布（例
えばスピンコード）シ、そしてそれを例えば２００〜３
００℃前後で熱処理してＳｉｎ、を主成分とする被膜で
あるスピンオングラス（ＳＯＧ）５を形成する（同図（
Ｂ））。
用意しく同図（Ａ）） 、次いで当該金属電極４上の全
面に、例えばＳｉＯ，ｚ基波膜形成用塗布液を塗布（例
えばスピンコード）シ、そしてそれを例えば２００〜３
００℃前後で熱処理してＳｉｎ、を主成分とする被膜で
あるスピンオングラス（ＳＯＧ）５を形成する（同図（
Ｂ））。
次いで、スピンオングラス５上の全面に例えば平滑性に
すぐれかつ厚（（〜２μｍ）塗布できるポリイミドから
成る絶縁性の保護膜６を塗布（例えばスピンコード）シ
（同図（Ｃ）） 、更にその上にレジスト８を塗布（例
えばスピンコード）する（同図（Ｄ））。
すぐれかつ厚（（〜２μｍ）塗布できるポリイミドから
成る絶縁性の保護膜６を塗布（例えばスピンコード）シ
（同図（Ｃ）） 、更にその上にレジスト８を塗布（例
えばスピンコード）する（同図（Ｄ））。
次いで、ホトリソグラフィ （ホトエツチング）等の手
段によってレジスト８および保護膜６を所定のパターン
にパターニングしく同図（９） ）、そしてレジスト８
を剥離する（同図（Ｆ））。そしてその状態で、保護膜
６を例えば３００〜４５０℃程度で熱硬化させ、最後に
緩衝フン酸溶液（ＢＨＦ）等を用いてスピンオングラス
５の露出部分５ａをエツチングで除去する。その結果、
金 ゛属電極４の所定部分４ａが露出する（同図（Ｇ）
）。
段によってレジスト８および保護膜６を所定のパターン
にパターニングしく同図（９） ）、そしてレジスト８
を剥離する（同図（Ｆ））。そしてその状態で、保護膜
６を例えば３００〜４５０℃程度で熱硬化させ、最後に
緩衝フン酸溶液（ＢＨＦ）等を用いてスピンオングラス
５の露出部分５ａをエツチングで除去する。その結果、
金 ゛属電極４の所定部分４ａが露出する（同図（Ｇ）
）。
上記方法においては、保護膜６を熱硬化させる際には（
第１図（Ｆ）参照）、金、属電極４は全面がスピンオン
グラス５で覆われて保護さているため、当該金属電極４
の酸化が防止される。しかも、余分な部分のスピンオン
グラス５（即ちその露出部分５ａ）は、エツチングで簡
単に除去することができ、その結果金属電極４の露出部
分４ａをクリーンな状態で得、ることができる。
第１図（Ｆ）参照）、金、属電極４は全面がスピンオン
グラス５で覆われて保護さているため、当該金属電極４
の酸化が防止される。しかも、余分な部分のスピンオン
グラス５（即ちその露出部分５ａ）は、エツチングで簡
単に除去することができ、その結果金属電極４の露出部
分４ａをクリーンな状態で得、ることができる。
従ってこの方法によれば、金属電極４としては、高価な
貴金属類を用いる必要はな（、安価な銅やアルミニウム
を用いることができる。また、保護膜６の熱硬化に、真
空加熱炉等のような複雑で時間のかかる装置を用いる必
要もなく、通常の加熱炉で熱硬化を行うことができる。
貴金属類を用いる必要はな（、安価な銅やアルミニウム
を用いることができる。また、保護膜６の熱硬化に、真
空加熱炉等のような複雑で時間のかかる装置を用いる必
要もなく、通常の加熱炉で熱硬化を行うことができる。
勿論、金属電極４の酸化が防止されるため、それに対す
るワイヤボンディングや半田付けも良好に行うことがで
きる。
るワイヤボンディングや半田付けも良好に行うことがで
きる。
上記のような方法による実験例を次に説明する。
■ パイレックス基板上に銅電極を形成したものの上に
、上記のような方法で、所定パターンをしたポリイミド
保護膜を形成した。その後、銅電極の露出部分に半田バ
ンプを形成したが、その密着性は良好であった。
、上記のような方法で、所定パターンをしたポリイミド
保護膜を形成した。その後、銅電極の露出部分に半田バ
ンプを形成したが、その密着性は良好であった。
■ シリコン基板上にアルミニウム電極を形成したもの
の上に、上記のような方法で、所定パターンをしたポリ
イミド保護膜を形成した。その後、アルミニウム電極の
露出部分にワイヤボンディングを行ったが、その溶着強
度も良好であった。
の上に、上記のような方法で、所定パターンをしたポリ
イミド保護膜を形成した。その後、アルミニウム電極の
露出部分にワイヤボンディングを行ったが、その溶着強
度も良好であった。
尚、上述の説明は保護膜について行ったが、眉間絶縁膜
についてもまったく同様である。
についてもまったく同様である。
以上のようにこの発明によれば、スピンオングラスによ
って、ポリイミドから成る絶縁膜を熱硬化させる際の金
属電極の酸化が防止される。従って、金属電極に、高価
な貴金属類を用いる必要はなく、安価な銅やアルミニウ
ム等を用いることができる。また、絶縁膜の熱硬化に、
真空加熱炉等のような複雑で時間のかかる装置を用いる
必要もなく、通常の加熱炉を用いることができる。勿論
、金属電極の酸化が防止されるため、それに対するワイ
ヤポンディングや半田付は等も良好に行うことができる
。
って、ポリイミドから成る絶縁膜を熱硬化させる際の金
属電極の酸化が防止される。従って、金属電極に、高価
な貴金属類を用いる必要はなく、安価な銅やアルミニウ
ム等を用いることができる。また、絶縁膜の熱硬化に、
真空加熱炉等のような複雑で時間のかかる装置を用いる
必要もなく、通常の加熱炉を用いることができる。勿論
、金属電極の酸化が防止されるため、それに対するワイ
ヤポンディングや半田付は等も良好に行うことができる
。
第１図は、この発明の一実施例に係る保護膜形成方法を
示す工程図である。第２図は、従来の保護膜形成方法の
一例を要約して示す工程図である。 ２・・・基板、４・・・金属電極、５・・・スピンオン
グラス、６・・・保護膜、８・・・ レジスト。
示す工程図である。第２図は、従来の保護膜形成方法の
一例を要約して示す工程図である。 ２・・・基板、４・・・金属電極、５・・・スピンオン
グラス、６・・・保護膜、８・・・ レジスト。
Claims (1)
- （１）基板上の金属電極上に所定パターンをした絶縁膜
を形成する方法において、前記金属電極上の全面にスピ
ンオングラスを形成する工程と、そのスピンオングラス
上の全面に絶縁膜を塗布する工程と、その絶縁膜をパタ
ーニングする工程と、その絶縁膜を熱硬化させる工程と
、スピンオングラスの露出部分をエッチングで除去する
工程とを備えることを特徴とする絶縁膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12554687A JPS63289948A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 絶縁膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12554687A JPS63289948A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289948A true JPS63289948A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14912874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12554687A Pending JPS63289948A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 絶縁膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289948A (ja) |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP12554687A patent/JPS63289948A/ja active Pending
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