JPH02253626A - 半導体チップの実装方法 - Google Patents
半導体チップの実装方法Info
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- JPH02253626A JPH02253626A JP7537289A JP7537289A JPH02253626A JP H02253626 A JPH02253626 A JP H02253626A JP 7537289 A JP7537289 A JP 7537289A JP 7537289 A JP7537289 A JP 7537289A JP H02253626 A JPH02253626 A JP H02253626A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体放射線検出素子アレイ等の半導体チッ
プを基板上に実装する方法に関する。
プを基板上に実装する方法に関する。
〈従来の技術〉
半導体チップの基板への実装方法としては、半導体チッ
プにあらかじめハンダバンプを形成しておき、このチッ
プをフェイスダウンで基板上の導体パターンにハンダ付
けする、いわゆるフリップチップ実装方法がある。
プにあらかじめハンダバンプを形成しておき、このチッ
プをフェイスダウンで基板上の導体パターンにハンダ付
けする、いわゆるフリップチップ実装方法がある。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、フリップチップ実装方法においては、従来、
ハンダ付は時に、ハンダバンプ表面の酸化物を除去する
ためにフラックスを塗布している。
ハンダ付は時に、ハンダバンプ表面の酸化物を除去する
ためにフラックスを塗布している。
このため、チップ表面がフラックスにより汚染されてし
まい、この汚染が表面リーク電流の増加の原因となって
いた。
まい、この汚染が表面リーク電流の増加の原因となって
いた。
また、放射線検出素子チップ等においては、チップ側壁
面近傍の変質に伴うリーク電流の増加を防止する等のた
めに、側壁面を保護膜により被覆して耐環境性の向上を
はかる必要があるが、フリップチップ実装方法では、保
護膜形成時にハンダバンプ表面に強固な酸化膜が形成さ
れるため、保護膜を形成できないという問題が残されて
いた。
面近傍の変質に伴うリーク電流の増加を防止する等のた
めに、側壁面を保護膜により被覆して耐環境性の向上を
はかる必要があるが、フリップチップ実装方法では、保
護膜形成時にハンダバンプ表面に強固な酸化膜が形成さ
れるため、保護膜を形成できないという問題が残されて
いた。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、上記の諸問題点を一挙に解決すべくなされた
もので、その実装方法を実施例に対応する第1図を参照
しつつ説明すると、本発明は、ハンダバンプ3の表面を
Au製膜8により被覆し、次いで半導体チップ1の側壁
面を酸化膜9により被覆したのちに、半導体チップ1の
基板10への実装を行うことによって特徴づけられる。
もので、その実装方法を実施例に対応する第1図を参照
しつつ説明すると、本発明は、ハンダバンプ3の表面を
Au製膜8により被覆し、次いで半導体チップ1の側壁
面を酸化膜9により被覆したのちに、半導体チップ1の
基板10への実装を行うことによって特徴づけられる。
く作用〉
ハンダバンプの表面は、Au製膜により保護されるので
酸化することはなく、ハンダ付は時にフラックスが不要
になる。しかも、Au製膜は、チップ側壁面の保護膜形
成時にハンダバンプの酸化を防ぐ。
酸化することはなく、ハンダ付は時にフラックスが不要
になる。しかも、Au製膜は、チップ側壁面の保護膜形
成時にハンダバンプの酸化を防ぐ。
〈実施例〉
第1図は本発明の実装方法の手順を説明する図である。
まず、公知の方法により、第1図(a)に示すように、
CaTeウェハW上に、Au製の信号取り出し電極1a
・・・1aおよび共通のバイアス電極1bを設けてX線
検出素子アレイを形成し、次いで、ウェハWの片面をガ
ラス製の絶縁膜5により被覆した後、各信号取り出し電
極1a上にCu製ピラー2およびハンダバンプ3を形成
しておく。
CaTeウェハW上に、Au製の信号取り出し電極1a
・・・1aおよび共通のバイアス電極1bを設けてX線
検出素子アレイを形成し、次いで、ウェハWの片面をガ
ラス製の絶縁膜5により被覆した後、各信号取り出し電
極1a上にCu製ピラー2およびハンダバンプ3を形成
しておく。
次に、フォトリソグラフィ法により、絶縁膜5の表面を
レジスト膜6によって被覆した後、化学エツチングによ
りハンダバンプ3表面の酸化物を除去し、次いで無電解
Auメツキ法によりAu製膜8を形成する(第1図〔b
〕)。なお、化学エツチングのエッチャントとしては第
三リン酸ナトリウムの溶液を用いる。
レジスト膜6によって被覆した後、化学エツチングによ
りハンダバンプ3表面の酸化物を除去し、次いで無電解
Auメツキ法によりAu製膜8を形成する(第1図〔b
〕)。なお、化学エツチングのエッチャントとしては第
三リン酸ナトリウムの溶液を用いる。
次に、リフトオフ法により、Au製膜8の不要な部分を
除去してハンダバンプ3表面のみにAu製膜8を残す(
第1図〔C〕)。次いで、ダンシングソーによりウェハ
Wから検出素子アレイチップ1を切り出した後(第1図
〔d〕)、ブロムメタノール処理を施してチップ1の側
壁面にTe酸化物の保護膜9を形成する(第1図〔e〕
)。このとき、絶縁膜5およびハンダバンプ3表面のA
u製膜8は化学的な影響を受けないので、ハンダバンプ
3が酸化されることはない。
除去してハンダバンプ3表面のみにAu製膜8を残す(
第1図〔C〕)。次いで、ダンシングソーによりウェハ
Wから検出素子アレイチップ1を切り出した後(第1図
〔d〕)、ブロムメタノール処理を施してチップ1の側
壁面にTe酸化物の保護膜9を形成する(第1図〔e〕
)。このとき、絶縁膜5およびハンダバンプ3表面のA
u製膜8は化学的な影響を受けないので、ハンダバンプ
3が酸化されることはない。
以上の構造のチップ1を、第1図(f)に示すように、
基板10上にフェイスダウンにより位置決めし、不活性
ガス雰囲気中で200″C程度の加熱を行うことによっ
て、基板10のバッド10aにハンダ付けする。ここで
、ハンダバンプ3表面のAu製膜8は加熱時に、ハンダ
中に拡散するので、融解したハンダは基板のパッド10
aに充分に濡れる。
基板10上にフェイスダウンにより位置決めし、不活性
ガス雰囲気中で200″C程度の加熱を行うことによっ
て、基板10のバッド10aにハンダ付けする。ここで
、ハンダバンプ3表面のAu製膜8は加熱時に、ハンダ
中に拡散するので、融解したハンダは基板のパッド10
aに充分に濡れる。
以上はCaTe製のX線検出素子アレイチップに本発明
を適用した例について説明したが、本発明はこれに限ら
れることなく、例えばSt製の検出素子等、他の半導体
チップに適用可能であることは勿論である。なお、Si
製チップの場合、チップ側壁面の保護膜形成には陽極酸
化法を用いる。
を適用した例について説明したが、本発明はこれに限ら
れることなく、例えばSt製の検出素子等、他の半導体
チップに適用可能であることは勿論である。なお、Si
製チップの場合、チップ側壁面の保護膜形成には陽極酸
化法を用いる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、実装前のハンダバンプ表面をAu製膜
により被覆したので、ハンダバンプが酸化されることは
なく、実装時のハンダ付けにフラックスが不要になる。
により被覆したので、ハンダバンプが酸化されることは
なく、実装時のハンダ付けにフラックスが不要になる。
従って、フラックスによる汚染がなくなり、半導体チッ
プ表面のリーク電流が低減する。さらに、チップ側壁面
に保護膜を形成することが可能になり、半導体チップの
耐環境性が向上する。特に、放射線検出素子チップ等に
おいて問題とされていた、チップ側壁面近傍の変質に伴
うリーク電流を減少させることができる。
プ表面のリーク電流が低減する。さらに、チップ側壁面
に保護膜を形成することが可能になり、半導体チップの
耐環境性が向上する。特に、放射線検出素子チップ等に
おいて問題とされていた、チップ側壁面近傍の変質に伴
うリーク電流を減少させることができる。
第1図は本発明の実装方法の手順を説明する図である。
Claims (1)
- 半導体チップにあらかじめハンダバンプを形成しておき
、このチップをフェイスダウンで基板上のパッドに位置
合わせした後、ハンダバンプをリフローすることにより
、上記半導体チップを基板に実装する方法において、上
記ハンダバンプの表面をAu製膜により被覆し、次いで
上記半導体チップの側壁面を酸化膜により被覆した後に
、上記実装を行うことを特徴とする、半導体チップの実
装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7537289A JPH02253626A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7537289A JPH02253626A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体チップの実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02253626A true JPH02253626A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13574312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7537289A Pending JPH02253626A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体チップの実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02253626A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005093816A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-10-06 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device for radio frequency applications and method for making the same |
US7135770B2 (en) | 2002-02-07 | 2006-11-14 | Nec Corporation | Semiconductor element with conductive columnar projection and a semiconductor device with conductive columnar projection |
JP2012104817A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-31 | Raytheon Co | はんだ上での酸化物の生成を抑制する方法 |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7537289A patent/JPH02253626A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7135770B2 (en) | 2002-02-07 | 2006-11-14 | Nec Corporation | Semiconductor element with conductive columnar projection and a semiconductor device with conductive columnar projection |
US7268438B2 (en) | 2002-02-07 | 2007-09-11 | Nec Corporation | Semiconductor element including a wet prevention film |
US7449406B2 (en) | 2002-02-07 | 2008-11-11 | Nec Corporation | Semiconductor element and a producing method for the same, and a semiconductor device and a producing method for the same |
US7749888B2 (en) | 2002-02-07 | 2010-07-06 | Nec Corporation | Semiconductor element and a producing method for the same, and a semiconductor device and a producing method for the same |
WO2005093816A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-10-06 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device for radio frequency applications and method for making the same |
US8610266B2 (en) | 2004-03-05 | 2013-12-17 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device for radio frequency applications and method for making the same |
JP2012104817A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-31 | Raytheon Co | はんだ上での酸化物の生成を抑制する方法 |
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