JPH07336019A - 導体パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 セラミックス基板１１上にフォトレジスト層
１２を形成し、フォトレジスト層１２に導体パターン状
に凹部１５を形成し、凹部１５に下層用導体ペースト１
６を充填し、この下層用導体ペースト１６を乾燥させ、
下層用導体ペースト１６中の固体成分をセラミックス基
板１１に接着させ、前工程での下層用導体ペースト１６
の収縮により再形成された導体パターン状の凹部１５’
に上層用導体ペースト１８を充填し、フォトレジスト層
１２に現像処理を施してフォトレジスト層１２を溶解、
消失させ、焼成により導体ペースト中の固体成分をセラ
ミックス基板１１に焼き付ける工程を含む導体パターン
１９の形成方法。 【効果】 精密かつ微細であり、またその上面が平坦な
ためＴＡＢリードなどの配線との接続が良好な導体パタ
ーン１９をセラミックス基板１１上に形成することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は導体パターンの形成方法
に関し、より詳細には半導体ＬＳＩ、チップ部品などが
実装され、それらを相互配線するためのセラミックス基
板上への導体パターンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化、高密
度化が進んできており、これらに実装される電子部品の
狭ピッチ多ピン化や、マルチチップ化も急速に進められ
つつある。従って、ＬＳＩ、ＩＣチップのボンディング
法も従来のワイヤボンディング法から、マルチチップ化
や高密度実装に適したＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g）方式又はフリップチップ方式が採用されるようにな
ってきている。このような電子機器の高密度化に伴い、
セラミックス配線基板上に、線幅が１００μｍ以下の微
細配線や直径が１００μｍ以下のバンプなどの導体パタ
ーンを形成する技術が要求されるようになってきてい
る。以下、セラミックス基板上への配線パターンの形成
方法を例にとって説明する。

【０００３】従来からのセラミックス基板上への配線パ
ターンの形成方法は、薄膜法、メッキ法、厚膜法などに
大別される。

【０００４】前記薄膜法は、セラミックス基板に蒸着、
スパッタリング又はイオンプレーティングなどにより厚
さ数μｍオーダーの導体金属層を形成する方法であり、
この方法ではフォトレジストを用いたフォトリソグラフ
ィーの手法が利用できることから、精度の高い微細配線
を形成できるという利点を有している。他方、この方法
では形成された配線とセラミックス基板との密着性が低
い、工程数が他の方法と比較して多い、薄膜形成装置が
高価であるなどの問題点がある。

【０００５】また、メッキ法は溶液中で電気化学的手法
によりセラミックス基板に導体配線を形成する方法であ
るが、上記した薄膜法とほぼ同様の問題点がある。

【０００６】さらに前記厚膜法は、導体粒子を溶剤など
の液状成分を含有する有機ビヒクル中に分散させた導体
ペーストを用い、この導体ペーストをスキージにてメッ
シュスクリーンより吐出させることでセラミックス基板
上に所定パターンを印刷し、その後焼成することにより
セラミックス基板上に導体配線のパターンを形成する方
法である。前記厚膜法を適用して導体配線のパターンを
形成する場合、対象となる基板は必ずしも焼結体でなく
てもよく、グリーンシート上に導体ペーストのパターン
を形成した後、グリーンシートの焼成と導体ペーストの
焼き付けを同時に行ってもよい。

【０００７】前記厚膜法はセラミックス基板との充分な
密着強度を有する配線パターンを低コストで形成するこ
とができるという優れた利点を有する。またこの方法を
前記したグリーンシートを用いた配線パターンの形成方
法に適用した場合、印刷された前記導体ペースト中の液
状成分が短時間でグリーンシート内部にうまく吸収され
るため、配線の幅や配線間の距離が１５０μｍ以下の微
細な配線パターンを形成することもできる。しかしなが
ら、この方法を焼成済みのセラミックス基板に適用した
場合、液状成分は焼結体内部に吸収されないため、印刷
された導体ペースト中の液状成分が横方向に広がる、い
わゆる「にじみ」や「だれ」現象が発生し、配線の幅や
配線間の距離が１５０μｍ以下の配線パターンを設計通
り形成することができないという問題があった。

【０００８】そこで近年、パターンの形成には前記薄膜
法の特徴であるフォトレジストを用いたフォトリソグラ
フィーを導入し、導体層を形成する方法としては前記厚
膜法の特徴である導体ペーストを用いる方法が種々試み
られている。この方法では、まずガラス基板やセラミッ
クス基板の表面にフォトレジスト層を形成した後、フォ
トリソグラフィーにより前記フォトレジスト層に配線パ
ターン状に凹部（開口部）を形成し、次に、平板状のス
キージを使用して導体ペーストを該凹部に擦り込むこと
により充填し、導体パターンを形成する方法をとってい
る。この方法によりほぼ薄膜法と同等の精度を有する微
細配線パターンを形成することができる。

【０００９】前記工程の後、セラミックス基板上に導体
ペーストのパターンのみを残すため、前記フォトレジス
ト層自体を除去する必要がある。前記フォトレジストを
除去する方法としては、酸化性雰囲気中で前記フォトレ
ジストを燃焼させることにより除去する方法が一般的で
あるが、この場合Ｃｕなどを導体として使用すると酸化
して抵抗値が上がるなどの問題があり、Ａｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔなどの高価な貴金属のみしか導体として使用すること
ができなかった。そこで、酸化性雰囲気で前記フォトレ
ジスト層を分解、消失させた後、酸化した金属を還元す
る方法も提案されているが、工程数が増加するため、好
ましい方法とは言えなかった。

【００１０】しかし、特開平２−２４０９９６号公報で
提案されているように、フォトレジスト層の構成材料と
してポジ型フォトレジストを使用することにより、現像
液を用いた湿式プロセスにより前記フォトレジスト層を
溶解、除去することが可能となり、そのため前記フォト
レジスト層を除去した後、非酸化性雰囲気で焼成して導
体ペースト中の有機分を分解、消失させることもできる
ようになり、Ｃｕ、Ｍｏ−Ｍｎなどの易酸化性卑金属を
導体として使用した場合でも、導体自体を酸化させずに
配線パターンをセラミックス基板上に形成することが可
能となった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】前記特開平２−２４０
９９６号公報で提案されている方法では、導体ペースト
中にＣｕ、Ｍｏ−Ｍｎなどの導体成分が含まれる他、前
記導体成分同士をより強固に結合させると同時に、前記
導体成分をセラミックス基板に接着させるための粉末
（以下、結合粉末と記す）も含まれている。該結合粉末
は、ガラス、セラミックスなどの金属酸化物又は窒化物
系の無機物質から構成されている場合が多い。例えば、
Ｍｏ導体ペーストには、結合粉末としてＭｎ金属粉末が
含まれており、該Ｍｎ金属粉末は焼成時に酸化されてセ
ラミックス基板に一部溶け込み、前記Ｍｏ金属の焼結層
とセラミックス基板とを接着させる。

【００１２】一般的に、結合粉末は焼成時に軟化、流動
し、導体成分及びセラミックス基板の両方に融着するこ
とで、導体成分とセラミックス基板とを接着する。しか
し、前記結合粉末は焼成時に前記のような挙動を示す結
果、焼成前に導体の表層部に存在していた結合粉末が焼
成時にセラミックス基板の表面方向に移動し、導体表面
の平滑性が低下するという課題があった。また、逆に焼
成後に前記結合粉末の溶融物が導体表層に余り多く存在
すると、導体のメッキ付き性やハンダ濡れ性が低下する
という課題があった。

【００１３】さらに、前記フォトレジスト層の凹部に前
記導体ペーストを充填した後に乾燥させると、前記導体
ペーストに含まれる溶剤成分が揮発して前記導体ペース
トが収縮するが、この乾燥途中において導体ペーストに
含まれる前記溶剤成分に起因する表面張力により、導体
ペーストの乾燥後には上面の中央部分が陥没し、導体ペ
ースト層の断面形状がＭ字型になる。このため、焼成後
の導体パターンの断面形状も中央部分が陥没したＭ字型
のものになり、例えば前記導体パターンにＴＡＢのリー
ド線を接合しようとしても、その接合が不良になり易い
という課題があった。

【００１４】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、精密かつ微細で、セラミックス基板に対して
大きな接着強度を有すると同時に、その上面が平坦で、
ハンダ濡れ性、メッキ付き性の良好な導体パターンをセ
ラミックス基板上に形成することができる導体パターン
の形成方法を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る導体パターンの形成方法は、セラミック
ス基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト
層形成工程と、該フォトレジスト層に導体パターン状に
凹部を形成する凹部形成工程と、該凹部に導体ペースト
を充填する導体ペースト充填工程と、前記凹部に充填さ
れた前記導体ペーストを乾燥させ、該導体ペースト中の
固体成分を前記セラミックス基板に接着させる接着工程
と、該接着工程での導体ペーストの収縮により形成され
た凹部に再度導体ペーストを充填する導体ペースト再充
填工程と、前記フォトレジスト層に現像処理を施して前
記フォトレジスト層を溶解、消失させるフォトレジスト
層消失工程と、焼成により前記導体ペースト中の固体成
分を前記セラミックス基板に焼き付ける焼付工程とを含
むことを特徴としている（１）。

【００１６】また、本発明に係る導体パターンの形成方
法は、導体ペースト充填工程と、導体ペースト再充填工
程とで用いる導体ペーストの種類が異なることを特徴と
している（２）。

【００１７】さらに、本発明に係る導体パターンの形成
方法は、導体ペースト再充填工程で用いる導体ペースト
中の導体成分の含有量が、導体ペースト充填工程で用い
る導体ペースト中の導体成分の含有量よりも多いことを
特徴としている（３）。

【００１８】本発明に係る導体パターンの形成方法につ
いて、以下詳細に説明する。本発明に係る導体パターン
の形成方法においては、フォトレジスト層形成工程とし
て、まずセラミックス基板上にフォトレジスト層を形成
する。

【００１９】本発明に使用するセラミックス基板は、配
線基板として使用することができるものであれば特に限
定されず、その具体例としては、例えばセラミックス基
板として通常使用されるアルミナセラミックス基板、ム
ライトセラミックス基板、ガラスセラミックス基板、窒
化アルミニウムセラミックス基板などが挙げられる。前
記セラミックス基板は、その内部に配線などが形成され
た基板であってもよい。

【００２０】また、本発明に使用するフォトレジストと
しては、ネガ型のものでも、ポジ型のものでも使用する
ことができる。

【００２１】液状のポジ型フォトレジストを用いる場合
は、まず液状のポジ型フォトレジストを、例えばロール
コーター法、バーコーター法、ディップ法、ホイラー法
（スピンナー法）などの方法により前記セラミックス基
板表面に塗布した後、前記セラミックス基板をオーブン
に入れて約８７〜９０℃で３０〜４０分程度加熱し、フ
ォトレジストを乾燥、固化させる。前記液状のポジ型フ
ォトレジストとしては、例えばヘキストジャパン社製の
ＡＺ４９０３、ＡＺ４６２０／Ａ、東京応化工業社製の
ＯＰレジスト、東京エレクトロン社製のアキュトレー
ス、日本チバガイギー社製のプロビマーなどが挙げられ
る。またポジ型フォトレジスト層は、例えばフェノール
ノボラック樹脂とキノンジアミドとの混合物、ポリメチ
ルイソプロペニルケトンと安息香酸誘導体との混合物等
から構成される。

【００２２】形成するポジ型フォトレジスト層の厚みは
１０〜５０μｍが好ましい。前記ポジ型フォトレジスト
層の厚みが１０μｍ未満であるか、又は５０μｍを超え
ると、後工程において前記ポジ型フォトレジスト層に形
成された凹部に導体ペーストを完全に充填することが困
難になる。なお、前記液状フォトレジストを用い、１０
μｍから５０μｍのポジ型フォトレジスト層を前記セラ
ミックス基板上に均一に形成するには、前記塗布方法の
うち、ロールコーター法又はバーコーター法がより好ま
しい。液状のポジ型フォトレジストを使用することによ
り、セラミックス基板上に形成されたフォトレジスト層
はセラミックス基板の凹凸に余り影響されず、平坦性の
高いフォトレジスト層となる。

【００２３】ネガ型フォトレジストを用いる場合も、液
状のネガ型フォトレジストを用い、前記ポジ型フォトレ
ジストの場合と同様の方法によりフォトレジスト層を形
成することができる。前記ネガ型フォトレジストとして
は、例えば東京応化工業社製のＰＭＥＲ−Ｎ−ＨＣ６０
０、ＰＭＥＲ−Ｎ−Ｄ４０Ｐ、ＰＭＥＲ−Ｎ−ＨＣ４
０、ＢＭＲ−Ｓ−１０００などが挙げられる。

【００２４】またネガ型又はポジ型のドライフィルムレ
ジストを用い、セラミックス基板上に前記ドライフィル
ムレジスト膜を接着してもよい。接着の方法は、前記ド
ライフィルムレジスト膜を１００℃前後に加熱し、熱圧
着させる方法が簡単で好ましい。前記ドライフィルムレ
ジスト膜の厚さは、液状のフォトレジストを用いて形成
する場合と同様の厚さでよい。

【００２５】ドライフィルムレジスト膜としては、例え
ばデュポン社製のリストン４７１３、４７３３、日立化
成工業（株）製のフォテック、三菱レイヨン（株）製の
ダイヤロン等のような、一般に市販されているネガ型の
ドライフィルムレジスト膜が挙げられる。

【００２６】前記ネガ型フォトレジスト層は、例えば環
化ポリイソプレンゴムとビスアジド化合物、ポリメチル
イソプロペニルケトンとビスアジド化合物との混合物、
ポリビニールフェノールとビスアジド化合物との混合
物、フェノールノボラック樹脂とビスアジド化合物との
混合物等から構成される。

【００２７】前記フォトレジストの中では、優れた解像
度を有すること、現像工程において膨潤がないこと、基
板との密着性に優れることなどから、液状のポジ型フォ
トレジストを用いることが好ましい。

【００２８】前記工程によりセラミックス基板上に形成
された前記フォトレジスト層に前記凹部を形成する方法
としては、フォトリソグラフィーの手法を用いる方法と
レーザ光の照射によりフォトレジスト層を分解、消失さ
せる方法とがあり、その後に不要となったフォトレジス
ト層を消失させる工程も使用するフォトレジストの種類
により異なってくる。

【００２９】従って、それぞれの場合に分け、フォトレ
ジスト層に凹部を形成する工程（凹部形成工程）、該凹
部に前記導体ペーストを充填する工程（導体ペースト充
填工程）、前記凹部に充填された前記導体ペーストを乾
燥させ、該導体ペースト中の固体成分を前記セラミック
ス基板に接着させる工程（接着工程）、該接着工程での
導体ペーストの収縮により形成された凹部に再度導体ペ
ーストを充填する工程（導体ペースト再充填工程）、残
存した前記フォトレジスト層を消失させる工程（フォト
レジスト層消失工程）などの工程を説明することにす
る。

【００３０】まず第１番目の方法として、フォトレジス
トとしてポジ型フォトレジストを用い、フォトリソグラ
フィーの手法により前記ポジ型フォトレジスト層に凹部
を形成する方法について説明する。この場合には、凹部
形成工程として、前記ポジ型フォトレジスト層に所定の
導体パターン状に紫外線が露光されるように設計された
フォトマスクを介して紫外線を照射し、その後現像処理
を施すことにより、セラミックス基板上に導体パターン
状の凹部を形成する。

【００３１】前記紫外線などによる露光処理の条件は特
に限定されないが、露光量は通常７００〜８００ｍＪ／
ｃｍ² が好ましい。前記露光量が７００ｍＪ／ｃｍ² 未
満であると現像により前記セラミックス基板の表面まで
達する凹部を完全に形成することが難しく、他方前記露
光量が８００ｍＪ／ｃｍ² を超えるとオーバー露光とな
り、凹部の断面形状が逆台形になってしまう。

【００３２】前記現像処理条件も特に限定されるもので
はなく、通常行われるスプレー法又は浸漬揺動法などに
より現像処理を施すことができる。

【００３３】上記方法によりポジ型フォトレジスト層
に、その幅又は直径が２０μｍ程度以上で、お互いの間
隔が２０μｍ程度まで近づいた凹部を形成することがで
きる。

【００３４】この後、後工程で導体ペーストを充填する
際に前記ポジ型フォトレジスト層の前記凹部が変形しな
いように、前記ポジ型フォトレジスト層を約８７〜９０
℃で３０〜４０分程度加熱処理することが好ましい。

【００３５】次に、全面露光処理工程として、前記凹部
が形成された前記ポジ型フォトレジスト層全面に紫外線
を照射する。

【００３６】ポジ型フォトレジスト層に全面露光処理を
施す目的は、後工程で現像処理を施すことにより、この
ポジ型フォトレジスト層を溶解、消失させ、導体ペース
トの乾燥体のみをセラミックス基板上に残すためであ
る。この露光処理の際の露光量は、前記ポジ型フォトレ
ジスト層に凹部を形成した場合と同様の量でよい。ま
た、前記全面露光処理工程は、後述する導体ペースト充
填工程の後、フォトレジスト層消失工程の前であれば、
どの工程の間に行ってもよい。

【００３７】次に、第１回目の導体ペースト充填工程と
して、導体パターン状に形成された前記凹部に導体ペー
ストを充填する。

【００３８】本発明では、前述したようにこの第１回目
の導体ペースト充填工程及び接着工程の後に、再度、導
体ペースト再充填工程を行うが、これは、第１回目の導
体ペースト充填工程及び接着工程の後に、前記導体ペー
ストに含まれる溶剤成分が揮発して前記導体ペーストが
収縮し、乾燥途中において導体ペースト中の前記溶剤成
分に起因する表面張力により導体ペースト乾燥体の上面
中央部分が陥没し、へこみ部が形成されるため、このへ
こみ部に導体ペーストを充填することにより、焼成後の
導体パターンの上面を平坦にし、メッキ付き性やハンダ
濡れ性を改良するために行うものである。

【００３９】このため、第１回目の導体ペースト充填工
程で使用する導体ペースト（以下、下層用導体ペースト
と記す）と、導体ペースト再充填工程で使用する導体ペ
ースト（以下、上層用導体ペーストと記す）とは、その
組成が異なるものを使用するのが好ましい。

【００４０】まず、下層用導体ペーストについて説明す
る。この導体ペーストは、導体粉末、結合粉末、溶剤、
及び樹脂（バインダ）より構成される。前記導体粉末用
の材料としては、通常基板等の配線に使用される公知の
導体材料を使用することができ、その具体例としては、
例えばＷ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｐｄなどが挙げられる。

【００４１】前記結合粉末用の材料としては、前記導体
材料と前記セラミックス基板との接着に使用される公知
のものを使用することができ、その具体例としては、軟
化点が約８００℃以下の低軟化点ガラス、軟化点が８０
０〜１２００℃の中軟化点ガラス、軟化点が１２００℃
以上の高軟化点ガラスなどのガラス、アルミナ、シリ
カ、マグネシア、チタニアなどのセラミックス、窒化チ
タンなどの窒化物などが挙げられる。前記導体粉末と前
記結合粉末の組み合わせの例としては、例えばＡｕ、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどの焼成温度が１０００℃以下
の導体粉末と、ＰｂＯ−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ 系ガラスに
各種金属酸化物を溶解させた軟化点が約８００℃以下の
低軟化点ガラスとの組み合わせ、Ｎｉ、Ｐｄなどの焼成
温度が約１０００〜１４００℃の導体粉末と軟化点が８
００〜１２００℃の中軟化点ガラスもしくは金属酸化物
との組み合わせ、Ｗ、Ｍｏなどの焼成温度が１４００℃
以上の導体粉末とアルミナ、シリカ、マグネシア、チタ
ニアなどのセラミックス粉末もしくは高軟化点ガラスと
の組み合わせなどがあげられる。また、導体粉末がＭｏ
粉末の場合、結合粉末としてＭｎが使用される。このＭ
ｎ粉末は、前述したように焼成途中で酸化され、結合粉
末としての役割を果たす。

【００４２】前記導体ペースト用の溶剤は、前記ポジ型
フォトレジスト層を溶解しないものを用いる必要があ
る。これは、前記ポジ型フォトレジスト層を溶解する溶
剤を用いて導体ペーストを調製した場合、前記ポジ型フ
ォトレジスト層の凹部に前記導体ペーストを充填する
と、前記ポジ型フォトレジスト層が前記溶剤に溶解し、
凹部の形状が崩れるためである。前記ポジ型フォトレジ
スト層を溶解しない溶剤としては、例えばトルエン、キ
シレン、ショウノウ油、テレビン油、パイン油、フェニ
ルシクロヘキサン、ドデシルベンゼンなど、誘電率の低
い炭化水素系溶剤が挙げられる。

【００４３】また、前記導体ペースト用のバインダー
も、後工程で用いられる現像液に溶解しないものである
必要がある。これは、前記ポジ型フォトレジスト層に形
成された凹部に前記導体ペーストを充填した後、このポ
ジ型フォトレジスト層を現像液に接触させて溶解、消失
させる工程において、前記導体ペーストが前記現像液に
溶解しないようにするためである。現像液は通常水溶液
であるので、前記導体ペーストに用いられる樹脂は非水
溶性の樹脂である必要がある。前記樹脂の具体例として
は、例えばエチルセルロース、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂などが挙げられる。前記導体ペーストの調製は３
本ロールを使用する方法など、公知の調製方法を用いて
調製することができる。

【００４４】本発明では、前述したようにこの第１回目
の導体ペースト充填工程及び接着工程の後に、再度、導
体ペースト再充填工程を行うので、下層用導体ペースト
は乾燥によりかなりの程度収縮しても問題ない。逆に、
下層用導体ペーストが収縮することにより生じた凹部に
ある程度上層用導体ペーストを充填することができるよ
う、下層用導体ペーストは、乾燥により一定以上の収縮
を生じた方が好ましい。

【００４５】以上の理由から下層用導体ペーストとして
は、通常の導体ペーストよりも溶剤量の多いものが好ま
しく、その組成は前記導体粉末が１０〜８２ｗｔ％、前
記結合粉末が２〜８４ｗｔ％、前記アクリル樹脂などの
樹脂（バインダ）が２〜５ｗｔ％、トルエンなどの溶剤
が１２〜２６ｗｔ％の範囲が好ましい。

【００４６】上記組成の下層用導体ペーストをポジ型フ
ォトレジスト層の凹部に充填するには、フッ素樹脂製又
はゴム製のスキージを用い、導体ペーストを凹部に直接
擦り込む方法をとるのが好ましい。

【００４７】この場合、前記凹部以外のポジ型フォトレ
ジスト層の表面に導体ペーストが多少残存する場合もあ
るが、導体ペーストが付着していないスキージを用いて
掻き取ることにより殆ど除去することができ、前記ポジ
型フォトレジスト層が傷つくこともない。さらに、前記
操作によっても除去できない極薄い導体ペーストの層が
存在する場合は、導体ペーストを乾燥させた後、ラッピ
ングフィルム（砥粒として粒径１μｍのアルミナが被着
しているもの）を用いて研磨することにより除去するこ
とができる。

【００４８】導体ペーストを充填した後は、接着工程と
して、前記工程を経たセラミックス基板に加熱処理を施
し、前記導体ペースト中の溶剤などを揮発させると同時
に、前記導体ペーストの乾燥体を前記セラミックス基板
に接着させる。加熱処理は、約８７〜９０℃で１０〜２
０分程度行うのが好ましい。この接着工程により導体ペ
ースト中の溶剤が揮発し、この導体ペーストが収縮し
（以下、この乾燥により形成された層を下層導体ペース
ト乾燥体と記す）、フォトレジスト層中に導体パターン
状の凹部が再び形成される。前記凹部の深さは、通常７
〜１５μｍである。

【００４９】そこで、導体ペースト再充填工程として、
前記接着工程での導体ペーストの収縮により形成された
凹部に再度上層用導体ペーストを充填する。

【００５０】この上層用導体ペーストは、下層用導体ペ
ーストよりも導体粉末の含有量が多いものが好ましく、
その組成としては、前記導体粉末が８２〜９６ｗｔ％、
前記結合粉末が０〜５ｗｔ％、前記アクリル樹脂などの
樹脂（バインダ）が２〜６ｗｔ％、トルエンなどの溶剤
が２〜１６ｗｔ％の範囲が好ましい。

【００５１】上層用導体ペーストの塗布及び乾燥は、上
記した第１回目の導体ペースト充填工程と同様に行えば
よい。

【００５２】次に、ポジ型フォトレジスト層の消失工程
として、前記導体ペーストが充填されたポジ型フォトレ
ジスト層をＮａ₂ ＣＯ₃ を０．５〜１ｗｔ％含有する水
溶液（現像液）で処理して溶解し、前記ポジ型フォトレ
ジスト層を消失させる。現像処理の条件は、上記したポ
ジ型フォトレジスト層に凹部を形成した際の条件と同様
の条件でよい。前記ポジ型フォトレジスト層には予め全
面露光処理が施されているので、前記現像処理により溶
解、消失する。

【００５３】なお、前記のフォトレジスト層消失工程で
は、上記したようにＮａ₂ ＣＯ₃ を０．５〜１ｗｔ％含
有する水溶液を現像液として使用しているが、さらにア
ルカリ濃度の高い水溶液（例えば、ＮａＯＨを１〜５ｗ
ｔ％含有する水溶液）を使用すれば、前記ポジ型フォト
レジスト層に予め全面露光処理を施さなくとも簡単に消
失させることができ、導体パターンの形成工程をより簡
略化できる。

【００５４】前記した諸工程を経ることにより、セラミ
ックス基板上に導体ペーストの乾燥体からなる導体パタ
ーンのみが残存し、これを焼成することにより、前記導
体ペースト中の有機分が分解、消失し、前記導体ペース
トに含まれている導体粉末及び結合粉末が焼結し、セラ
ミックス基板上に所定の導体パターンが形成される。な
お、結合粉末は焼結するのみでなく、溶融、流動し、前
記導体粉末をセラミックス基板に接着させる働きをす
る。焼成条件は、含まれている導体粉末や結合粉末の種
類により異なるが、金属導体が焼結すると同時に、結合
粉末の作用によりセラミックス基板にしっかり接着する
温度条件が好ましい。

【００５５】前記導体パターンには、適宜Ｎｉメッキや
Ａｕメッキを施してもよく、またＣｒやＣｕなどを蒸着
させてもよい。

【００５６】次に、第２番目の方法として、フォトレジ
ストとしてネガ型フォトレジストを用い、フォトリソグ
ラフィーの手法を用いて前記ネガ型フォトレジストに凹
部を形成する方法について説明する。

【００５７】まず、ネガ型フォトレジスト層に露光処理
及び現像処理を施し、前記ネガ型フォトレジスト層に凹
部を形成する。この場合、導体パターン以外の部分が露
光されるように設計されたフォトマスクを用いて露光処
理を施す以外は、ほぼ前記した第１番目の方法と同様の
方法を用いることができる。この時の露光量は２０〜４
０ｍＪ／ｃｍ² 程度が好ましい。

【００５８】次に、前記凹部に下層用導体ペーストを充
填するが、この下層用導体ペーストの充填も前記した第
１番目の方法と同様の方法及び条件で行うことができ
る。この後、加熱により下層用導体ペーストを乾燥さ
せ、セラミックス基板に接着させ、上層用導体ペースト
を前記下層用導体ペーストの収縮により形成された凹部
に充填し、乾燥させる点も同様である。なお、ネガ型フ
ォトレジストの場合は、前記ネガ型フォトレジスト層に
前記凹部を形成する工程における露光処理により前記凹
部以外の部分が硬化し、現像処理によって前記ネガ型フ
ォトレジスト層を消失させることができない。従って、
前記ネガ型フォトレジスト層への全面露光処理は行わ
ず、酸化性雰囲気下での熱処理により前記ネガ型フォト
レジスト層を分解、消失させる。

【００５９】前記熱処理温度は６００〜９００℃程度が
好ましい。なお、Ｗなどの比較的酸化しにくい金属導体
を使用した場合には、前記熱処理を行っても金属は酸化
されないので、その後還元性雰囲気中で焼成することに
より焼結させ、セラミックス基板への接着を行うことが
できる。しかし、銅などの酸化されやすい金属を使用し
た場合は、前記熱処理により銅粉末などの金属粉末が酸
化されるので、酸化された金属を還元するために還元性
雰囲気で熱処理を行う必要がある。この場合、金属の還
元と焼成とを同時に行うこともできる。

【００６０】なお、このようなネガ型フォトレジストを
使用した場合でも、アルカリ濃度の高い水溶液（例え
ば、ＮａＯＨを１〜５ｗｔ％含有する水溶液）を使用し
て前記ネガ型フォトレジストと接触させれば、前記ネガ
型フォトレジストの焼成を行うことなく、前記ネガ型フ
ォトレジスト層を簡単に消失させることができ、工程を
より簡略化できる。

【００６１】次に、第３番目の方法として、フォトレジ
ストとしてポジ型フォトレジストを用い、レーザ光を照
射することにより分解、消失させて、前記ポジ型フォト
レジスト層に凹部を形成する方法について説明する。

【００６２】前工程で形成されたポジ型フォトレジスト
層へのレーザ光の照射は、照射により形成される凹部が
導体層パターンになるようにポジ型フォトレジスト層の
表面を走査することにより行う。このとき、レーザ光の
強度を一定の範囲に設定することにより、セラミックス
基板を傷つけることなく、照射した範囲のフォトレジス
ト層のみを完全に分解、消失させることができる。

【００６３】このときのレーザ光の照射条件は、フォト
レジスト層の種類、材質、厚さ、セラミックス基板の種
類などにより異なるが、例えばアルミナ基板上に２５μ
ｍの厚さのポジ型フォトレジスト層を形成する場合、レ
ーザ光の照射強度は０．５〜２Ｊ／ｃｍ² 程度が好まし
く、またその走査速度は１〜１０ｃｍ／ｓｅｃ程度が好
ましい。一方、エキシマレーザのエネルギーはレーザの
機種、使用するガスに依存するが、ほぼ１００〜３００
ｍＪ／ｃｍ² の範囲内にあり、必要とされる照射強度に
比べて低い。従って、照射強度を０．５〜２Ｊ／ｃｍ²
に高めるために、レーザ光を実際に加工したいパターン
の数倍の大きさのフォトマスクを通過させ、レンズ系で
サンプル上へ縮小投射する方法をとることができる。

【００６４】なお、レーザ光を照射した際に加工周辺に
炭素が付着することがあるが、これはトルエン、キシレ
ンなどの溶剤でふきとったり、前記溶剤を用いて超音波
洗浄すれば良い。トルエン、キシレンはフォトレジスト
を溶解することはないので、加工部の形状が崩れること
はない。

【００６５】用いるレーザは、上記した条件を満足する
ものであれば特に限定されないが、その具体例として
は、例えばエキシマレーザ、ＹＡＧレーザなどが挙げら
れ、これらの中ではエキシマレーザが好ましい。

【００６６】このようにレーザを使用した場合において
も、その幅が１０μｍ以上で、凹部同士の間隔が１５μ
ｍ程度まで近づいた凹部をフォトレジスト層に形成する
ことができる。形成される導体パターンもほぼ同様の精
度となる。

【００６７】この後、前記ポジ型フォトレジスト層に紫
外線による全面露光処理を施すことにより、後工程での
現像処理により前記ポジ型フォトレジストを溶解、除去
することが可能となる。前記全面露光処理は、この工程
の後であって現像処理によるポジ型フォトレジスト層の
消失工程の前であれば、どの工程の間で行ってもよい。

【００６８】次に、前記した第１番目の方法と同様に、
導体ペースト充填工程、接着工程、導体ペースト再充填
工程、フォトレジスト層消失工程などの工程を行い、そ
の後前記工程を経たセラミックス基板を還元性雰囲気下
で焼成することにより、セラミックス基板上に導体パタ
ーンを形成することができる。

【００６９】次に、第４番目の方法として、フォトレジ
ストとしてネガ型フォトレジストを用い、レーザ光を照
射することにより分解、消失させて、前記ネガ型フォト
レジスト層に凹部を形成する方法について説明する。

【００７０】この場合、凹部が形成されたネガ型フォト
レジスト層には全面露光処理を施す必要がない点で、そ
の必要があったポジ型フォトレジストの場合（第３番目
の方法）と異なるが、その他の工程はほぼ同様であるの
で、ここでは詳しい説明は省略する。

【００７１】以上説明してきたように、上記した導体パ
ターンの形成方法を用いることにより、セラミックス基
板上に所定パターンの配線を形成することができる他、
フリップチップ方式によって集積回路などを実装する場
合などに、接続用のパッドとして用いられるバンプをセ
ラミックス基板上に形成することができる。また、配線
と接続用パッドを同一基板上に同時に形成することも可
能である。

【００７２】

【作用】上記した構成の導体パターンの形成方法（１）
によれば、セラミックス基板上にフォトレジスト層を形
成するフォトレジスト層形成工程と、該フォトレジスト
層に導体パターン状に凹部を形成する凹部形成工程と、
該凹部に導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程
と、前記凹部に充填された前記導体ペーストを乾燥さ
せ、該導体ペースト中の固体成分を前記セラミックス基
板に接着させる接着工程と、該接着工程での導体ペース
トの収縮により形成された凹部に再度導体ペーストを充
填する導体ペースト再充填工程と、前記フォトレジスト
層に現像処理を施して前記フォトレジスト層を溶解、消
失させるフォトレジスト層消失工程と、焼成により前記
導体ペースト中の固体成分を前記セラミックス基板に焼
き付ける焼付工程とを含むので、前記フォトレジスト層
形成工程及び前記凹部形成工程によりフォトレジスト層
に精密かつ微細な導体パターン状の凹部が形成され、前
記導体ペースト充填工程、前記接着工程、及び前記導体
ペースト再充填工程によりフォトレジスト層表面と比較
して導体ペースト充填部分に陥没がない導体ペースト充
填層が形成され、前記フォトレジスト層消失工程及び焼
付工程により、精密かつ微細であり、またその上面が平
坦なためＴＡＢリードなどの配線との接続が良好な導体
パターンがセラミックス基板上に形成される。

【００７３】また、上記構成の導体パターンの形成方法
（２）によれば、導体ペースト充填工程と、導体ペース
ト再充填工程とで用いる導体ペーストの種類が異なるの
で、前記（１）に記載した特性に加え、さらに平坦性に
優れた導体パターンがセラミックス基板上に形成され
る。

【００７４】さらに、上記構成の導体パターンの形成方
法（３）によれば、導体ペースト再充填工程で用いる導
体ペースト中の導体成分の含有量が、導体ペースト充填
工程で用いる導体ペースト中の導体成分の含有量よりも
多いので、前記（１）及び（２）に記載した特性に加
え、セラミックス基板に対して大きな接着強度を有する
と同時に、上層において導体粉末含有量が多く、ハンダ
濡れ性、メッキ付き性により優れた導体パターンがセラ
ミックス基板上に形成される。

【００７５】

【実施例】以下、本発明に係る導体パターン形成方法の
実施例及び比較例を図面に基づいて説明する。

【００７６】［実施例１］図１（ａ）〜（ｉ）は、実施
例に係る導体パターンの形成方法における各工程を模式
的に示した断面図である。

【００７７】まず、アルミナ製のセラミックス基板１１
の全面に液状のポジ型フォトレジスト（ヘキストジャパ
ン社製 ＡＺ４９０３）をバーコーターにて塗布し、こ
のポジ型フォトレジストが塗布されたセラミックス基板
１１を、プリベーク処理として、９０℃に保ったオーブ
ン中に入れて３０分間乾燥させ、ポジ型のフォトレジス
ト層１２を形成した（図１（ａ））。乾燥後のフォトレ
ジスト層１２の膜厚は２５μｍであった。

【００７８】次に、配線ルールが線幅７５μｍ、線間２
５μｍである所定の配線パターン状及び直径２ｍｍのピ
ン付けパッドパターン状に紫外線が露光されるように設
計されたフォトマスク１３を介し、フォトレジスト層１
２に露光量が７００ｍＪ／ｃｍ² になるように紫外線１
４による露光処理を施した（図１（ｂ））。

【００７９】次に、現像液（ヘキストジャパン社製のＡ
Ｚ４００Ｋと水とを１：４の割合で混合した溶液）に前
記工程を経たセラミックス基板１１を浸漬し、浸漬揺動
法により現像処理を施して、導体パターン状の凹部１５
をフォトレジスト層１２に形成した（図１（ｃ））。

【００８０】次に、前記工程を経たセラミックス基板１
１をオーブンに入れ、ポストべーク処理として、９０℃
で４０分間熱処理を施して溶剤を揮発させた。

【００８１】次に、テフロン製のスキージ１７（サイ
ズ：縦５０ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ３ｍｍ）を用い、
凹部１５に下層用導体ペースト１６を擦り込むようにし
て充填した（図１（ｄ））。スキージ移動速度は２．５
ｍｍ／秒に設定した。なお、下層用導体ペースト１６
は、モリブデン粉末（平均粒径１．５μｍ）：７５重量
部、マンガン粉末（平均粒径２μｍ）：２０重量部、及
びシリカ粉末（平均粒径５μｍ）：５重量部からなる原
料粉末８０ｗｔ％、メタクリル樹脂４ｗｔ％、及びフェ
ニルシクロヘキサン１６ｗｔ％から構成した。

【００８２】その後、前記工程を経たセラミックス基板
１１をオーブンに入れ、ペースト乾燥処理として、９０
℃で１０分間熱処理を施し、溶剤を揮発させるととも
に、下層用導体ペースト１６中の樹脂分をセラミックス
基板１１に接着させた。その後、ラッピングフィルム
（砥粒として粒径１μｍのアルミナが被着しているも
の）を用いてフォトレジスト層１２の表面を約１０秒間
研磨し、余剰の下層用導体ペースト１６（厚み２μｍ）
を除去した。この工程の後、東京精密社製のｓｕｒｆｃ
ｏｍ １１２Ｂを用いて下層用導体ペースト１６の乾燥
により陥没した部分の深さを測定したところ、１０μｍ
の深さの凹部１５’が下層用導体ペースト乾燥体１６’
の上方に形成されていた（図１（ｅ））。

【００８３】次に、前記した下層用導体ペースト１６の
充填方法と同様の方法で上層用導体ペースト１８を凹部
１５’に充填し、同様に乾燥、研磨した（図１
（ｆ））。上層用導体ペースト１８はモリブデン粉末
（平均粒径１．５μｍ）９０ｗｔ％、メタクリル樹脂４
ｗｔ％、及びフェニルシクロヘキサン６ｗｔ％から構成
していた。この工程の後、導体ペースト充填部分の陥没
は観察されなかった。

【００８４】次に、このようにして凹部１５に下層用導
体ペースト乾燥体１６’及び上層用導体ペースト乾燥体
１８’が充填されたフォトレジスト層１２に、露光量が
７００ｍＪ／ｃｍ² となるように紫外線１４による全面
露光処理を施した（図１（ｇ））。

【００８５】次に、前記工程を経たセラミックス基板１
１を、凹部１５を形成する際に用いた現像液と同様の現
像液に浸漬し、同様に現像処理を施して、ポジ型フォト
レジスト層１２を消失させ、セラミックス基板１１上に
下層用導体ペースト乾燥体１６’及び上層用導体ペース
ト乾燥体１８’のみを残した。（図１（ｈ））。

【００８６】次に、前記工程を経たセラミックス基板１
１を、微量水蒸気を含有する窒素−水素混合ガス雰囲気
中、１５００℃で焼成することにより、下層用導体ペー
スト乾燥体１６’及び上層用導体ペースト乾燥体１８’
中の樹脂分を分解、消失させると共に、導体粉末などの
焼結とセラミックス基板１１への接着を行い、導体パタ
ーン１９を形成した（図１（ｉ））。

【００８７】最後に、Ｎｉ、Ａｕの電解メッキをＮｉメ
ッキ層２．５μｍ、Ａｕメッキ層２．５μｍとなるよう
に行い、厚膜導体配線パターンの形成を完了した。

【００８８】前記方法により形成された厚膜導体配線パ
ターンを、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したとこ
ろ、メッキ付け不良部は皆無であり、前記厚膜導体配線
上に均一にメッキ層が形成されていることが確認され
た。

【００８９】さらに、最終的に形成した厚膜導体配線の
断面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて調査したと
ころ、断面形状は上面がほぼ平坦な矩形であり、配線表
面の平滑性は±０．５μｍであった。また、直径２ｍｍ
のパッド部に直径１ｍｍの銅線をハンダ付けし、該銅線
を垂直上方に引っ張ることで配線パターンの接着強度を
測定したところ、３．１ｋｇｆ／ｍｍ² と充分に大きい
が得られた。

【００９０】［実施例２］下層用導体ペースト１６とし
て、マンガン粉末（平均粒径２μｍ）：６０重量部、シ
リカ粉末（平均粒径５μｍ）：４０重量部、及びチタニ
ア粉末（平均粒径０．５μｍ）：４０重量部からなる原
料粉末８０ｗｔ％、メタクリル樹脂４ｗｔ％、及びフェ
ニルシクロヘキサン１６ｗｔ％から構成したものを用い
た以外は実施例１と同様の条件で導体パターン１９を形
成し、メッキ処理を施した。形成された厚膜導体配線に
つき実施例１と同様の検査を行ったところ、メッキ付け
不良部は皆無であり、断面形状は上面がほぼ平坦な矩形
であり、配線表面の平滑性は±０．５μｍ、接着強度は
３．２ｋｇｆ／ｍｍ² と充分に大きいが得られた。

【００９１】［実施例３］下層用導体ペースト１６とし
て、マンガン粉末（平均粒径２μｍ）：６０重量部、シ
リカ粉末（平均粒径５μｍ）：４０重量部、及びアルミ
ナ粉末（平均粒径２μｍ）：４０重量部からなる原料粉
末８０ｗｔ％、メタクリル樹脂４ｗｔ％、及びフェニル
シクロヘキサン１６ｗｔ％から構成しものを用い、さら
に、上層用導体ペースト１８として、モリブデン粉末
（平均粒径１．５μｍ）：９５重量部、及びマンガン粉
末（平均粒径２μｍ）：５重量部からなる原料粉末９０
ｗｔ％、メタクリル樹脂４ｗｔ％、及びフェニルシクロ
ヘキサン６ｗｔ％から構成したものを用いた以外は実施
例１と同様の条件で導体パターン１９を形成し、メッキ
処理を施した。

【００９２】形成された厚膜導体配線につき実施例１と
同様の検査を行ったところ、メッキ付け不良部は皆無で
あり、断面形状は上面がほぼ平坦な矩形であり、配線表
面の平滑性は±０．８μｍ、接着強度は３．３ｋｇｆ／
ｍｍ² と充分に大きいが得られた。

【００９３】［実施例４］セラミックス基板１１として
ガラスセラミックス基板（（株）住友金属セラミックス
社製 商品名ＬＦＣ基板）を、下層用導体ペースト１６
として、銅粉末（平均粒径２μｍ）８０重量部、及びCd
O-PbO-B₂O₃-SiO₂ 系ガラス粉末（平均粒径３μｍ、軟化
点５００℃）２０重量部からなる原料粉末８３ｗｔ％、
メタクリル樹脂３ｗｔ％、及びフェニルシクロヘキサン
１４ｗｔ％から構成したものを、さらに上層用導体ペー
スト１８として、銅粉末（平均粒径２μｍ）８５ｗｔ
％、メタクリル樹脂４ｗｔ％、及びフェニルシクロヘキ
サン１１ｗｔ％から構成したものをそれぞれ用い、さら
に、焼成条件として窒素雰囲気下に最高温度７５０℃で
１０分間熱処理を施し、メッキ処理は施さなかった以外
は実施例１と同様にして銅からなる導体パターン１９を
形成した。

【００９４】この銅からなる導体パターン１９の直径２
ｍｍのパッド部をハンダ浴槽（Ｓｎ−Ｐｂ共晶ハンダ、
浴温２３０℃）に浸漬してハンダ濡れ性を目視にて調査
したところ、ハンダ濡れ不良部は皆無であった。また、
断面形状は上面がほぼ平坦な矩形であり、配線表面の平
滑性は±０．８μｍ、接着強度は２．１ｋｇｆ／ｍｍ²
と充分に大きいが得られた。

【００９５】［実施例５］セラミックス基板１１として
ガラスセラミックス基板（（株）住友金属セラミックス
社製 商品名ＬＦＣ基板）を、下層用導体ペースト１６
として、Ａｇ粉末（平均粒径２μｍ）８０重量部、Ｐｄ
粉末（平均粒径１μｍ）２０重量部、及びCdO-PbO-B₂O₃
-SiO₂ 系ガラス粉末（平均粒径３μｍ、軟化点５００
℃）２０重量部からなる原料粉末８３ｗｔ％、メタクリ
ル樹脂３ｗｔ％、及びフェニルシクロヘキサン１４ｗｔ
％から構成したものを、さらに上層用導体ペースト１８
として、Ａｇ粉末（平均粒径２μｍ）８０重量部、及び
Ｐｄ粉末（平均粒径１μｍ）２０重量部からなる原料粉
末８５％、メタクリル樹脂４ｗｔ％、及びフェニルシク
ロヘキサン１１ｗｔ％から構成したものをそれぞれ用
い、さらに焼成条件として大気雰囲気下に最高温度９０
０℃で１０分間熱処理を施し、メッキ処理は施さなかっ
た以外は実施例１と同様の条件でＡｇ−Ｐｄ系の合金か
らなる導体パターン１９を形成した。

【００９６】このＡｇ−Ｐｄ系の合金からなる導体パタ
ーン１９の直径２ｍｍのパッド部をハンダ浴槽（Ｓｎ−
Ｐｂ共晶ハンダ、浴温２３０℃）に浸漬してハンダ濡れ
性を目視にて調査したところ、ハンダ濡れ不良部は皆無
であった。また、断面形状は上面がほぼ平坦な矩形であ
り、配線表面の平滑性は±０．８μｍ、接着強度は２．
４ｋｇｆ／ｍｍ² と充分に大きいが得られた。

【００９７】［実施例６］実施例１と同様の条件でアル
ミナ製のセラミックス基板１１上にポジ型のフォトレジ
スト層１２を形成した。

【００９８】次に、お互いに直角方向に操作できる２本
のミラーを備えたエキシマレーザ（ＫｒＦ、４８ｎｍ）
を用い、前記ミラーをコンピュータ制御することにより
所定の導体層形成パターン及びパッドパターンになるよ
うに、照射強度１Ｊ／ｃｍ²、走査速度１ｃｍ／ｓｅｃ
でフォトレジスト層１２の表面にレーザ光を照射し、照
射された部分のフォトレジスト層１２を下地のセラミッ
クス基板１１が露出するまで分解、消失させた。この結
果、フォトレジスト層１２に、幅が１５μｍ、配線間の
間隔が１５μｍの凹部１５が形成された。

【００９９】次に、実施例１と同様の条件で下層用導体
ペースト１６を凹部１５に充填する導体ペースト充填工
程を行い、接着工程を行い、導体ペースト再充填工程を
行った。

【０１００】次に、その濃度が３ｗｔ％のＮａＯＨを使
用し、前記工程を経たセラミックス基板１１を浸漬し、
揺動させことにより、フォトレジスト層１２を溶解、消
失させ、下層用導体ペースト乾燥体１６’及び上層用導
体ペースト１８’のみをセラミックス基板１１上に残し
た。

【０１０１】次いで、純窒素雰囲気中、最高温度９００
℃で１０分間保持する工程を含む７０分の焼成処理を行
うことにより、下層用導体ペースト乾燥体１６’及び上
層用導体ペースト１８’中の有機物を分解、消失させ、
かつ前記導体成分をセラミックス基板１１に焼き付け
て、Ｃｕからなる導体パターン１９を形成し、実施例１
と同様の条件でメッキ処理を施し、厚膜導体配線の形成
を完了した。

【０１０２】前記工程により形成された厚膜導体配線を
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したが、メッキ
付け不良部は皆無であり、焼結配線上に均一にメッキ層
が形成されていることが確認された。

【０１０３】また形成された厚膜導体配線の断面形状を
同様にＳＥＭにて調査したところ、断面形状は上面がほ
ぼ平坦な矩形であり、配線表面の平滑性は±０．５μｍ
であった。また、線幅の精度は±１．０μｍであり、直
径２ｍｍのパッド部に直径１ｍｍの銅線をハンダ付け
し、該銅線を垂直上方に引っ張ることで配線パターンの
接着強度を測定したところ、２．９ｋｇｆ／ｍｍ² と十
分に高い値が得られた。さらにＳＥＭにてセラミックス
基板１１の組織を観察したところ、使用したアルカリ性
水溶液による浸蝕は見られなかった。

【０１０４】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る導体パ
ターン形成方法（１）にあっては、セラミックス基板上
にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工
程と、該フォトレジスト層に導体パターン状に凹部を形
成する凹部形成工程と、該凹部に導体ペーストを充填す
る導体ペースト充填工程と、前記凹部に充填された前記
導体ペーストを乾燥させ、該導体ペースト中の固体成分
を前記セラミックス基板に接着させる接着工程と、該接
着工程での導体ペーストの収縮により再形成された導体
パターン状の凹部に再度導体ペーストを充填する導体ペ
ースト再充填工程と、前記フォトレジスト層に現像処理
を施して前記フォトレジスト層を溶解、消失させるフォ
トレジスト層消失工程と、焼成により前記導体ペースト
中の固体成分を前記セラミックス基板に焼き付ける焼付
工程とを含むので、精密かつ微細であり、またその上面
が平坦なためＴＡＢリードなどの配線との接続が良好な
導体パターンをセラミックス基板上に形成することがで
きる。

【０１０５】また、本発明に係る導体パターン形成方法
（２）にあっては、導体ペースト充填工程と、導体ペー
スト再充填工程とで用いる導体ペーストの種類が異なる
ので、前記（１）に記載した特性に加え、さらに平坦性
に優れた導体パターをセラミックス基板上に形成するこ
とができる。

【０１０６】さらに、上記構成の導体パターン形成方法
（３）によれば、導体ペースト再充填工程で用いる導体
ペースト中の導体成分の含有量が、導体ペースト充填工
程で用いる導体ペースト中の導体成分の含有量よりも多
いので、前記（１）及び（２）に記載した特性に加え、
セラミックス基板に対して大きな接着強度を有すると同
時に、上層において導体粉末含有量が多く、ハンダ濡れ
性、メッキ付き性により優れた導体パターンをセラミッ
クス基板上に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｉ）は実施例に係る導体パターンの
形成方法における各工程を模式的に示した断面図であ
る。

【符号の説明】

１１ セラミックス基板 １２ フォトレジスト層 １５ 凹部 １５’ 凹部 １６ 下層用導体ペースト １６’ 下層用導体ペースト乾燥体 １８ 上層用導体ペースト １８’ 上層用導体ペースト乾燥体 １９ 導体パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 一成 山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番１ 株式会社住友金属セラミックス内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックス基板上にフォトレジスト層
   を形成するフォトレジスト層形成工程と、 該フォトレジスト層に導体パターン状に凹部を形成する
   凹部形成工程と、 該凹部に導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程
   と、 前記凹部に充填された前記導体ペーストを乾燥させ、該
   導体ペースト中の固体成分を前記セラミックス基板に接
   着させる接着工程と、 該接着工程での導体ペーストの収縮により形成された凹
   部に再度導体ペーストを充填する導体ペースト再充填工
   程と、 前記フォトレジスト層に現像処理を施して前記フォトレ
   ジスト層を溶解、消失させるフォトレジスト層消失工程
   と、 焼成により前記導体ペースト中の固体成分を前記セラミ
   ックス基板に焼き付ける焼付工程とを含むことを特徴と
   する導体パターンの形成方法。
2. 【請求項２】 導体ペースト充填工程と、導体ペースト
   再充填工程とで用いる導体ペーストの種類が異なること
   を特徴とする請求項１記載の導体パターンの形成方法。
3. 【請求項３】 導体ペースト再充填工程で用いる導体ペ
   ースト中の導体成分の含有量が、導体ペースト充填工程
   で用いる導体ペースト中の導体成分の含有量よりも多い
   ことを特徴とする請求項１記載の導体パターンの形成方
   法。