JP3124224B2

JP3124224B2 - はんだバンプ形成方法

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Publication number: JP3124224B2
Application number: JP08078998A
Authority: JP
Inventors: 康男山岸; 正行落合; 一郎山口; 政廣吉川; 幸喜大竹; 正孝水越; 裕二渡辺
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-04-01
Filing date: 1996-04-01
Publication date: 2001-01-15
Anticipated expiration: 2016-04-01
Also published as: JPH09270428A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、例えば半導体チップの電極パッドにはんだバ
ンプを効率的に形成するためのはんだバンプの製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】大量の情報を高速に処理する情報処理装
置においては、半導体チップに電子回路や電子部品を集
積したＬＳＩやＶＬＳＩ等が多く用いられている。電子
回路が形成されている半導体チップを例えばセラミック
基板に取り付けるために、半導体チップ又はセラミック
基板にはんだバンプを設け、はんだバンプの溶着によ
り、半導体チップをセラミック基板に固定するとともに
電気的な接続を行うことができる。

【０００３】従来は、セラミック基板にはんだペースト
を印刷し、半導体チップに取り付けたリードをセラミッ
ク基板のはんだペーストの上に置き、加熱することによ
りはんだを溶融させ、よって半導体チップをセラミック
基板に機械的及び電気的に接続していた（例えば、特公
昭５３─３９８０号公報）。セラミック基板にはんだペ
ーストを印刷するために、例えば所定のパターンの開口
部を有する金属マスクを使用し、この金属マスクにはん
だペーストを載せて、金属マスクの表面に沿ってスキー
ジを移動させながら、はんだペーストをセラミック基板
に印刷する。

【０００４】また、特開平６─１２４９５３号公報は、
複数の窪みを有する板部材を用いたはんだバンプの形成
方法を開示している。この方法では、はんだペーストが
この板部材の窪みに充填され、半導体装置をこの板部材
に近づけて、半導体装置の金バンプを各窪みのはんだペ
ーストに差し込み、それから半導体装置をこの板部材か
ら遠ざけると、はんだペーストが半導体装置の金バンプ
に付着する（転写される）。

【０００５】しかし、半導体チップ上の電子回路が集積
されると、入出力端子となるリードの数が増加し、リー
ド間ピッチが小さくなる。そうなると、印刷するはんだ
ペーストの量は少なくなり、はんだペーストの印刷は困
難となる。つまり、はんだペーストは通常粒径が３０〜
５０μｍのはんだ粒子と、松脂や、活性剤や、有機溶剤
などを含むフラックスとからなるものであり、はんだペ
ーストの粘度は室温で２０〜３０×１０⁴ｃｐ程度と高
い。従って、金属マスクの開口部の寸法が１００μｍ程
度と小さくなると、はんだペーストが目詰まりし、金属
マスクの開口部を円滑に通過しなくなり、セラミック基
板に印刷されなくなる。

【０００６】最近のフリップチップ構造では、半導体チ
ップにリードを設けることなく、半導体チップにはんだ
バンプを設けて、半導体チップをセラミック基板に直接
に取り付けるようになっている。この場合にも、はんだ
バンプのサイズが小さくなると、はんだペーストの印刷
が難しくなる。そこで、はんだペーストを使用すること
なく、実質的にはんだのみによってはんだバンプを形成
することによって、小さなはんだバンプを形成すること
が提案されており、このような方法として、真空蒸着法
及びはんだメッキ法がある。

【０００７】真空蒸着法は、例えば特開平─４─０１４
８３４号に記載されており、はんだを真空下で加熱して
蒸発させ、蒸発したはんだを付着させるものである。前
記公報に記載された方法では、石英やガラスなど透明で
耐熱性に優れるが、はんだ濡れ性の劣る転写板と、所定
のパターンの開口部を有する金属マスクとを用いる。転
写板は金属マスクのすぐ上方に配置され、金属マスクの
開口部を通過したはんだ蒸気が転写板に蒸着するように
なっている。従って、転写板には金属マスクの開口部に
相当するパターンではんだバンプが形成される。

【０００８】次に、半導体チップを加熱し、転写板に近
づけ、よって転写板のはんだバンプを半導体チップに転
写する。このようにして、半導体チップに所定のパター
ンではんだバンプが形成される。このような方法をとる
ことにより、はんだバンプを精度よく形成することがで
きるが、所望の厚さ、例えば数１０μｍの厚さのはんだ
バンプを形成するにはかなり長い蒸発時間を必要とする
問題があった。

【０００９】また、はんだメッキ法は、半導体チップの
表面をレジストで被覆した後、パンプ形成位置のレジス
トを窓開けしてはんだメッキを行うものであるが、メッ
キ液によりＬＳＩなどの集積回路が化学的な変化を受け
て、特性劣化が生じ易いことと、析出したはんだの組成
ずれが大きいことが問題となる。

【００１０】また、はんだバンプは半導体チップに形成
されるばかりでなく、セラミック基板やセラミックパッ
ケージ等にも形成される。またある応用においては、は
んだペーストを使用することなく、実質的にはんだのみ
の塊としてはんだボールが提供され、このようなはんだ
ボールを使用してはんだバンプを形成することがある。
しかし、この方法は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）
のような比較的はんだバンプのサイズが大きい用途には
適用できるが、ボールサイズが１００μｍ程度と小さい
高密度実装用途ではボールの取り扱いが困難であるとい
う問題がある。

【００１１】さらに、特開平４─２６３４３３号公報
は、所定のパターンで配置された複数の窪みを有する平
板を準備し、この平板の窪みにはんだペーストを充填
し、この平板を加熱して各窪み内のはんだペースト中に
含まれるはんだ粒子が溶融して表面張力により丸まった
はんだボールを形成することを開示している。形成され
たはんだボールは直ちに平板の窪みから半導体チップや
回路基板等の電気部品の電極パッドに転写される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】はんだペーストを平板
の窪みに充填することによりはんだバンプを形成する方
法によれば、大きさ及び構造が一定のぱんだバンプを形
成することができる。しかしながら、本願の発明者の検
討によれば、電気部品の電極パッド上には通常自然酸化
膜が形成されており、またはんだボールを平板の窪みか
ら電気部品の電極パッドに転写するときにも電気部品の
電極パッドの酸化が進むためはんだが電極パッドに濡れ
にくくなり、はんだの電極パッド上への溶着作用が低下
することがあることが分かった。

【００１３】本発明の目的は、大きさが一定で密着性の
良好なはんだバンプを電極パッド上に確実に形成するこ
とができるようにしたはんだバンプ形成方法を提供する
ことである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明によるはんだバン
プ形成方法は、はんだペーストをスキージングによって
平板の窪みに充填し、該平板をはんだの融点以上に加熱
して各窪み内のはんだペーストからはんだボールを形成
し、該窪みと対応する位置に形成された電極パッドを有
する電気部品の電極パッド上の酸化膜を除去し、該はん
だボールと該電極パッドとを位置合わせして該平板と該
電気部品とを重ね、該重ね合わせた平板と電気部品とを
はんだの融点以上に加熱してはんだボールを該平板から
該電気部品に転写することを特徴とする。

【００１５】上記構成においては、スキージを平板に沿
って摺動させることにより平板の表面の窪みにおいては
んだペーストを計量した後で、該平板をはんだの融点以
上の温度に加熱してはんだボールを形成する。はんだボ
ールは該平板の窪みに位置した状態で維持されている。
このはんだボールは該平板から電気部品に転写される
が、本発明は、その転写の前に、電気部品の処理を行
い、電気部品の電極パッド上の酸化膜を除去する工程を
含む。

【００１６】従って、電極パッド上の酸化膜を除去した
後該はんだボールと該電極パッドとを位置合わせして該
平板と該電気部品とを重ねる。それから、重ね合わせた
平板と電気部品とをはんだの融点以上に加熱してはんだ
ボールを該平板から該電気部品に転写する。重ね合わせ
工程は常温又は比較的に低い温度の場所で行われ、平板
と該電気部品とが高い温度にさらされてはんだボールや
電極パッドの表面の酸化が進まないようにする。このよ
うにして、電極パッドの表面の酸化膜によってはんだの
電極パッドに対する溶着作用が低下しないようにする。
最後にはんだボールを平板から電気部品に転写する。こ
のような工程により、はんだボールの電極パッドへの転
写がより確実に行われる。

【００１７】該電気部品の電極パッド上の酸化膜を除去
する工程が、該電気部品を水素雰囲気中で３００℃以上
に加熱することで酸化膜を還元することからなる。ある
いは、該電気部品の電極パッド上の酸化膜を除去する工
程が、該電気部品を酸化膜を溶解する溶液中に浸漬する
ことからなる。

【００１８】また、該はんだボールを該平板から該電気
部品に転写する工程が、酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の
雰囲気中において該重ね合わせた平板と電気部品とをは
んだの融点以上に加熱することからなる。はんだボール
と該電極パッドとを位置合わせして該平板と該電気部品
とを重ねる工程は、フリップチップボンダを用いて行う
ことができる。該電極パッドが厚さが１μｍ以上の銅又
はニッケルの膜からなる。また、該はんだペースト中の
はんだ金属の融点が２５０℃以上である。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明によるはんだバン
プ形成方法を説明する実施例を示す図である。この実施
例では、半導体チップをはんだバンプを用いて回路基板
に取り付けるために、半導体チップの電極パッドにはん
だバンプを形成する場合を例としている。以下の説明に
おいて、半導体チップは電気部品と呼ばれる。

【００２０】図１（Ａ）に示されるように、平坦な表面
１０ａに複数の等しい形状の窪み１２を有する平板１０
を準備する。窪み１２は、例えば２００μｍのピッチで
マトリックス状に設けてある。平板１０はシリコン、ス
テンレス、クロム、ガラス、セラミック、チタン等のは
んだ濡れ性の劣る材料で形成されることが好ましく、あ
るいはその表面にクロム、チタン、ＳｉＯ₂等のはんだ
濡れ性の劣る材料を被覆されるのが好ましい。

【００２１】一例においては、平板１０は、平坦な表面
１０ａが〈１００〉となるシリコンの板で作られ、平坦
な表面１０ａに異方性エッチングを行うことにより窪み
１２を形成された。エッチングにおいては、正方形の開
口部を有するレジストを使用したので、一辺２００μｍ
の四角錐形の窪み１２が形成された。また、他の例にお
いては、平板１０は、耐熱性の優れたステンレス鋼の板
（ＳＵＳ３０４）で作られ、放電加工によって窪み１２
を形成した後、表面を酸化膜処理してある。窪み１２は
直径２００μｍの円形であり、深さが５０μｍである。
窪み１２の形状は深さが深くなるにつれて直径が小さく
なっている。放電加工の代わりに、エッチング等の他の
手段を用いることもできる。

【００２２】図１（Ａ）に示されるように、平板１０を
準備した後、はんだペースト１４を平板１０の窪み１２
に充填する。はんだペースト１４ははんだ粒子とフラッ
クスとからなり、フラックス１５は松脂や、活性剤や、
有機溶剤などを含む。はんだ粒子ははんだペースト中に
非常に高い密度で配置され、よってはんだペースト１４
中にはんだ成分が均一に分布している。はんだは、公知
の金属、例えばＰｂ、Ｓｎ、Ｉｎ，Ｂｉ及びそれらの合
金等を使用することができる。

【００２３】はんだペースト１４の充填は、スキージ１
８を平板１０の平坦な表面１０ａに沿って摺動させるこ
とによって行われる。平板１０の窪み１２の体積は全て
等しいので、窪み１２の中のはんだペースト１４の体積
も全て等しい。はんだペースト１４の中には、はんだ粒
子が実質的に均一に分布しているので、窪み１２の中の
はんだ粒子１６の体積も実質的に全て等しい。

【００２４】それから、図１（Ｂ）に示されるように、
平板１０をはんだの融点以上にまで加熱すると、はんだ
ペースト１４中のはんだ粒子が溶融し、はんだが表面張
力により丸まって各窪み内１２内に１つのはんだボール
２０が形成される。フラックスははんだボール２０とは
分離される。こうして、各はんだボール２０は各窪み内
１２内に維持され、平板１０は冷却される。

【００２５】図１（Ｂ）の工程の後、あるいは図１
（Ａ）、（Ｂ）の工程の前に、図１（Ｃ）の工程が行わ
れる。図１（Ｃ）においては、窪み１２と対応する配置
で形成された電極パッド２４を有する電気部品（半導体
チップ）２２が準備され、電気部品２２の電極パッド２
４上の酸化膜を除去する。

【００２６】図３は電極パッド２４を有する電気部品２
２の一例を示している。この電極パッド２４は好ましく
は厚さが１μｍ以上の銅又はニッケルの膜からなる。銅
又はニッケルの膜ははんだ金属に溶解しにくいパッド材
料であり、電極パッド２４上にはんだバンプを形成する
のに適している。しかし、銅又はニッケルの膜はその表
面に酸化膜８０ができやすく、酸化膜８０ができると電
極パッド２４がはんだに濡れにくくなり、形成されたは
んだバンプが電極パッド２４から脱離する可能性が生じ
る。

【００２７】図３に示されるように、電極パッド２４上
に酸化膜８０があり、且つはんだボール（はんだバン
プ）２０が電極パッド２４に溶着している場合、図４
は、はんだボール２１の電極パッド２４へ溶着した底部
分２０ａを示している。電極パッド２４上に酸化膜８０
があると、はんだボール２１は底部分２０ａの全体にお
いて電極パッド２４に一体的に溶着しているとは限ら
ず、例えば図４においてハッチング２１で示された領域
では、はんだボール２１は電極パッド２４にかなり弱く
溶着する。従って、転写後にはんだボール２１に力がか
かると、はんだボール２１は電極パッド２４から脱離し
やすくなる。従って、電極パッド２４上に酸化膜８０は
ない方がよい。

【００２８】従来は、はんだボール２１が電極パッド２
４に確実に溶着するように、電極パッド２４上に金等の
酸化防止膜を形成することが行われるている。しかしな
がら、金の膜は高温においてはんだ金属に溶解しやす
く、電極パッド２４の形状又は構造が望ましくないよう
に変化することがある。従って、融点の高いはんだ金属
を使用する場合には、電極パッド２４上に金等の酸化防
止膜を設けない方がよいことがある。

【００２９】本発明では、銅又はニッケルの膜からなる
電極パッド２４へのはんだの溶着性を改善するために、
電気部品２２の電極パッド２４にはんだバンプを形成す
る前に、電気部品２２の電極パッド２４上の酸化膜８０
を除去する工程を含む。図１（Ｃ）では、電気部品２２
の電極パッド２４上の酸化膜８０を除去する工程が、電
気部品２２を水素雰囲気中で３００℃以上に加熱するこ
とで酸化膜８０を還元することからなる。このため、水
素炉９０が使用される。

【００３０】次に、図１（Ｄ）に示されるように、はん
だボール２０と電極パッド２４とを位置合わせして平板
１０と電気部品２２とを重ね合わせる。それから、図１
（Ｅ）に示されるように、重ね合わせた平板１０と電気
部品２２とを加熱し、はんだボール２０を平板１０から
電気部品２２に転写する。平板１０は電極パッド２４よ
りもはんだ濡れ性の劣る材料で形成され、又は被覆され
ているので、はんだボール２０は平板１０から電極パッ
ド２４に容易に転写される。最後に、平板１０を電気部
品２２から離すと、はんだボール２０は電気部品２２の
電極パッド２４に付着している状態になる。

【００３１】図２は、上記はんだバンプ形成方法を実施
する装置を示している。電気部品２２は水素炉９０中で
加熱され、電気部品２２の電極パッド２４上の酸化膜８
０を除去する。一方、平板１０は窒素炉９１中で加熱さ
れ、平板１０の窪み１２においてはんだボール２０が形
成される。このようにして、はんだボール２０が形成さ
れた平板１０と、電極パッド２４上の酸化膜８０が除去
された電気部品２２とは、フリップチップボンダ９２に
おいて互いに重ね合わせられる。その際、はんだボール
２０と電極パッド２４とが位置合わせされることは言う
までもない。重ね合わせられた平板１０と電気部品２２
は適当なクランプ手段９３によりクランプされ、窒素炉
９４中で加熱され、はんだボール２０が平板１０から電
気部品２２へ転写される。

【００３２】このように、本発明によれば、スキージ１
８を平板１０に沿って摺動させることにより平板１０の
表面の窪み１２においてはんだペースト１４を計量した
後で、平板１０をはんだの融点以上の温度に加熱しては
んだボール２０を形成する。はんだボール２０は平板１
０の窪み１２に位置した状態で維持されている。このは
んだボール２０を平板１０から電気部品２２に転写する
前に、電気部品２２の電極パッド２４上の酸化膜８０を
除去する。

【００３３】電極パッド２４上の酸化膜８０を除去した
ら、はんだボール２０と電極パッド２４とを位置合わせ
して平板１０と電気部品２２とを重ね、それから、重ね
合わせた平板１０と電気部品２２とをはんだの融点以上
に加熱してはんだボール２０を平板１０から電気部品２
２に転写する。重ね合わせ工程は常温又は比較的に低い
温度の場所で行われ、平板１０と電気部品２２とが高い
温度にさらされてはんだボール２０や電極パッド２４の
表面の酸化が進まないようにする。

【００３４】このようにして、電極パッド２４の表面の
酸化膜によってはんだの電極パッド２４に対する溶着作
用が低下しないようにする。最後にはんだボールを平板
から電気部品に転写し、電極パッド２４の表面の酸化膜
を除去しているので、はんだボールの電極パッドへの転
写がより確実に行われる。好ましくは、電気部品２２の
電極パッド２４上の酸化膜８０を除去してから、平板１
０と電気部品２２とをはんだの融点以上に加熱してはん
だボール２０を平板１０から電気部品２２に転写するま
での間に、あまり時間がたたないようにした方がよい。
酸化膜８０を除去してから、少なくとも４時間以内に平
板１０と電気部品２２を重ね合わせるようにした方がよ
い。

【００３５】上記実施例においては、電気部品２２は半
導体チップであるとして説明したが、電気部品２２は、
半導体チップに限らず、はんだバンプを必要とする回路
基板や半導体パッケージ等のその他のあらゆる電気部品
とすることができる。

【００３６】本発明の具体例についてさらに説明する。（例１）電気部品２２は２０２５（４５×４５）バンプ
のシリコンチップであり、バンプピッチ２１０μｍ、パ
ッド径８０μｍ、パッド材質ニッケル（厚さ４μｍ）で
あった。平板１０は３０×３０×１．０ｍｍの〈１０
０〉シリコン板（熱酸化膜形成済）であり、上記パッド
位置に対応した位置に、開口部１９６μｍ□のレジスト
パターンを形成後、レジスト被覆部以外の酸化膜をフッ
酸で除去した。ついでＫＯＨ水溶液で開口部のシリコン
をエッチングし、四角錐状の窪み１２を有する平板を製
作した。はんだペースト１４は、Ｐｂ−５Ｓｎはんだ粉
末（粒径１０〜３２μｍ）９０重量部をロジン系フラッ
クスビークル１０重量部に分散して形成した。

【００３７】平板１０にスキージングによってはんだペ
ースト１４を充填し、同平板１０をピーク温度３５０℃
の窒素リフロー炉（酸素濃度２００ｐｐｍ）に入れては
んだボール２０を形成した。電気部品２２については、
電極パッド２４を含む面を酸素プラズマでアッシングし
た後、ピーク温度３８０℃の水素炉に通して、酸化膜８
０を還元処理した。

【００３８】それから、フリップチップボンダを用い
て、はんだボール２０と電極パッド２４とを位置合わせ
して平板１０と電気部品２２とを重ね合わせ、それか
ら、平板１０と電気部品２２とを重ね合わせた状態でこ
れらをピーク温度３５０℃の窒素リフロー炉（酸素濃度
２００ｐｐｍ）に入れ、はんだボール２０を平板１０か
ら電気部品２２へ転写した。平板１０を電気部品２２か
ら取り外し、電極パッド２４上のはんだバンプ２０にフ
ラックスを塗布して、上記リフロー条件で再リフロー
し、フラックスを洗浄した。この結果、高さ９２μｍ、
高さバラツキ（標準偏差）２．５μｍのはんだバンプを
欠損なく形成することができた。はんだバンプ２０を電
極パッド２４から強制的に引き剥がし、はんだバンプ２
０が電極パッド２４に確実に接合していたことを確認し
た。

【００３９】（例２）電気部品２２はシリコンチップを
搭載するためのアルミナ基板で、アルミナ基板上に薄膜
法で端子取り出しの配線を行い、絶縁膜上にパッド径８
０μｍ、厚さ５μｍの銅の電極パッドを形成した。平板
１０は３０×３０×３ｍｍの感光性ガラス（ＨＯＹＡ
株、ＰＥＧ３）であり、上記パッド位置に対応した位置
に、開口部１１６μｍ□、深さ５０μｍの蕾を露光、エ
ッチングにより形成した。はんだペースト１４は、Ｐｂ
−６３Ｓｎはんだ粉末（粒径１０〜３２μｍ）９０重量
部をロジン系フラックスビークル１０重量部に分散して
形成した。

【００４０】平板１０にスキージングによってはんだペ
ースト１４を充填し、同平板１０をピーク温度２３０℃
の窒素リフロー炉（酸素濃度５００ｐｐｍ）に入れては
んだボール２０を形成した。電気部品２２は、硫酸５％
イソプロピルアルコール溶液に浸漬した後、イソプロピ
ルアルコールで濯ぎ、パッド表面の酸化膜を溶解、除去
した。

【００４１】それから、フリップチップボンダを用い
て、はんだボール２０と電極パッド２４とを位置合わせ
して平板１０と電気部品２２とを重ね合わせ、それか
ら、平板１０と電気部品２２とを重ね合わせた状態でこ
れらをピーク温度２３０℃の窒素リフロー炉（酸素濃度
５００ｐｐｍ）に入れ、はんだボール２０を平板１０か
ら電気部品２２へ転写した。平板１０を電気部品２２か
ら取り外し、電極パッド２４上のはんだバンプ２０にフ
ラックスを塗布して、上記リフロー条件で再リフロー
し、フラックスを洗浄した。この結果、はんだバンプを
欠損なく形成することができた。はんだバンプ２０を電
極パッド２４から強制的に引き剥がし、はんだバンプ２
０が電極パッド２４に確実に接合していたことを確認し
た。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一定の大きさのはんだバンプを簡単且つ確実に大量に形
成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるはんだバンプ形成方法を説明する
実施例を示す図である。

【図２】図１のはんだバンプ形成方法を実施する装置を
示す図である。

【図３】電極パッドを示す図である。

【図４】電極パッドの表面に酸化膜が形成されている場
合にはんだボールが電極パッドに一様に溶着していない
ことを示す図である。

【符号の説明】

１０…平板１２…窪み１４…はんだペースト１８…スキージ２０…はんだボール２２…電気部品２４…電極パッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吉川政廣神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者大竹幸喜神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者水越正孝神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者渡辺裕二神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (56)参考文献特開平４−263433（ＪＰ，Ａ) 特開平７−249631（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】はんだペースト（１４）をスキージング
によって平板（１０）の窪み（１２）に充填し、該平板（１０）をはんだの融点以上に加熱して各窪み
（１２）内のはんだペースト（１４）からはんだボール
（２０）を形成し、該窪み（１２）と対応する位置に形成された電極パッド
（２４）を有する電気部品（２２）の電極パッド（２
４）上の酸化膜を除去し、該はんだボール（２０）と該電極パッド（２４）とを位
置合わせして該平板（１０）と該電気部品（２２）とを
重ね、該重ね合わせた平板（１０）と電気部品（２２）とをは
んだの融点以上に加熱してはんだボール（２０）を該平
板（１０）から該電気部品（２２）に転写することを特
徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項２】該電気部品（２２）の電極パッド（２
４）上の酸化膜を除去する工程が、該電気部品（２２）
を水素雰囲気中で３００℃以上に加熱することで酸化膜
を還元することからなることを特徴とする請求項１に記
載のはんだバンプ形成方法。
【請求項３】該電気部品（２２）の電極パッド（２
４）上の酸化膜を除去する工程が、該電気部品（２２）
を酸化膜を溶解する溶液中に浸漬することからなること
を特徴とする請求項１に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項４】該はんだボール（２０）を該平板（１
０）から該電気部品（２２）に転写する工程が、酸素濃
度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気中において該重ね合わせ
た平板（２０）と電気部品（２２）とをはんだの融点以
上に加熱することからなることを特徴とする請求項１に
記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項５】該電極パッド（２４）が厚さが１μｍ以
上の銅又はニッケルの膜からなることを特徴とする請求
項１に記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項６】該はんだペースト（１４）中のはんだ金
属の融点が２５０℃以上であることを特徴とする請求項
１に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項７】該平板が感光性ガラスで構成され、エッ
チングによって該窪みを形成することを特徴とする請求
項１に記載のはんだバンプ形成方法。