JPS63229751A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
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- JPS63229751A JPS63229751A JP62062441A JP6244187A JPS63229751A JP S63229751 A JPS63229751 A JP S63229751A JP 62062441 A JP62062441 A JP 62062441A JP 6244187 A JP6244187 A JP 6244187A JP S63229751 A JPS63229751 A JP S63229751A
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、ＣｄＴｅ基板又はＣｄＺｎＴｅ基板上に形成
されたＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅ膜混晶を用い、該基板背
面での反射迷光防止のため該基板の背面に赤外線吸収膜
を設けた表面入射型の複数の赤外線検知素子を作成する
半導体装置において、該赤外線吸収膜の形成が低Ｘ値の
Ｈｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅの気相拡散層を形成することに
より行なわれる。
されたＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅ膜混晶を用い、該基板背
面での反射迷光防止のため該基板の背面に赤外線吸収膜
を設けた表面入射型の複数の赤外線検知素子を作成する
半導体装置において、該赤外線吸収膜の形成が低Ｘ値の
Ｈｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅの気相拡散層を形成することに
より行なわれる。
本発明は赤外線検知素子の製造方法に係り、特にＣｄＴ
ｅ基板又はＣｄＺｎＴｅ基板上のＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴ
ｅ膜混晶を用いて形成した赤外線検知素子を有する赤外
線検知素子の製造方法に関するものである。
ｅ基板又はＣｄＺｎＴｅ基板上のＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴ
ｅ膜混晶を用いて形成した赤外線検知素子を有する赤外
線検知素子の製造方法に関するものである。
第４図は従来例に係る光伝導型（ＰＣ）赤外線検知素子
の半導体装置の断面図である。１はＣｄＴｅ基板、２は
エピタキシャル成長法によりＣｄＴｅ基板１上に形成さ
れたＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅ膜であり、複数個の赤外線
検知素子の受光部が形成される。なお３はセラミック支
持基板であり、取り扱いの便宜上、ＣｄＴｅ基板ｌは該
セラミック支持基板３に接着される。
の半導体装置の断面図である。１はＣｄＴｅ基板、２は
エピタキシャル成長法によりＣｄＴｅ基板１上に形成さ
れたＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅ膜であり、複数個の赤外線
検知素子の受光部が形成される。なお３はセラミック支
持基板であり、取り扱いの便宜上、ＣｄＴｅ基板ｌは該
セラミック支持基板３に接着される。
次に従来例の半導体装置の作用を説明する。上方から、
例えばある物体の表面から放射された赤外線が入射する
と、各赤外線検知素子の受光部はこれを検知し、赤外線
の量に応じた電気信号を出力する。この電気信号を更に
処理することにより、例えばその物体の二次元熱分布映
像を得ることが可能となる。
例えばある物体の表面から放射された赤外線が入射する
と、各赤外線検知素子の受光部はこれを検知し、赤外線
の量に応じた電気信号を出力する。この電気信号を更に
処理することにより、例えばその物体の二次元熱分布映
像を得ることが可能となる。
特に、最近では信号処理時間を短縮してリアルタイムで
映像を得るために、第４図に示すようにウェハー上にラ
イン上に、あるいは二次元的に多数の赤外線検知素子が
形成される傾向となっている。
映像を得るために、第４図に示すようにウェハー上にラ
イン上に、あるいは二次元的に多数の赤外線検知素子が
形成される傾向となっている。
しかし、ウェハー上に多数の赤外線検知素子を形成する
場合、次のような問題が生じる。すなわち赤外線検知素
子の受光部に赤外線が直接入射する場合は問題ないが、
受光部と受光部の間の間隙をぬって入射するとき、赤外
線はＣｄＴｅ１板１を透過し、さらにＣｄＴｅ基板１と
セラミック支持基板３との境界で反射した後、再び裏側
から各受光部２に入射する。このように従来例の半導体
装置によれば、本来受光すべき赤外線以外の赤外線も受
光するため、各赤外線検知素子間にクロストークが生じ
たり、あるいは受光部自体の検知感度が低下する。
場合、次のような問題が生じる。すなわち赤外線検知素
子の受光部に赤外線が直接入射する場合は問題ないが、
受光部と受光部の間の間隙をぬって入射するとき、赤外
線はＣｄＴｅ１板１を透過し、さらにＣｄＴｅ基板１と
セラミック支持基板３との境界で反射した後、再び裏側
から各受光部２に入射する。このように従来例の半導体
装置によれば、本来受光すべき赤外線以外の赤外線も受
光するため、各赤外線検知素子間にクロストークが生じ
たり、あるいは受光部自体の検知感度が低下する。
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、検知特性の良好な複数の赤外線検知素子を有する
半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
あり、検知特性の良好な複数の赤外線検知素子を有する
半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
上記問題点は本発明によれば半導体基板表面に形成され
た半導体層と該半導体基板背面に形成された赤外線吸収
層を有してなる赤外線検知素子の製造方法において、該
半導体基板の背面に赤外線吸収層として半導体気相拡散
層を形成し、次に液相圧ビタキシャル成長により該半導
体基板の表面に半導体層を形成する工程を含んでなるこ
とを特徴とする赤外線検知素子の製造方法によって解決
される。
た半導体層と該半導体基板背面に形成された赤外線吸収
層を有してなる赤外線検知素子の製造方法において、該
半導体基板の背面に赤外線吸収層として半導体気相拡散
層を形成し、次に液相圧ビタキシャル成長により該半導
体基板の表面に半導体層を形成する工程を含んでなるこ
とを特徴とする赤外線検知素子の製造方法によって解決
される。
半導体基板内を透過した赤外線は、該半導体基板の背面
に設けられた赤外線吸収膜により吸収される。このため
半導体基板の背面で反射される赤外線はなくなるので、
裏側から赤外線検知素子に入射する赤外線もなくなる。
に設けられた赤外線吸収膜により吸収される。このため
半導体基板の背面で反射される赤外線はなくなるので、
裏側から赤外線検知素子に入射する赤外線もなくなる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１Ａ図から第１Ｄ図は本発明の一実施例を説明するた
めの工程断面図である。
めの工程断面図である。
まず第１Ａ図に示すようにＣｄＴｅ基板１を従来のエピ
タキシャル成長装置（図示せず）にセントする。
タキシャル成長装置（図示せず）にセントする。
次に第１Ｂ図に示すように、炉を昇温し、ＣｄＴｅ基板
１をエピタキシャル成長直前に通常より高温（約６００
℃）、長時間（約３０分）、十分水銀（Ｈｇ）蒸気に曝
す。Ｈｇ蒸気はＣｄＴｅ基板に拡散してＣｄＴｅ基板ｌ
基板面及び背面（裏面）に約１０μの厚さにＨｇの気相
拡散層（Ｈｇｌ −ｙ ＣｄｙＴｅ層）５ａ、５ｂを形
成する。
１をエピタキシャル成長直前に通常より高温（約６００
℃）、長時間（約３０分）、十分水銀（Ｈｇ）蒸気に曝
す。Ｈｇ蒸気はＣｄＴｅ基板に拡散してＣｄＴｅ基板ｌ
基板面及び背面（裏面）に約１０μの厚さにＨｇの気相
拡散層（Ｈｇｌ −ｙ ＣｄｙＴｅ層）５ａ、５ｂを形
成する。
次に第１Ｃ図に示すように（：ｄＴｅ基板１の表面上の
Ｈｇの気相拡散層５ａを、炉の温度を約４９５℃に低下
させて、成長用メルトと該拡散層を接触させメルトバッ
クを行なうことにより除去し、ＣｄＴｅ基板１表面を露
出させる。
Ｈｇの気相拡散層５ａを、炉の温度を約４９５℃に低下
させて、成長用メルトと該拡散層を接触させメルトバッ
クを行なうことにより除去し、ＣｄＴｅ基板１表面を露
出させる。
次に第１Ｄ図に示すようにＨｇの気相拡散層が除去され
たＣｄＴｅ基板ｌ上に通常の液相エピタキシャル成長さ
せ（約４８０℃） 、Ｈｇｌ −ｘ ＣｄｘＴｅエピタ
キシャル層６を形成する。
たＣｄＴｅ基板ｌ上に通常の液相エピタキシャル成長さ
せ（約４８０℃） 、Ｈｇｌ −ｘ ＣｄｘＴｅエピタ
キシャル層６を形成する。
その後Ｈｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅ層をバターニングして第
２図に示す赤外線検知素子を得る。
２図に示す赤外線検知素子を得る。
第３図は本発明の実施例に係る赤外線検知素子の上面図
で、上記第２図は第３図において＾−Ａ′で示す矢視断
面図である。図において、７は個別電極部、８は共通電
極部である。
で、上記第２図は第３図において＾−Ａ′で示す矢視断
面図である。図において、７は個別電極部、８は共通電
極部である。
このようにして形成したＣｄＴｅ基板１表面のＨｇｌ
−ｘＣｄｘＴｅ層のＸの値は、Ｈｇの気相拡散層（Ｈｇ
１−ｙＣｄｙＴｅ層）５のｙの値より大きい値であり
（Ｘの値は０．３、ｙの値は０．１）、赤外線吸収層と
して作用するｌＩｇｌ −ｙ ＣｄｙＴｅ層５は受光
部として作用するＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅ層６が感応す
る波長の光のすべてを吸収することができる。
−ｘＣｄｘＴｅ層のＸの値は、Ｈｇの気相拡散層（Ｈｇ
１−ｙＣｄｙＴｅ層）５のｙの値より大きい値であり
（Ｘの値は０．３、ｙの値は０．１）、赤外線吸収層と
して作用するｌＩｇｌ −ｙ ＣｄｙＴｅ層５は受光
部として作用するＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴｅ層６が感応す
る波長の光のすべてを吸収することができる。
このように本発明の実施例によればＣｄＴｅ基板１の背
面に赤外線吸収膜としてのＨｇ１−Ｖ ＣｄｙＴｅ層５
を設けているので、ＣｄＴｅ基板１内を透過した赤外線
が該基板背面で反射した後、再びＨｇｌ −ｘ Ｃｄｘ
Ｔｅ層６ （受光部）に裏側から入射することはない。
面に赤外線吸収膜としてのＨｇ１−Ｖ ＣｄｙＴｅ層５
を設けているので、ＣｄＴｅ基板１内を透過した赤外線
が該基板背面で反射した後、再びＨｇｌ −ｘ Ｃｄｘ
Ｔｅ層６ （受光部）に裏側から入射することはない。
このため各受光素子間に生じていた信号のクロストーク
を防止することができるとともに、各受光素子の検知感
度の低下を防止することができる。
を防止することができるとともに、各受光素子の検知感
度の低下を防止することができる。
以上説明したように、本発明によれば半導体基板の背面
に設けた赤外線吸収膜によって、該基板内を透過した赤
外線を吸収することができる。これにより複数の赤外線
検知素子間のクロストークの発生や検知感度の低下を防
止して、赤外線検知素子の高性能化を図ることが可能と
なる。
に設けた赤外線吸収膜によって、該基板内を透過した赤
外線を吸収することができる。これにより複数の赤外線
検知素子間のクロストークの発生や検知感度の低下を防
止して、赤外線検知素子の高性能化を図ることが可能と
なる。
第１Ａ図から第１Ｄ図は本発明の一実施例を説明するた
めの工程断面図であり、第２図は本発明の実施例に係る
赤外線検知素子の断面図であり（第３図Ａ−Ａ’矢視図
）、第３図は本発明の実施例に係る赤外線検知素子の上
面図であり、第４図は従来例を説明するための断面図で
ある。 １・・・・・・・・・ＣｄＴｅ基板、 ２ ＃ ６ａ、６ｂ ・ｔ＋＋ｕｇｊ −Ｘ ＣｄｘＴ
ｅ層（受光部）、３・・・・・・・・・セラミック支持
基板、５ａ …・・・Ｈｇ１−ｙ ＣｄｙＴｅ層、５ｂ
−Ｈｇ１−ｙ ＣｄｙＴｅ層（赤外線吸収層）、７・・
・・・・・・・個別電極部、 ８・・・・・・・・・共通電極部。 実施例 第１Ｄ図 第２図 ＄３図 従来例 第４図
めの工程断面図であり、第２図は本発明の実施例に係る
赤外線検知素子の断面図であり（第３図Ａ−Ａ’矢視図
）、第３図は本発明の実施例に係る赤外線検知素子の上
面図であり、第４図は従来例を説明するための断面図で
ある。 １・・・・・・・・・ＣｄＴｅ基板、 ２ ＃ ６ａ、６ｂ ・ｔ＋＋ｕｇｊ −Ｘ ＣｄｘＴ
ｅ層（受光部）、３・・・・・・・・・セラミック支持
基板、５ａ …・・・Ｈｇ１−ｙ ＣｄｙＴｅ層、５ｂ
−Ｈｇ１−ｙ ＣｄｙＴｅ層（赤外線吸収層）、７・・
・・・・・・・個別電極部、 ８・・・・・・・・・共通電極部。 実施例 第１Ｄ図 第２図 ＄３図 従来例 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板表面に形成された半導体層と該半導体基
板背面に形成された赤外線吸収層を有してなる赤外線検
知素子の製造方法において、該半導体基板の背面に赤外
線吸収層として半導体気相拡散層を形成し、次に液相エ
ピタキシャル成長により該半導体基板の表面に半導体層
を形成する工程を含んでなることを特徴とする赤外線検
知素子の製造方法。 ２、前記半導体基板はＣｄＴｅ基板又はＣｄＺｎＴｅ基
板、前記半導体膜はＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ膜、
前記赤外線吸収膜は該半導体膜のｘ値より小さいｙ値の
Ｈｇ＿１＿−＿ｙＣｄ＿ｙＴｅ膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の赤外線検知素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062441A JPS63229751A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062441A JPS63229751A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229751A true JPS63229751A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13200292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062441A Pending JPS63229751A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63229751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009040337A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of manufacturing a structure comprising a substrate and a layer deposited on one of its faces |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62062441A patent/JPS63229751A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009040337A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of manufacturing a structure comprising a substrate and a layer deposited on one of its faces |
| FR2921749A1 (fr) * | 2007-09-27 | 2009-04-03 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure comprenant un substrat et une couche deposee sur l'une de ses faces. |
| KR101097688B1 (ko) | 2007-09-27 | 2011-12-22 | 소이텍 | 기판과 기판의 일 면에 증착되는 층을 포함하는 구조체를 제조하는 방법 |
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