JPS58182264A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58182264A JPS58182264A JP6480082A JP6480082A JPS58182264A JP S58182264 A JPS58182264 A JP S58182264A JP 6480082 A JP6480082 A JP 6480082A JP 6480082 A JP6480082 A JP 6480082A JP S58182264 A JPS58182264 A JP S58182264A
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- Japan
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- light
- semiconductor device
- transistor
- substrate
- adhered
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors the device being a bipolar phototransistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
るものでめる。
周知の様に半導体装置はシリコン全素材とする高密度の
業種回路に代表される各種の装置が実用化されている。
業種回路に代表される各種の装置が実用化されている。
この様な半導体装置は光検出器として用いる場合以外は
、通常光照射をおこなうと、九屯流が発生し、所要の時
性が得られない場合がある。時に近年サファイアを基板
とするシリコンＭ４積回路では前記効果を特に考慮する
ことが必要でめる。本発明はこれらの影曽會防止した半
導体装置を提供することにあり、以下具体？ＩＪ ｋも
って従来の装置の欠点と対比し不発明の詳細な説明する
。
、通常光照射をおこなうと、九屯流が発生し、所要の時
性が得られない場合がある。時に近年サファイアを基板
とするシリコンＭ４積回路では前記効果を特に考慮する
ことが必要でめる。本発明はこれらの影曽會防止した半
導体装置を提供することにあり、以下具体？ＩＪ ｋも
って従来の装置の欠点と対比し不発明の詳細な説明する
。
サファイア単結晶を基板とし、その上にシリコンｔエビ
タキシャルに成長させたウェーハは通常ＳＯＳと呼ばれ
、シリコン果槓回路に２いて発展性のあるものとして良
く知られている。このＳＯシに例えばＭＯＳ型亀界効果
トランジスタをＩｌｌＫ牧的に形成し、液晶，透明電極
などとの組合せにより、液晶テレビとして応用されつつ
ある。例えば従来第１図に示した様にサファイア１１上
に形成した４ｉ数個の，ＭＯＳトランジスタ１２のソー
ス側に透明電極１４を形成し、その上に液晶１５′に設
け、更に電極１６をノー状に形成する。１３は互いに直
交させた偏光板である。第２図はＳＯＳに形成されたＭ
ＯＳトランジスタの１個の回路を図示したもので、トラ
ンジスタのソース２１にＷｅ続されたコンデン丈一Ｃは
第１図の液晶１５、゛題極１４。
タキシャルに成長させたウェーハは通常ＳＯＳと呼ばれ
、シリコン果槓回路に２いて発展性のあるものとして良
く知られている。このＳＯシに例えばＭＯＳ型亀界効果
トランジスタをＩｌｌＫ牧的に形成し、液晶，透明電極
などとの組合せにより、液晶テレビとして応用されつつ
ある。例えば従来第１図に示した様にサファイア１１上
に形成した４ｉ数個の，ＭＯＳトランジスタ１２のソー
ス側に透明電極１４を形成し、その上に液晶１５′に設
け、更に電極１６をノー状に形成する。１３は互いに直
交させた偏光板である。第２図はＳＯＳに形成されたＭ
ＯＳトランジスタの１個の回路を図示したもので、トラ
ンジスタのソース２１にＷｅ続されたコンデン丈一Ｃは
第１図の液晶１５、゛題極１４。
１６によ多形成されたものであることを示したものでる
る。ゲー） ２ ３ ｔＯＮ−ＯＦＦさせることにより
、コンデンサー２１に光電させる信号量をドレイン２２
から供給する。コンデンサー〇に充電された電荷の大小
によりこれに相当する個所の液晶の偏光度が決まシ、こ
れにより第１図矢視１８の側よりみたときに入射光１７
の光量の透過する割合が決められる。ＳＯ８基板でるる
？ファイア１１上には多数のこの様なＭＯ−８）リング
ラフが配置されており、ゲート２３によシ時系列に定食
することによシ、矢視１８の側からみたとき様々な明暗
の組合わせによシ、画像としてみ°ることかできる。１
つのＭＯ８）リングラフのコンデンサーＣに光′亀さｎ
た信号量は次の同じトランジスタがアドレスされるまで
保持されなければならない。
る。ゲー） ２ ３ ｔＯＮ−ＯＦＦさせることにより
、コンデンサー２１に光電させる信号量をドレイン２２
から供給する。コンデンサー〇に充電された電荷の大小
によりこれに相当する個所の液晶の偏光度が決まシ、こ
れにより第１図矢視１８の側よりみたときに入射光１７
の光量の透過する割合が決められる。ＳＯ８基板でるる
？ファイア１１上には多数のこの様なＭＯ−８）リング
ラフが配置されており、ゲート２３によシ時系列に定食
することによシ、矢視１８の側からみたとき様々な明暗
の組合わせによシ、画像としてみ°ることかできる。１
つのＭＯ８）リングラフのコンデンサーＣに光′亀さｎ
た信号量は次の同じトランジスタがアドレスされるまで
保持されなければならない。
然し乍ら、コンデンサーＣの一部はＭＯ８）リングラフ
のソースのｐ−ｎ接合で形成されており、接合又はその
近傍に光が入射すると周知の様にコンデンサーＣの゛電
荷の一部を放電する。従ってこの様な光入射は好ましく
ない。
のソースのｐ−ｎ接合で形成されており、接合又はその
近傍に光が入射すると周知の様にコンデンサーＣの゛電
荷の一部を放電する。従ってこの様な光入射は好ましく
ない。
そこでこれヲ避けるため、第３図の如く例えばサファイ
ア３１の光入射面の一部に光遮蔽ｌ５３２全設けたもの
がめる。第３図でサファイア３１の光入射面に付着させ
た光遮蔽ＢｔＩ３２によってＭＯＳトランジスタ部への
光入射を遮断する。然し乍らこの様な構造ではサファイ
ア基板３１の厚ざが３００マイクロメーター以上ろるの
で、入射光は光透１ｌＩｆ膜３２の縁の回折、またサフ
ァイア３１での光回折によシ、トランジスタの存在する
衣囲においては光遮蔽膜３２よりもかなり小ざい部分の
みしか遮光されない欠点かめる。従ってトランジスタ部
３３を充分遮光するためには大きな面積の光遮蔽膜３２
を心安とする欠点を有する。
ア３１の光入射面の一部に光遮蔽ｌ５３２全設けたもの
がめる。第３図でサファイア３１の光入射面に付着させ
た光遮蔽ＢｔＩ３２によってＭＯＳトランジスタ部への
光入射を遮断する。然し乍らこの様な構造ではサファイ
ア基板３１の厚ざが３００マイクロメーター以上ろるの
で、入射光は光透１ｌＩｆ膜３２の縁の回折、またサフ
ァイア３１での光回折によシ、トランジスタの存在する
衣囲においては光遮蔽膜３２よりもかなり小ざい部分の
みしか遮光されない欠点かめる。従ってトランジスタ部
３３を充分遮光するためには大きな面積の光遮蔽膜３２
を心安とする欠点を有する。
本発明は上記の欠点を解消したもので以下第４図により
一実施例を説明する。第４図はｓｏｓ集積回路の断面図
でめシ、図中トランジスタ４１゜秀にｐ−ｎ接合部４２
下のサファイア４３に凹部４４を設け、更に該凹部４４
に光遮蔽ｇ４５ｔ−設ける。
一実施例を説明する。第４図はｓｏｓ集積回路の断面図
でめシ、図中トランジスタ４１゜秀にｐ−ｎ接合部４２
下のサファイア４３に凹部４４を設け、更に該凹部４４
に光遮蔽ｇ４５ｔ−設ける。
この様なサファイア４３に選択的に凹部を形成すること
は今日では、シリコン集積回路技術に於けるリングラフ
、イ５よび谷４′！ＩＦ気体金用いたドライエツケング
に代表さｎるエツチング法により容易に形成できること
は周知のことである。又光遮蔽膜４５としては例えばア
ルミニウムなどの蒸層又はスパッタ法による薄膜など金
属の４膜で充分用途として用い得る。また全黒（ゴール
ドブラック）と呼ばれる光吸収体でも良い。いずれにし
ても光遮蔽ｆｌ＊４５に用いる材料は不発明の間予する
ところではない。
は今日では、シリコン集積回路技術に於けるリングラフ
、イ５よび谷４′！ＩＦ気体金用いたドライエツケング
に代表さｎるエツチング法により容易に形成できること
は周知のことである。又光遮蔽膜４５としては例えばア
ルミニウムなどの蒸層又はスパッタ法による薄膜など金
属の４膜で充分用途として用い得る。また全黒（ゴール
ドブラック）と呼ばれる光吸収体でも良い。いずれにし
ても光遮蔽ｆｌ＊４５に用いる材料は不発明の間予する
ところではない。
第１図は従来のＳＯＳマトリックス液晶セルの断面図、
第２図は第１図のマトリックス液晶セルの１単位の等価
回路図、第３図は従来のＳＯＳマトリックス液晶セルの
遮光構造を示すｗＴｉ１１１′図。第４図は本発明の実
施例？示すＳＯＳマトリックス液晶セルの遮光構造の断
面図でるる。 １１．３１，４３・・・サファイア １２．４１，３３・・・トランジスタ ３２．４５・・・光遮蔽膜 ４２・・・ＰＮ接合部 ４４・・・基板の凹部
第２図は第１図のマトリックス液晶セルの１単位の等価
回路図、第３図は従来のＳＯＳマトリックス液晶セルの
遮光構造を示すｗＴｉ１１１′図。第４図は本発明の実
施例？示すＳＯＳマトリックス液晶セルの遮光構造の断
面図でるる。 １１．３１，４３・・・サファイア １２．４１，３３・・・トランジスタ ３２．４５・・・光遮蔽膜 ４２・・・ＰＮ接合部 ４４・・・基板の凹部
Claims (1)
- 透明基板上に形成した半導体装置に於いて該半導体装置
を形成する半導体素子が存在する透明基叡の平面とは反
朽の面に前記半導体素子に対応して四部ケ設け、該凹部
に光ｍ畝膜を設けたことｔ待機とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6480082A JPS58182264A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6480082A JPS58182264A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182264A true JPS58182264A (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=13268674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6480082A Pending JPS58182264A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182264A (ja) |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP6480082A patent/JPS58182264A/ja active Pending
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