JPS63261384A - ガラス基板 - Google Patents
ガラス基板Info
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- JPS63261384A JPS63261384A JP9675487A JP9675487A JPS63261384A JP S63261384 A JPS63261384 A JP S63261384A JP 9675487 A JP9675487 A JP 9675487A JP 9675487 A JP9675487 A JP 9675487A JP S63261384 A JPS63261384 A JP S63261384A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示機器、プラズマディスプレイ、エレ
クトロルミネッセンス表示器等に用いられるシート状の
ガラス基板に関する。
クトロルミネッセンス表示器等に用いられるシート状の
ガラス基板に関する。
従来より、ディスプレイ用ガラス基板としては、フォト
リングラフィ技術を用いてガラス基板上に薄膜半導体素
子を構成する等の理由により、良好な平担性が要求され
ている。また、各種ディスプレイに使われる薄膜素子は
基板からのアルカリ溶出による汚染の影響を受けやすい
、したがってディスプレイ用基板とし【は保谷硝子社製
のＮｋ−４０，Ｌｍ−５０や、コーニング社製の７０５
９のライト研磨品のような゛無アルカリ研摩ガラスを用
いるのが現状である。
リングラフィ技術を用いてガラス基板上に薄膜半導体素
子を構成する等の理由により、良好な平担性が要求され
ている。また、各種ディスプレイに使われる薄膜素子は
基板からのアルカリ溶出による汚染の影響を受けやすい
、したがってディスプレイ用基板とし【は保谷硝子社製
のＮｋ−４０，Ｌｍ−５０や、コーニング社製の７０５
９のライト研磨品のような゛無アルカリ研摩ガラスを用
いるのが現状である。
しかし、前述の従来技術では、ディスプレイ面積の拡大
、または基板一枚当たりのチップ数の増加による基板コ
ストの大幅な増加が生ずるほか、生来平担なガラス基板
でも、多種多層の薄膜を堆積し、パターン形成や熱処理
が施こされていくと最終では、大きなそり変形が発生す
るという問題点を有する。
、または基板一枚当たりのチップ数の増加による基板コ
ストの大幅な増加が生ずるほか、生来平担なガラス基板
でも、多種多層の薄膜を堆積し、パターン形成や熱処理
が施こされていくと最終では、大きなそり変形が発生す
るという問題点を有する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、大ＷＪｌ！Ｉで高平担性を有
する低コストのガラス基板を提供するところにある。
その目的とするところは、大ＷＪｌ！Ｉで高平担性を有
する低コストのガラス基板を提供するところにある。
本発明のガラス基板は、シート状のガラス基板において
、該ガラス基板の平坦度を測定して、凹部領域と凸部領
域で異なる膜厚の簿膜を堆積し、ガラス転移点以下の温
度で熱処理を施こすことを特徴とする。
、該ガラス基板の平坦度を測定して、凹部領域と凸部領
域で異なる膜厚の簿膜を堆積し、ガラス転移点以下の温
度で熱処理を施こすことを特徴とする。
本発明は、ガラス基板の大面積化、低コスト化を実現す
るために無研磨ガラスを用いることを前提とし、この種
のガラスの平坦度の悪さを初期基板あるいはプロセスの
途中で改良することに特徴がある。理想的に平担なガラ
ス基板の片面に薄膜を堆積し、薄膜形成温度以上、ガラ
ス転移点以下の温度で、熱処理を施こすと、薄膜の引張
り応力あるいは圧縮応力によって基板にそり変形が発生
する、例えば引張り応力を受ける薄膜を堆積するとガラ
ス基板が薄膜堆積面側に凹になり、圧縮応力を受ける薄
膜を堆積すると、Ｖｉ膜堆積面側に凸になる。この現象
は、薄膜の膜厚を厚くすればするほど、また熱処理温度
をガラス転移点に近づければ近づくほど大きなそり変形
となって現われる。
るために無研磨ガラスを用いることを前提とし、この種
のガラスの平坦度の悪さを初期基板あるいはプロセスの
途中で改良することに特徴がある。理想的に平担なガラ
ス基板の片面に薄膜を堆積し、薄膜形成温度以上、ガラ
ス転移点以下の温度で、熱処理を施こすと、薄膜の引張
り応力あるいは圧縮応力によって基板にそり変形が発生
する、例えば引張り応力を受ける薄膜を堆積するとガラ
ス基板が薄膜堆積面側に凹になり、圧縮応力を受ける薄
膜を堆積すると、Ｖｉ膜堆積面側に凸になる。この現象
は、薄膜の膜厚を厚くすればするほど、また熱処理温度
をガラス転移点に近づければ近づくほど大きなそり変形
となって現われる。
したがって、無研磨ガラスを用いて、凹部領域と凸部領
域で異なる膜厚の薄膜を堆積し、薄膜形成温度以上、ガ
ラス転移点以下の温度で熱処理を施こせば、薄膜の引張
りあるいは圧縮応力によってガラス基板を平担化させる
ことが可能である。
域で異なる膜厚の薄膜を堆積し、薄膜形成温度以上、ガ
ラス転移点以下の温度で熱処理を施こせば、薄膜の引張
りあるいは圧縮応力によってガラス基板を平担化させる
ことが可能である。
この場合、四部領域と凸部領域の選択的薄膜堆積方法と
しては、全面堆積後パターン形成する選択エッチ方法や
、ｙ６ｃｖｎ法をあげることができる。九〇ＶＤ法は、
堆積すべき物質の元素を含んだ化合物の気体または液体
を分解するのに十分なエネルギー波長の光ビームで、元
素または化合物の気体または液体を光解離、して、これ
により生成する物質を試料基板表面上に堆積する薄膜形
成方法である。この光ｃｖＤ法を用いれば、あらかじめ
ガラス基板の平坦度を測定して、凸部領域の光強度を四
部領域よりも強くして、凸部領域を凹部領域よりも薄膜
を厚く堆積するかまたは、凸部領域のみに光照射を施し
て凸部領域のみに薄膜を堆積することが可能である。こ
の場合、薄膜として引張り応力を受ける薄膜を堆積し、
熱処理をすれば、基板の平担化が実現できる。
しては、全面堆積後パターン形成する選択エッチ方法や
、ｙ６ｃｖｎ法をあげることができる。九〇ＶＤ法は、
堆積すべき物質の元素を含んだ化合物の気体または液体
を分解するのに十分なエネルギー波長の光ビームで、元
素または化合物の気体または液体を光解離、して、これ
により生成する物質を試料基板表面上に堆積する薄膜形
成方法である。この光ｃｖＤ法を用いれば、あらかじめ
ガラス基板の平坦度を測定して、凸部領域の光強度を四
部領域よりも強くして、凸部領域を凹部領域よりも薄膜
を厚く堆積するかまたは、凸部領域のみに光照射を施し
て凸部領域のみに薄膜を堆積することが可能である。こ
の場合、薄膜として引張り応力を受ける薄膜を堆積し、
熱処理をすれば、基板の平担化が実現できる。
無研磨ガラス基板として、約６００’ｌｌ）にガラス転
移点をもつ、コーニング社製７ｏ５９、簿膜として、常
圧ＣＶＤによる酸化シリコン狐、選択的堆積法として、
選択エッチ法を用いた例を詳述する。
移点をもつ、コーニング社製７ｏ５９、簿膜として、常
圧ＣＶＤによる酸化シリコン狐、選択的堆積法として、
選択エッチ法を用いた例を詳述する。
第２図は、ガラス基板１の凹凸と平坦度２の関係を図式
化したものであり、図の（α）は、ガラス基板１が上に
凹で平坦度２が正、図の（ｂ）は、ガラス基板１が上に
凸で平坦度２が負であることを表現している。
化したものであり、図の（α）は、ガラス基板１が上に
凹で平坦度２が正、図の（ｂ）は、ガラス基板１が上に
凸で平坦度２が負であることを表現している。
第３図は、板厚１．１鰭の１００ｍ角のコーニング社製
７０５９０片面金面に、ａｏｏ’ｏで常圧ＣＶＤ１ｆｉ
化シリコンＮ膜を、それぞれ１ｏｏｏＸ。
７０５９０片面金面に、ａｏｏ’ｏで常圧ＣＶＤ１ｆｉ
化シリコンＮ膜を、それぞれ１ｏｏｏＸ。
ｓｏｏ、ｏｆ堆積し４−゛熱処理１時間を施こして、平
坦度を測定しその平坦度の変化をグラフ化したものであ
る。横軸は、熱処理温度であり、縦軸は、１００＋＋ｍ
の長さの平坦度の変化量を表わしている、これによると
、熱処理温度が帳いほど、簿膜の膜厚が厚いほど上に凹
になっており、薄膜は引張り応力を受けているのがわか
る。
坦度を測定しその平坦度の変化をグラフ化したものであ
る。横軸は、熱処理温度であり、縦軸は、１００＋＋ｍ
の長さの平坦度の変化量を表わしている、これによると
、熱処理温度が帳いほど、簿膜の膜厚が厚いほど上に凹
になっており、薄膜は引張り応力を受けているのがわか
る。
第１図は、本発明の第１の実施例である。板厚１、 Ｉ
Ｍのコーニング社製７０５９ガラス基板３上の片面全
面に引張り応力を受ける常圧ｏｖＤｍ化シリコン薄膜４
を堆積し、平担度を測定して、凹部領域のＣｖＤ酸化シ
リコン薄膜を除去し、凸部領域のみにｃｖＤ酸化シリコ
ン薄膜を残したものが、図の（α）で、５００℃の熱処
理を施こして平担度の改善を行なったものが図の（ｂ）
である第４図は、完全にＣＶＤ酸化シリコン薄膜４を除
去せずに、薄く残したものが図の（α）で、５００℃の
熱処理を施こして平担度の改善を行なったものが図の（
Ａ）である、このように、選択的にＣｖＤ酸化シリコン
膜を除去して、熱処理をすることで、平担度の改善をす
ることが可能であるＷＪＳ図は、第２の実施例であり、
九〇ＶＤ法により選択的薄膜堆積をした場合である。光
ＣＶＤ法は、前述したように所望の場所に所望の膜厚の
薄膜を堆積できるため、第１図、第４図のような、薄膜
形成ができる他に、凸部の程度に応じて薄膜の膜厚を変
えることで平担化の改善度を場所に応じて変えることが
できるため、一層平担化を均一にできる。九〇ＶＤ法に
よりＣＶＤ酸化シリコン薄膜を形成したものが図の（α
）で、５００℃の熱処理を施こして平担度の改善を行な
ったものが、図の（ｂ）である、第５図において、右側
の凸部の曲率半径は、左側の凸部の曲率半径よりも小さ
いため、右側の凸部領域の薄膜の膜厚は、左側の凸部領
域より厚く、中間の凹部領域は、徐々に簿い構造になっ
ており、熱処理によって、第１図、第４図よりもさらに
平担性を増すことが可能である。
Ｍのコーニング社製７０５９ガラス基板３上の片面全
面に引張り応力を受ける常圧ｏｖＤｍ化シリコン薄膜４
を堆積し、平担度を測定して、凹部領域のＣｖＤ酸化シ
リコン薄膜を除去し、凸部領域のみにｃｖＤ酸化シリコ
ン薄膜を残したものが、図の（α）で、５００℃の熱処
理を施こして平担度の改善を行なったものが図の（ｂ）
である第４図は、完全にＣＶＤ酸化シリコン薄膜４を除
去せずに、薄く残したものが図の（α）で、５００℃の
熱処理を施こして平担度の改善を行なったものが図の（
Ａ）である、このように、選択的にＣｖＤ酸化シリコン
膜を除去して、熱処理をすることで、平担度の改善をす
ることが可能であるＷＪＳ図は、第２の実施例であり、
九〇ＶＤ法により選択的薄膜堆積をした場合である。光
ＣＶＤ法は、前述したように所望の場所に所望の膜厚の
薄膜を堆積できるため、第１図、第４図のような、薄膜
形成ができる他に、凸部の程度に応じて薄膜の膜厚を変
えることで平担化の改善度を場所に応じて変えることが
できるため、一層平担化を均一にできる。九〇ＶＤ法に
よりＣＶＤ酸化シリコン薄膜を形成したものが図の（α
）で、５００℃の熱処理を施こして平担度の改善を行な
ったものが、図の（ｂ）である、第５図において、右側
の凸部の曲率半径は、左側の凸部の曲率半径よりも小さ
いため、右側の凸部領域の薄膜の膜厚は、左側の凸部領
域より厚く、中間の凹部領域は、徐々に簿い構造になっ
ており、熱処理によって、第１図、第４図よりもさらに
平担性を増すことが可能である。
薄膜としては、ＣＶＤ酸化シリコン膜を例に詳述してい
るが、圧縮応力を受けるｆｌＩ戻、例えば、特殊条件下
で形成される窒化シリコン薄膜のようなものでも何らか
まわないものである。この場合薄膜の膜厚は、前述の場
合と逆にする必要がある以上の説明は、基板の初期状態
の平担性を改善する場合であり基板のコーティングを兼
ねている、一方、初期的には平担なものが、工程中の多
種多層の薄膜の堆積や、熱処理によってそり変形が生ず
る場合がある。
るが、圧縮応力を受けるｆｌＩ戻、例えば、特殊条件下
で形成される窒化シリコン薄膜のようなものでも何らか
まわないものである。この場合薄膜の膜厚は、前述の場
合と逆にする必要がある以上の説明は、基板の初期状態
の平担性を改善する場合であり基板のコーティングを兼
ねている、一方、初期的には平担なものが、工程中の多
種多層の薄膜の堆積や、熱処理によってそり変形が生ず
る場合がある。
この場合のそり変形を改善するためには、基板の裏面側
に薄膜を堆積するか、素子面側の層間絶縁膜あるいは素
子のパッジベージ四ン用薄膜の膜厚を、デバイス性能の
、許される範囲で制御して堆積し、熱処理を施こせばよ
い、特に熱処理を最終工程で施こせない場合は、最終工
程でそり変形が相殺されるように、ガラス基板の投入段
階あるいはプロセス途中で薄膜を堆積しておくことも可
能である。
に薄膜を堆積するか、素子面側の層間絶縁膜あるいは素
子のパッジベージ四ン用薄膜の膜厚を、デバイス性能の
、許される範囲で制御して堆積し、熱処理を施こせばよ
い、特に熱処理を最終工程で施こせない場合は、最終工
程でそり変形が相殺されるように、ガラス基板の投入段
階あるいはプロセス途中で薄膜を堆積しておくことも可
能である。
以上述べたように本発明によれば、次のような効果を有
する。
する。
（１） 無研磨ガラス基板を使い低コストである。
（２） 大面積の基板で平担度の高いものが最終工程
で実現できる。
で実現できる。
（３） 下地の被覆を兼用でき、アルカリ汚染を防止
できる。
できる。
（４） 薄膜のストレスを分散でき、クラック等のダメ
ージをなくすことが可能である。
ージをなくすことが可能である。
第１図（α）ｔ （ｂ）を第４図（α） ｓ （ｈ）、
第５図（α）、（，６）は、本発明の実施例を示すもの
で、ガラス基板の熱処理前後の平担度の変化を表わした
模式図である。 第２図（α）、（Ａ）は、ガラス基板の凹凸と平担度の
関係を示した模式図である。 第３図は、ブーニング社製７０５９（板厚１．１Ｍ、−
辺１００ｍ角）の片面全面にＣＶＤ酸化シリコン膜を堆
積し、熱処理１時間行なったときの平担度の変化をグラ
フに表わした図である。 １・・・岬・・・ガラス基板 ２・・・・・・・・・平担度 ３・・・・・・・・・コーニング社製７０５９ガラス基
板４・・・・・・・・・０ＶＤＩ！！！化シリコン薄膜
以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 躊＋［］ 乎Ｐ−へ正 坪ｇｆｉ ウ ４ａ０ ４５０ ＥＤＯＨＯ６００熱版
裡囁友（°ｄ） 矛３濶 名Ｉ
第５図（α）、（，６）は、本発明の実施例を示すもの
で、ガラス基板の熱処理前後の平担度の変化を表わした
模式図である。 第２図（α）、（Ａ）は、ガラス基板の凹凸と平担度の
関係を示した模式図である。 第３図は、ブーニング社製７０５９（板厚１．１Ｍ、−
辺１００ｍ角）の片面全面にＣＶＤ酸化シリコン膜を堆
積し、熱処理１時間行なったときの平担度の変化をグラ
フに表わした図である。 １・・・岬・・・ガラス基板 ２・・・・・・・・・平担度 ３・・・・・・・・・コーニング社製７０５９ガラス基
板４・・・・・・・・・０ＶＤＩ！！！化シリコン薄膜
以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 躊＋［］ 乎Ｐ−へ正 坪ｇｆｉ ウ ４ａ０ ４５０ ＥＤＯＨＯ６００熱版
裡囁友（°ｄ） 矛３濶 名Ｉ
Claims (6)
- （１）シート状のガラス基板において、該ガラス基板の
平担度を測定して、凹部領域と凸部領域で異なる膜厚の
薄膜を堆積し、ガラス転移点以下の温度で熱処理を施こ
すことを特徴とするガラス基板。 - （２）引張り応力を受ける薄膜を、凹部領域よりも凸部
領域に厚く堆積した特許請求の範囲第一項記載のガラス
基板。 - （３）圧縮応力を受ける薄膜を、凸部領域よりも凹部領
域に厚く堆積した特許請求の範囲第一項記載のガラス基
板。 - （４）前記薄膜堆積方法として、光ＣＶＤ法を用いる特
許請求の範囲第一項記載のガラス基板。 - （５）前記薄膜は、酸化シリコンを主成分とするＣＶＤ
膜である特許請求の範囲第一項記載のガラス基板。 - （６）前記薄膜は、ガラス基板コーティング用薄膜、あ
るいは、層間絶縁膜、あるいは、パッシベーション用薄
膜である特許請求の範囲第一項記載のガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9675487A JPS63261384A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9675487A JPS63261384A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261384A true JPS63261384A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14173449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9675487A Pending JPS63261384A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63261384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7795796B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-09-14 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electro optic device and electronic equipment |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP9675487A patent/JPS63261384A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7795796B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-09-14 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electro optic device and electronic equipment |
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