JPS60160184A - 薄膜フオトトランジスタ - Google Patents
薄膜フオトトランジスタInfo
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- JPS60160184A JPS60160184A JP59016328A JP1632884A JPS60160184A JP S60160184 A JPS60160184 A JP S60160184A JP 59016328 A JP59016328 A JP 59016328A JP 1632884 A JP1632884 A JP 1632884A JP S60160184 A JPS60160184 A JP S60160184A
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- film
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- phototransistor
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- Pending
Links
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
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- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor the device being a bipolar phototransistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリなどの画像読み取り装置に用い
られる薄膜フォトトランジスタに関する。
られる薄膜フォトトランジスタに関する。
従来例の構成とモラ間8点
バイポーラトランジスタは、シリコンやゲルマニウムな
どの単結晶基板を用いて製造さ扛ているが、その製造に
際しては、微細な加工技術を必要とされるため、製造工
程の影響を受け易く、このため素子特性にばらつきが生
じ、製品の歩留りが低くなり製造コストが高くなるとい
う欠点がある。
どの単結晶基板を用いて製造さ扛ているが、その製造に
際しては、微細な加工技術を必要とされるため、製造工
程の影響を受け易く、このため素子特性にばらつきが生
じ、製品の歩留りが低くなり製造コストが高くなるとい
う欠点がある。
また、大面積あるいは、長尺には製造することは困難で
ある。
ある。
発明の目的
本発明の薄膜フォトトランジスタは、上記従来例の欠点
を除去し、製造が容易でしかも任意の形状に作製が可能
であり、信頼性の高くかつ感度の良好な薄膜フォトトラ
ンジスタを提供することを目的としている。
を除去し、製造が容易でしかも任意の形状に作製が可能
であり、信頼性の高くかつ感度の良好な薄膜フォトトラ
ンジスタを提供することを目的としている。
発明の構成
本発明の薄膜フォトトランジスタは、透光性基板上に、
酸化インジウム又は酸化インジウムを含む透明電極膜と
、1000Å以下の厚さのCdS膜と、基板温度300
〜400 ’Cで真空蒸着により形成しfop−CdT
e膜と、基板温度3oO〜4oO゛Cで真空蒸着により
形成したn−CdTe膜と、金属電極膜とを順次積層し
て作製さ扛るものである。
酸化インジウム又は酸化インジウムを含む透明電極膜と
、1000Å以下の厚さのCdS膜と、基板温度300
〜400 ’Cで真空蒸着により形成しfop−CdT
e膜と、基板温度3oO〜4oO゛Cで真空蒸着により
形成したn−CdTe膜と、金属電極膜とを順次積層し
て作製さ扛るものである。
実施例の説明
実施例1
以下、本発明を実施例に基づき説明する。第1図は、本
発萌の1実施例を示す模式断面図である。
発萌の1実施例を示す模式断面図である。
ガラス基板1上に酸化インジウム又は酸化インジウムを
含む透明電極膜2を蒸着又はスパッタリングにより形成
する。更にその上にCdS膜3をスパッタリングにより
1000A以下、望ましくは400〜800人程度の厚
さに形成する。本実施例でのスパッタリング条件は、基
板温度250″CAr圧5X10Paである。この上[
p−CdTe膜4n−CdTe層6を3oO〜4oO″
Cの基板温度で、真空蒸着により形成する。真空度は、
2×10−6Torrである(、p−CdTe にはs
bをn−cci’reicFi、Inを不純物としてそ
nぞれ含有しているCdTeを蒸着源として用いている
。
含む透明電極膜2を蒸着又はスパッタリングにより形成
する。更にその上にCdS膜3をスパッタリングにより
1000A以下、望ましくは400〜800人程度の厚
さに形成する。本実施例でのスパッタリング条件は、基
板温度250″CAr圧5X10Paである。この上[
p−CdTe膜4n−CdTe層6を3oO〜4oO″
Cの基板温度で、真空蒸着により形成する。真空度は、
2×10−6Torrである(、p−CdTe にはs
bをn−cci’reicFi、Inを不純物としてそ
nぞれ含有しているCdTeを蒸着源として用いている
。
更にこの上に金属電氏膜6としてIn、Afiなどを蒸
着により形成し薄膜フォトトランジスタは完成さnる0
各層の成膜後、エツチング工程を適宜用いて任意の形状
に加工することができることは云うまでもないことであ
る。このような条件で作製されたフォトトランジスタは
、CdS膜3が、窓材として働き、CdTe層4,6内
部にn−p−r構造を有するいわゆるヘテロフェイス型
のフォトトランジスタを構成している。
着により形成し薄膜フォトトランジスタは完成さnる0
各層の成膜後、エツチング工程を適宜用いて任意の形状
に加工することができることは云うまでもないことであ
る。このような条件で作製されたフォトトランジスタは
、CdS膜3が、窓材として働き、CdTe層4,6内
部にn−p−r構造を有するいわゆるヘテロフェイス型
のフォトトランジスタを構成している。
すなわち、第2図に示すごとく、透明電極中に含まnる
InがCdS膜3を通り抜けてp−CdTe膜゛4まで
拡散していきp−CdTe層4のCdS側の薄い層7が
n型化していることになる。CdS膜厚が1000Å以
上になると、t fc p −CdT e膜4の蒸着時
の基板温度が低いとInのp−CdTe膜4への拡散は
押えられ、p−CdTeのCdS側薄層のn型化は押え
られることになり、ヘテロフェイス型とすることが期待
できない。ヘテロフェイス構造は、通常のへテロ接合に
比して、接合部分での格子のミスマツチなどに起因する
界面準位による再結合電流などを小さくすることができ
、良好な薄膜トランジスタを得ることができるものであ
る。
InがCdS膜3を通り抜けてp−CdTe膜゛4まで
拡散していきp−CdTe層4のCdS側の薄い層7が
n型化していることになる。CdS膜厚が1000Å以
上になると、t fc p −CdT e膜4の蒸着時
の基板温度が低いとInのp−CdTe膜4への拡散は
押えられ、p−CdTeのCdS側薄層のn型化は押え
られることになり、ヘテロフェイス型とすることが期待
できない。ヘテロフェイス構造は、通常のへテロ接合に
比して、接合部分での格子のミスマツチなどに起因する
界面準位による再結合電流などを小さくすることができ
、良好な薄膜トランジスタを得ることができるものであ
る。
実施例2
本発明における他の実施例を以下に説明する。
ガラス基板1、透明電極膜2、CdS膜3の各層につい
ては実施例1と同様である。p−CdTe膜4n−Cd
Te層5に関しては、9b、Inなどの不純物を導入せ
ずにCdTe中のCdとToの化学量論比のずれを利用
しても実現できる。すなわち、p−CdTe層4として
、To過剰のCdTeを、n−CdTe層6として、C
d過剰のCdTe層を形成することにより、p+ ”両
CdTe層4,6を作製した0 この場合、蒸着源と薄膜化した場合の組成のずれを考慮
に入れ、蒸着源の組成を決定することが重要である。本
実施例においては、p−CdTe層4の蒸着源として、
Toを3モル%、n−CdTe層6の蒸着源としてCd
を10モル%過剰にして、実施例1と同様の条件で蒸着
し、P + ”両型のCdTe層4,6を形成した。電
極としては、Inを用いた。本実施例の場合もp−Cd
Te層4のCdS膜3側の薄い部分は、n型化し、ヘテ
ロフェイス構造になっている。
ては実施例1と同様である。p−CdTe膜4n−Cd
Te層5に関しては、9b、Inなどの不純物を導入せ
ずにCdTe中のCdとToの化学量論比のずれを利用
しても実現できる。すなわち、p−CdTe層4として
、To過剰のCdTeを、n−CdTe層6として、C
d過剰のCdTe層を形成することにより、p+ ”両
CdTe層4,6を作製した0 この場合、蒸着源と薄膜化した場合の組成のずれを考慮
に入れ、蒸着源の組成を決定することが重要である。本
実施例においては、p−CdTe層4の蒸着源として、
Toを3モル%、n−CdTe層6の蒸着源としてCd
を10モル%過剰にして、実施例1と同様の条件で蒸着
し、P + ”両型のCdTe層4,6を形成した。電
極としては、Inを用いた。本実施例の場合もp−Cd
Te層4のCdS膜3側の薄い部分は、n型化し、ヘテ
ロフェイス構造になっている。
以上のようにして作製した薄膜フォトトランジスタのI
−V特性を示す。Aは500jlxBは暗中での測定結
果である。
−V特性を示す。Aは500jlxBは暗中での測定結
果である。
発明の効果
透光性基板上に、■)酸化インジウム又は酸化インジウ
ムを含む透明電極膜、■)1oOoÅ以下の厚さノCd
S膜、l1l)基板温度3oo〜400°Cで真空蒸着
によりp−CdTe、■) 基板温度300〜400
’Cで真空蒸着によりn−CdTe膜、■)金属電極を
順次積層して成る薄膜フォトトランジスタは、薄膜であ
るが故にエツチングなどにより任意の形状に作製するこ
とができ、またSt単結晶などでは実現出来ない大面積
あるいは長尺にわたり多数のフォトトランジスタを同時
に作製することが可能であり、シかも上記作製法によっ
て容易に、かつ優nた特性を有している。これにより、
ファクシミリなどに用いられる等倍型イメージセンサが
良質にかつ安価に提供できるものである。
ムを含む透明電極膜、■)1oOoÅ以下の厚さノCd
S膜、l1l)基板温度3oo〜400°Cで真空蒸着
によりp−CdTe、■) 基板温度300〜400
’Cで真空蒸着によりn−CdTe膜、■)金属電極を
順次積層して成る薄膜フォトトランジスタは、薄膜であ
るが故にエツチングなどにより任意の形状に作製するこ
とができ、またSt単結晶などでは実現出来ない大面積
あるいは長尺にわたり多数のフォトトランジスタを同時
に作製することが可能であり、シかも上記作製法によっ
て容易に、かつ優nた特性を有している。これにより、
ファクシミリなどに用いられる等倍型イメージセンサが
良質にかつ安価に提供できるものである。
第1図は、本発明の一実施例における薄膜フォトトラン
ジスタの断面図、第2図は、二次イオン質量分析による
元素分布図、第3図は一ν÷÷)5ゝ′1・・・・・・
ガラス基板、2・・・・・・透明電極膜、3・・・。 、、、CdS膜、4−・−−−−P−CdTe膜、5
、・・−n −CdT e膜、6・・・・・・金属電極
膜、7・・・・・・n型化しfcCdTe層、8.9・
・・・・・リード線、10・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名勇
2 m 第 3 s
ジスタの断面図、第2図は、二次イオン質量分析による
元素分布図、第3図は一ν÷÷)5ゝ′1・・・・・・
ガラス基板、2・・・・・・透明電極膜、3・・・。 、、、CdS膜、4−・−−−−P−CdTe膜、5
、・・−n −CdT e膜、6・・・・・・金属電極
膜、7・・・・・・n型化しfcCdTe層、8.9・
・・・・・リード線、10・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名勇
2 m 第 3 s
Claims (1)
- 透光性基板上に、酸化インジウム又は酸化インジウムを
含む透明電極膜と、1ooOÅ以下の厚l二s膜と、基
板温度300〜400°Cで真空蒸着により形成したp
−CdTe膜と、基板温度300〜400°Cで真空
蒸着により形成したn −CdTe膜と、金属電極膜と
を順次積層して成る薄膜フォトトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59016328A JPS60160184A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 薄膜フオトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59016328A JPS60160184A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 薄膜フオトトランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60160184A true JPS60160184A (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=11913379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59016328A Pending JPS60160184A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 薄膜フオトトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60160184A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104183663A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 通用电气公司 | 光伏器件及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57102079A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Ricoh Co Ltd | Photoelectric conversion element |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP59016328A patent/JPS60160184A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57102079A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Ricoh Co Ltd | Photoelectric conversion element |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104183663A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 通用电气公司 | 光伏器件及其制备方法 |
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