JPS61108165A - 固体撮像素子 - Google Patents
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- JPS61108165A JPS61108165A JP59230949A JP23094984A JPS61108165A JP S61108165 A JPS61108165 A JP S61108165A JP 59230949 A JP59230949 A JP 59230949A JP 23094984 A JP23094984 A JP 23094984A JP S61108165 A JPS61108165 A JP S61108165A
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関する。
近年、光七ンサー材料として、プラズマｎＶＤ法、スパ
ッタリング法等で形成する非晶質珪素（α−８ｉ）が注
目ζｈている。該材料は可視光での光感度に優れており
イメージセンサ−等の用途に期待されている。
ッタリング法等で形成する非晶質珪素（α−８ｉ）が注
目ζｈている。該材料は可視光での光感度に優れており
イメージセンサ−等の用途に期待されている。
第２図に従来使用はねでいる光センサーの櫃念図を示す
。第１図において、２１け珪素を含有する非晶質半導体
層、２２及び２３け電極で、光入射側の電、極は透明１
極になっている。２４け基板である。
。第１図において、２１け珪素を含有する非晶質半導体
層、２２及び２３け電極で、光入射側の電、極は透明１
極になっている。２４け基板である。
この様なセンサーは、光入射によりセンサー内に発生し
た電、流を一定時間積分して蓄積した後、アナログスイ
ゾチにより蓄積はれた信号電荷を順次読入出す方式や光
センサー及びブロッキングダイオードから成る素子をマ
トリクス配線により読人出し回路と接続する方式等によ
り駆動される場合が多い。従ってこの様ｒ（センサーは
、暗電流カ低く、光重、流がセンサーに印加をねる電圧
によらず、理論限界に近い値を有することが必要とばれ
る。
た電、流を一定時間積分して蓄積した後、アナログスイ
ゾチにより蓄積はれた信号電荷を順次読入出す方式や光
センサー及びブロッキングダイオードから成る素子をマ
トリクス配線により読人出し回路と接続する方式等によ
り駆動される場合が多い。従ってこの様ｒ（センサーは
、暗電流カ低く、光重、流がセンサーに印加をねる電圧
によらず、理論限界に近い値を有することが必要とばれ
る。
ｒ発明が解決しようとする問題点〕
ところが、非晶質珪素を用いた光センサーではＮ椿の材
質により、上記のセンサー特性が大きく異なることが一
般に知られている（ＪＪＡＰ ２１（８２）２４５
）。一般に、下地電極としてクロム（ｃｒ）を用Ｑ）た
場合に良好なセンサー特性が得らねることから、Ｃｒを
下地１！極とした非晶質珪素光センサーの報告例が多く
入られるが、この様にセンサー特性から電極の材質が限
定ばれることは好ましくない。すなわち、センサーを作
製する工程数を少なくするためには、センサ一部の電極
とセンサー周辺の配線を同一工程で形成する必ツがある
が、けは導電率がｋｌ等に比べると小ζく、配線抵抗が
大きくなる等の問題を生ずることになり、電極の材質に
よるセンサー特性の変−動の少ないセンサー構造が望ま
わる。
質により、上記のセンサー特性が大きく異なることが一
般に知られている（ＪＪＡＰ ２１（８２）２４５
）。一般に、下地電極としてクロム（ｃｒ）を用Ｑ）た
場合に良好なセンサー特性が得らねることから、Ｃｒを
下地１！極とした非晶質珪素光センサーの報告例が多く
入られるが、この様にセンサー特性から電極の材質が限
定ばれることは好ましくない。すなわち、センサーを作
製する工程数を少なくするためには、センサ一部の電極
とセンサー周辺の配線を同一工程で形成する必ツがある
が、けは導電率がｋｌ等に比べると小ζく、配線抵抗が
大きくなる等の問題を生ずることになり、電極の材質に
よるセンサー特性の変−動の少ないセンサー構造が望ま
わる。
又、下部１１権を酸化インジウム錫（工Ｔｏ）等とした
基板側から光が入射する構造のセンサーにおいても同様
の問題を生ずる。裏面光入射型のセンサー構造としては
、■ＴＯ及びａをＮ輛とし、非晶質♀化珪素膜をＩＴｏ
側のブロッキング層、ボロンω）をドーピングした非晶
質珪素層をａ側ブロッキング層として暗電流を低く押ζ
支る構造等が提案式れているが、センサーに印加メれる
電圧が５層未満での光電流の立ち上がりが鈍いという問
題点を有しており（、：ｒ ｏｆ Ｎ０７＋、 −ｏｒ
ｙ、 ５ｏｌｉｄｓ ’８３１２２７他）、光電波特性
を劣下ζせずに、暗電流を低く押さえることのできるセ
ンサー構造が望まれる。
基板側から光が入射する構造のセンサーにおいても同様
の問題を生ずる。裏面光入射型のセンサー構造としては
、■ＴＯ及びａをＮ輛とし、非晶質♀化珪素膜をＩＴｏ
側のブロッキング層、ボロンω）をドーピングした非晶
質珪素層をａ側ブロッキング層として暗電流を低く押ζ
支る構造等が提案式れているが、センサーに印加メれる
電圧が５層未満での光電流の立ち上がりが鈍いという問
題点を有しており（、：ｒ ｏｆ Ｎ０７＋、 −ｏｒ
ｙ、 ５ｏｌｉｄｓ ’８３１２２７他）、光電波特性
を劣下ζせずに、暗電流を低く押さえることのできるセ
ンサー構造が望まれる。
第３図は絶縁性透明基板上に工Ｔ Ｏ／Ｐａ −８ｉ
０／ａ −８ｉ／ｎα−ｓｉ ｃ７ｐ、ｔ を順次積
層した裏面光入射型センサーの暗電流及び光電流の印加
電圧依存性を示したものである。３１けＰ Ｈｓ／８ｉ
Ｉ（４＞２０ ｐｐｍ （モル比）、３２はＰ Ｈｓ
／Ｅ３ｉ Ｈ４−！−０，１優の流量比によりＭ−Ｂ
ｉ ０層を形成した場合の暗電流特性、３１′及び３２
′は４５０ｎ兜の光を１０μＷ／ｃｍ ”照射した場合
の光電波特性を示す。図よりリンのドープ量が少ない場
合には、低電界印加時の光ｇ流の立ち上がりが鈍＜ｔ「
す、逆にドープ量を増やすと立ち上がりは急峻になるも
のの、暗電流が著しく増加することがわかる。
０／ａ −８ｉ／ｎα−ｓｉ ｃ７ｐ、ｔ を順次積
層した裏面光入射型センサーの暗電流及び光電流の印加
電圧依存性を示したものである。３１けＰ Ｈｓ／８ｉ
Ｉ（４＞２０ ｐｐｍ （モル比）、３２はＰ Ｈｓ
／Ｅ３ｉ Ｈ４−！−０，１優の流量比によりＭ−Ｂ
ｉ ０層を形成した場合の暗電流特性、３１′及び３２
′は４５０ｎ兜の光を１０μＷ／ｃｍ ”照射した場合
の光電波特性を示す。図よりリンのドープ量が少ない場
合には、低電界印加時の光ｇ流の立ち上がりが鈍＜ｔ「
す、逆にドープ量を増やすと立ち上がりは急峻になるも
のの、暗電流が著しく増加することがわかる。
ｒ問題点を解決するための手段）
本発明の固体撮像装置は、珪素を含有する非晶質半導体
Ｉｖｊ１２、珪素の他に炭素、酸素、窒素のへち少なく
とも一つの元素を含有する非晶質半導体層１３、珪素及
び炭素を含有する非晶質半導体層１４及び非晶質半導体
層１５を積層し、元素周期表中＄１−ｂ族、第ｖ−ｂ族
、炭素等の不純物を適診混入したことを特徴とする。
Ｉｖｊ１２、珪素の他に炭素、酸素、窒素のへち少なく
とも一つの元素を含有する非晶質半導体層１３、珪素及
び炭素を含有する非晶質半導体層１４及び非晶質半導体
層１５を積層し、元素周期表中＄１−ｂ族、第ｖ−ｂ族
、炭素等の不純物を適診混入したことを特徴とする。
ｒ作用〕
本発明の上記の構造によれば、珪素を含有する非晶質半
導体層１２をＰ型の非晶質炭化珪素（Ｐα−ＢｉＯ）と
Ｎ型の非晶質珪素（ｎａ−８ｉ）又はＮ型の非晶質炭化
珪素（ｎａ−５Ｚａ）で扶むことにより、ｐ−１−ｎ型
構造として、ｉ層に内部電界を生じさせ、低電界印加時
の光電流の立ち上がりを急峻化１１、；卜一 することができると同時に、電極の材質による仕事関数
の違いに依存して変化する非晶質半導体層１２のバンド
の曲がりを電極の材質によらず再現性よく生じさせるこ
とが可能となる。ジらに又、非晶質炭化珪素（α−Ｂｉ
Ｏ）、非晶質酸化珪素（ａ −Ｅ３ｉＱｘ）、非晶質
酸化珪素（α−ｓｚ ＮＸ ）又は非晶質酸化窒化珪素
（α〜ｓｉ ＯＸ ＮＹ ＞等より成る高抵抗層１３を
設けることにより、電極１６からのホールの注入を阻止
し、暗電流を低く押ざえることができる。
導体層１２をＰ型の非晶質炭化珪素（Ｐα−ＢｉＯ）と
Ｎ型の非晶質珪素（ｎａ−８ｉ）又はＮ型の非晶質炭化
珪素（ｎａ−５Ｚａ）で扶むことにより、ｐ−１−ｎ型
構造として、ｉ層に内部電界を生じさせ、低電界印加時
の光電流の立ち上がりを急峻化１１、；卜一 することができると同時に、電極の材質による仕事関数
の違いに依存して変化する非晶質半導体層１２のバンド
の曲がりを電極の材質によらず再現性よく生じさせるこ
とが可能となる。ジらに又、非晶質炭化珪素（α−Ｂｉ
Ｏ）、非晶質酸化珪素（ａ −Ｅ３ｉＱｘ）、非晶質
酸化珪素（α−ｓｚ ＮＸ ）又は非晶質酸化窒化珪素
（α〜ｓｉ ＯＸ ＮＹ ＞等より成る高抵抗層１３を
設けることにより、電極１６からのホールの注入を阻止
し、暗電流を低く押ざえることができる。
以上、述べた様に本発明のセンサー構造によｈば、電極
の材質によらず、良好なセンサー特性が再現性よく得ら
れる。
の材質によらず、良好なセンサー特性が再現性よく得ら
れる。
第１図は、本発明の実施例におけるセンサー構造の概念
図を示す。第１図において、１１は透明電極、１２は珪
素を含有する非晶質半導体層、１３け珪素の他に炭素、
酸素、窒素のうちの少なくとも一つの元素を含有する非
晶質半導体層、１４は珪素及び炭素を含有する非晶質半
導体層で元素周期表中筒ｗ−ｂ族を５ｐｐｍ〜５優原子
数パーセント混入しである。１５は珪素を含有する非晶
質半導体層で元素周期表中温Ｖ−４族を５ Ｈｍ〜０５
憾原子数パーセント混入しである。ざらに該半導体層１
５に炭素を混入する場合もある。１６は電極である。
図を示す。第１図において、１１は透明電極、１２は珪
素を含有する非晶質半導体層、１３け珪素の他に炭素、
酸素、窒素のうちの少なくとも一つの元素を含有する非
晶質半導体層、１４は珪素及び炭素を含有する非晶質半
導体層で元素周期表中筒ｗ−ｂ族を５ｐｐｍ〜５優原子
数パーセント混入しである。１５は珪素を含有する非晶
質半導体層で元素周期表中温Ｖ−４族を５ Ｈｍ〜０５
憾原子数パーセント混入しである。ざらに該半導体層１
５に炭素を混入する場合もある。１６は電極である。
続いて、第４図に、本発明の実施例におけるセンサーの
暗電流及び光電流の印加電圧依存性を示す。第４図にお
いて、４１は暗電流特性を、４２け４５ｏｎｍの光を１
０μＶｌ／ａｍ２ 照射した場合の充電流特性を示す。
暗電流及び光電流の印加電圧依存性を示す。第４図にお
いて、４１は暗電流特性を、４２け４５ｏｎｍの光を１
０μＶｌ／ａｍ２ 照射した場合の充電流特性を示す。
本発明θ）センサー構造によれば、暗電流を低く惺ちつ
つ、低電界印加時の光電流の立ち上がりを急峻にするこ
とかで良る。
つ、低電界印加時の光電流の立ち上がりを急峻にするこ
とかで良る。
尚、第４図に特性を示したセンサーは下地電極としてＩ
ＴＯ１Ｆ部Ｍ極としてＡｔを用いた場合を示しであるが
、下地にＡｌ、上部にＩＴＯを用いた場合も同様の特性
を示す他、Ｃｒ、ニッケル（Ｎｉ）、ニクロム（Ｎｉ−
Ｏｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、酸化錫（
ｓｎｏ□）等の種々の電極材料を用いても、第４図に示
した特性と類似した特性が再現性よく得られた。
ＴＯ１Ｆ部Ｍ極としてＡｔを用いた場合を示しであるが
、下地にＡｌ、上部にＩＴＯを用いた場合も同様の特性
を示す他、Ｃｒ、ニッケル（Ｎｉ）、ニクロム（Ｎｉ−
Ｏｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、酸化錫（
ｓｎｏ□）等の種々の電極材料を用いても、第４図に示
した特性と類似した特性が再現性よく得られた。
又、従来型と比べて、センサー特性の口・ノド間のばら
つき、又は製造装置によるばらり・森が極めて小ジ〈な
り、安宇した特性のセンサーを再現性よ〈量産すること
が回部となった。
つき、又は製造装置によるばらり・森が極めて小ジ〈な
り、安宇した特性のセンサーを再現性よ〈量産すること
が回部となった。
ざらに、α−ｓｉ層を成嘆後、上部電極を形成する工程
において、従来型のセンサーでは、α−８ｉをエツチン
グ後、上部電、極を形成、エツチングする場合と、上部
電極を形成、エツチング後、α−ｓｉをエツチングする
場合とで特性が大きく異なる場合が入られたが、本発明
のセンサーにおいては上記の様な特性の違いがほとんど
入られなくなり非晶質半導体層と電極との安宇した接合
が得られることがわかる。
において、従来型のセンサーでは、α−８ｉをエツチン
グ後、上部電、極を形成、エツチングする場合と、上部
電極を形成、エツチング後、α−ｓｉをエツチングする
場合とで特性が大きく異なる場合が入られたが、本発明
のセンサーにおいては上記の様な特性の違いがほとんど
入られなくなり非晶質半導体層と電極との安宇した接合
が得られることがわかる。
以上述べたように本発明によれば、第４図に示したセン
サ構造とすることによシ、暗電流を低く押−ｇｔつつ、
センサーに印加される電圧が低い場合でも理論値に近い
光電流が得られ、かつ、電極の材質に依存せず上記特性
が再現性よく得られる。
サ構造とすることによシ、暗電流を低く押−ｇｔつつ、
センサーに印加される電圧が低い場合でも理論値に近い
光電流が得られ、かつ、電極の材質に依存せず上記特性
が再現性よく得られる。
さらｋ、製造装置やロット間でのセンサー特性のばらつ
きが極めて小さくなり、安定した特性が得られ、１産性
に優れた構造と言える。
きが極めて小さくなり、安定した特性が得られ、１産性
に優れた構造と言える。
尚、非晶質半導体層１３としてけ、α−Ｂｉｂ。
α−ｅｉ Ｎｘ 、 ａ −５ｊｏｘＮｙ、 ａ −ｓ
ｊ ｏｘ等の高抵抗膜を用いることが有効であるが中で
もα−８ｊ Ｏを用いた場合、暗電流を低く押ζえつつ
、光電流の低電界印加時の立ち上がりが急峻となること
を確認した。
ｊ ｏｘ等の高抵抗膜を用いることが有効であるが中で
もα−８ｊ Ｏを用いた場合、暗電流を低く押ζえつつ
、光電流の低電界印加時の立ち上がりが急峻となること
を確認した。
又該半導体層に微量の元素周期表中第ｖ−ｂ族を混入す
ることにより、光電流の立ち上がりが急峻となる場合も
ある。
ることにより、光電流の立ち上がりが急峻となる場合も
ある。
又、非晶質半導体層１４には、ｎａ−８ｉを用いる場合
と、ｎａ−ｓｉｃを用いる場合とがあるが、前者は光電
流の低電界印加時の急峻な立ち上がり特性を必要とする
場合有効であり、ｏ１ｖｓ度で飽和値の９０チまで立ち
上がることができるものの、暗電流を低く押はえる場合
には半導体＃１３の膜厚を厚くする必要があり、結果と
して、上記立ち上がりを鈍くすることとなることから、
暗電流よりも光電流の急峻な立ち上がりを必要とする場
合に有効な構造と言える。
と、ｎａ−ｓｉｃを用いる場合とがあるが、前者は光電
流の低電界印加時の急峻な立ち上がり特性を必要とする
場合有効であり、ｏ１ｖｓ度で飽和値の９０チまで立ち
上がることができるものの、暗電流を低く押はえる場合
には半導体＃１３の膜厚を厚くする必要があり、結果と
して、上記立ち上がりを鈍くすることとなることから、
暗電流よりも光電流の急峻な立ち上がりを必要とする場
合に有効な構造と言える。
一方、ｎａ −Ｓｉ ａを用いた場合は、上記立ち上が
り特性は、０．５ｖ程度で９０４と低下するもののｎａ
−Ｂｉを用いた場合と比べて、暗電流を低く債っことが
容易であることから、暗電流を低く押ハ銀る必要がある
場合に有効な構造と言上る。
り特性は、０．５ｖ程度で９０４と低下するもののｎａ
−Ｂｉを用いた場合と比べて、暗電流を低く債っことが
容易であることから、暗電流を低く押ハ銀る必要がある
場合に有効な構造と言上る。
第１図は本発明の実施例におけるセンサー構造の概念図
。 第２図は従来型の概念図。 第５図は従来型のセンサー特性。 箱４図は本発明の実施例のセンサー特性。 １１・・・・・・透明電極 １２・・・・・・α−８ｉ層 １３−−−−−・ａ −Ｂｉ ＯＸ又けａ−ＢｉＯｘ又
けａ−ｓｊｏｘＮｙ又けα−ｓｉ Ｎｘ層 １４・・・・・・Ｐα−ｓｉｃ層 １５・・・・・・ｎａ−鑓又けｎａ−ｓｉｃ層１６・・
・・・・電極 ２１・・・・・・σ−ｅｉ層 ２２．２３・・・・・・電極 ２４・・・・・・基板 ３１．３２・・・・・・暗電流特性 ３１’、３２’・・・・・・光電流特性４１・・・・・
・暗電流特性 ４２・・・・・・光電流特性 以 −ト
。 第２図は従来型の概念図。 第５図は従来型のセンサー特性。 箱４図は本発明の実施例のセンサー特性。 １１・・・・・・透明電極 １２・・・・・・α−８ｉ層 １３−−−−−・ａ −Ｂｉ ＯＸ又けａ−ＢｉＯｘ又
けａ−ｓｊｏｘＮｙ又けα−ｓｉ Ｎｘ層 １４・・・・・・Ｐα−ｓｉｃ層 １５・・・・・・ｎａ−鑓又けｎａ−ｓｉｃ層１６・・
・・・・電極 ２１・・・・・・σ−ｅｉ層 ２２．２３・・・・・・電極 ２４・・・・・・基板 ３１．３２・・・・・・暗電流特性 ３１’、３２’・・・・・・光電流特性４１・・・・・
・暗電流特性 ４２・・・・・・光電流特性 以 −ト
Claims (2)
- （１）珪素を含有する非晶質半導体を光電変換素子材と
して用いた固体撮像装置において、珪素を含有する非晶
質半導体層１２と珪素の他に炭素、酸素、窒素のうち少
なくとも一つの元素を含有する非晶質半導体層１３と珪
素及び炭素を含有し、元素周期表中第II−ｂ族を５ｐｐ
ｍ〜５％原子数パーセント混入した非晶質半導体層１４
及び珪素を含有し、元素周期表中第Ｖ−ｂ族を５ｐｐｍ
〜１％原子数パーセント混入した非晶質半導体層１５を
積層したことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記非晶質半導体層１５に炭素を混入したことを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230949A JPH0624250B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230949A JPH0624250B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108165A true JPS61108165A (ja) | 1986-05-26 |
| JPH0624250B2 JPH0624250B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16915837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230949A Expired - Fee Related JPH0624250B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624250B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250485A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Fujitsu Ltd | 光導電体 |
| JPH02244773A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光センサー |
| EP0402480A1 (en) * | 1988-12-14 | 1990-12-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Adhered type photoelectric conversion element |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124272A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JPS5739569A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid state image pickup device |
| JPS59202663A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Toshiba Corp | 光電変換部材 |
| JPS59202664A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Toshiba Corp | 光電変換部材 |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP59230949A patent/JPH0624250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124272A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JPS5739569A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid state image pickup device |
| JPS59202663A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Toshiba Corp | 光電変換部材 |
| JPS59202664A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Toshiba Corp | 光電変換部材 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250485A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Fujitsu Ltd | 光導電体 |
| EP0402480A1 (en) * | 1988-12-14 | 1990-12-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Adhered type photoelectric conversion element |
| JPH02244773A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光センサー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0624250B2 (ja) | 1994-03-30 |
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