JP2569633B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JP2569633B2 JP2569633B2 JP62298830A JP29883087A JP2569633B2 JP 2569633 B2 JP2569633 B2 JP 2569633B2 JP 62298830 A JP62298830 A JP 62298830A JP 29883087 A JP29883087 A JP 29883087A JP 2569633 B2 JP2569633 B2 JP 2569633B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ファクシミリ送信装置等に使用する光電変
換装置に関する。
換装置に関する。
本発明は、光電変換装置において、低抵抗半導体層と
高抵抗半導体層の界面に絶縁層より成るバリア層を設け
ることにより、暗電流を低くすることができるようにし
たものである。
高抵抗半導体層の界面に絶縁層より成るバリア層を設け
ることにより、暗電流を低くすることができるようにし
たものである。
センサー部にポリSi層を形成し、この上に水素化アモ
ルファスSi（ａ−Si:H）層を形成してヘテロ接合型の光
電変換装置を構成することにより、センサー部と同じく
ポリSiより成るトランジスタの基体領域を同一工程で形
成することができるため、製造効率を向上させることが
できるようにした構成が提案されている。（特願昭62−
19996号出願参照）。
ルファスSi（ａ−Si:H）層を形成してヘテロ接合型の光
電変換装置を構成することにより、センサー部と同じく
ポリSiより成るトランジスタの基体領域を同一工程で形
成することができるため、製造効率を向上させることが
できるようにした構成が提案されている。（特願昭62−
19996号出願参照）。
上述したポリSi層とアモルファスSi層との積層構造よ
り成る光電変換装置の場合、暗電流が充分低くならず、
このためコントラストが良好ではないという問題点があ
った。
り成る光電変換装置の場合、暗電流が充分低くならず、
このためコントラストが良好ではないという問題点があ
った。
本発明は、上記問題点を解決することができる光電変
換装置を提供するものである。
換装置を提供するものである。
本発明は、同一基板（１）上に横方向に第１導電型の
低抵抗半導体層（２）及び第２導電型の低抵抗半導体層
（７）が形成されると共に、両低抵抗半導体層（２），
（７）間に高抵抗半導体層（４）が形成され、低抵抗半
導体層（２），（７）と高抵抗半導体層（４）の界面に
絶縁層（３）より成るバリア層を設けたことを特徴とす
る。
低抵抗半導体層（２）及び第２導電型の低抵抗半導体層
（７）が形成されると共に、両低抵抗半導体層（２），
（７）間に高抵抗半導体層（４）が形成され、低抵抗半
導体層（２），（７）と高抵抗半導体層（４）の界面に
絶縁層（３）より成るバリア層を設けたことを特徴とす
る。
この絶縁層（３）の厚さは、40〜150Åとし、材料は
バリア層となるものであれば何でも良く、例えばSiO2,S
iN等で形成する。
バリア層となるものであれば何でも良く、例えばSiO2,S
iN等で形成する。
本発明によれば、低抵抗半導体層（２），（７）と高
抵抗半導体層（４）の間に絶縁層（３）を設け、これを
バリア層としたことにより、暗電流をかなり低下させる
ことができる。一方、光電流は、絶縁層（３）の厚さが
薄く、これにトンネル電導するため、低下はあまり生じ
ない。これにより、SN比が大きくなって高感度の光電変
換装置が得られる。
抵抗半導体層（４）の間に絶縁層（３）を設け、これを
バリア層としたことにより、暗電流をかなり低下させる
ことができる。一方、光電流は、絶縁層（３）の厚さが
薄く、これにトンネル電導するため、低下はあまり生じ
ない。これにより、SN比が大きくなって高感度の光電変
換装置が得られる。
本発明に対する比較例を製法例と共に説明する。
先ず第３図Ａに示すように、石英基板（１）上にｎ型
（又はｐ型）不純物がドープされたn+ポリSi層（２）を
形成する。
（又はｐ型）不純物がドープされたn+ポリSi層（２）を
形成する。
次に第３図Ｂに示すように、例えばN2OとSiH4/Arを原
料としてプラズマCVD法により厚さ約100ÅのSiO2層
（３）を形成する。
料としてプラズマCVD法により厚さ約100ÅのSiO2層
（３）を形成する。
次に第３図Ｃに示すように、引続き同じ装置を使用し
て、水素化アモルファスSi（ａ−Si:H）層（４）を約１
μの厚さに形成する。
て、水素化アモルファスSi（ａ−Si:H）層（４）を約１
μの厚さに形成する。
次に第３図Ｄに示すように、このアモルファスSi層
（４）上に透明導電膜となるITO膜（５）（又は下側か
ら光を入射させるのであれば金属層）を形成して、光電
変換装置（６）を作製する。
（４）上に透明導電膜となるITO膜（５）（又は下側か
ら光を入射させるのであれば金属層）を形成して、光電
変換装置（６）を作製する。
上記比較例の縦（サンドイッチ）型製造に対して、本
発明の実施例として、例えばセンサー部を櫛型構造とし
た光電変換装置を構成する。即ち、第１図と第２図に示
すように、石英基板（１）上に第１導電型の低抵抗半導
体層、例えばn+ポリSi層（２）と、第２導電型の低抵抗
半導体層、例えばp+ポリSi層（７）を櫛歯状に交互に配
置し、それぞれポリSi層（２），（７）上に厚さ約70Å
のSiO2層（３）を形成した後、水素化アモルファスSi層
（４）を形成して光電変換装置（６）を作製する。な
お、両ポリSi層（２），（７）の縦横の一辺はそれぞれ
400μｍである。
発明の実施例として、例えばセンサー部を櫛型構造とし
た光電変換装置を構成する。即ち、第１図と第２図に示
すように、石英基板（１）上に第１導電型の低抵抗半導
体層、例えばn+ポリSi層（２）と、第２導電型の低抵抗
半導体層、例えばp+ポリSi層（７）を櫛歯状に交互に配
置し、それぞれポリSi層（２），（７）上に厚さ約70Å
のSiO2層（３）を形成した後、水素化アモルファスSi層
（４）を形成して光電変換装置（６）を作製する。な
お、両ポリSi層（２），（７）の縦横の一辺はそれぞれ
400μｍである。
この櫛型構造に係る光電変換装置（６）について光電
流と暗電流を測定した結果を第４図に示す。同図で曲線
Ａが光電流、曲線Ｂが暗電流である。また、第５図にSi
O2層を形成しないで本実施例と同様に作製した従来例の
光電変換装置について光電流と暗電流を測定した結果を
示す。同図で曲線Ｃは光電流、曲線Ｄは暗電流である。
従って、本実施例に係る光電変換装置（６）によれば、
暗電流は大きく低下しているが、光電流の低下は小さい
ことがわかる。この結果、SN比は従来例より大きな値が
得られることになる。
流と暗電流を測定した結果を第４図に示す。同図で曲線
Ａが光電流、曲線Ｂが暗電流である。また、第５図にSi
O2層を形成しないで本実施例と同様に作製した従来例の
光電変換装置について光電流と暗電流を測定した結果を
示す。同図で曲線Ｃは光電流、曲線Ｄは暗電流である。
従って、本実施例に係る光電変換装置（６）によれば、
暗電流は大きく低下しているが、光電流の低下は小さい
ことがわかる。この結果、SN比は従来例より大きな値が
得られることになる。
本発明によれば、光電流はあまり低下させないで、暗
電流を大きく低下させることができるため、SN比が増大
して高感度の光電変換装置が得られる。
電流を大きく低下させることができるため、SN比が増大
して高感度の光電変換装置が得られる。
第１図は実施例の断面図、第２図は実施例の平面図、第
３図は比較例の製法例の工程図、第４図は実施例の特性
図、第５図は従来例の特性図である。 （１）は石英基板、（２），（７）はポリSi層、（４）
はアモルファスSi層、（５）はITO膜、（６）は光電変
換装置である。
３図は比較例の製法例の工程図、第４図は実施例の特性
図、第５図は従来例の特性図である。 （１）は石英基板、（２），（７）はポリSi層、（４）
はアモルファスSi層、（５）はITO膜、（６）は光電変
換装置である。
Claims (1)
- 【請求項１】同一基板上に横方向に第１導電型の低抵抗
半導体層及び第２導電型の低抵抗半導体層が形成される
と共に、 両低抵抗半導体層間に高抵抗半導体層が形成され、 上記低抵抗半導体層と高抵抗半導体層の界面に絶縁膜よ
り成るバリア層を設けたことを特徴とする光電変換装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298830A JP2569633B2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298830A JP2569633B2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140675A JPH01140675A (ja) | 1989-06-01 |
| JP2569633B2 true JP2569633B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17864772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62298830A Expired - Fee Related JP2569633B2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569633B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5288338A (en) * | 1990-05-23 | 1994-02-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar cell and method of producing the solar cell |
| JPH0795603B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1995-10-11 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785271A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-27 | Atlantic Richfield Co | Photovoltaic device and method of producing same |
| US4398054A (en) * | 1982-04-12 | 1983-08-09 | Chevron Research Company | Compensated amorphous silicon solar cell incorporating an insulating layer |
| JPS6235583A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Fujitsu Ltd | アモルフアスシリコンフオトダイオ−ドの構成方法 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP62298830A patent/JP2569633B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01140675A (ja) | 1989-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |