KR960035117A - 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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Abstract

게이트 라인을 알루미늄으로 하고 핀홀이 없는 양극 산화막을 적용하는 구조에서 박막 트랜지스터상에 블랙 매트릭스 구조가 가능하면서 전체적으로 7단계 마스크의 공정으로 단순화시킬 수 있으며, 또한 광차단 효과를 거둘 수 있는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 박막 트랜지스터 아래에 블랙 매트릭스 패턴 형성이 가능하고, 내화학성이 강한 금속을 증착하여 패턴을 형성하고, 절연막을 증착하고, 게이트 메탈과 접속을 위한 패턴을 형성하고, 알루미늄을 사용하여 게이트 메탈을 형성하고 전면 양극 산화 공정을 실시하고, 3층막 SiNX와 비정질 규소와 SiNX을 에칭 스톱퍼 구조 형성을 위하여 연속 증착하고 채널 보호를 위한 에칭 스톱퍼 패턴을 형성하고, 소스와 드레인 증착하고 패턴화하고, 상기 소스와 드레인 금속을 마스크로 하여 전면적으로 도핑 농도가 높은 n 타입 비정질 규소가 에칭되고 소스와 드레인 메탈이 없는 부분은 비정질 규소도 에칭되고, 상기 비정질 규소가 에칭될 때 채널부는 어체 스토퍼가 블록킹층 역할을하여 비정질 규소를 보호하고, 보호막을 CVD 증착하고 패턴을 형성하여 본딩패드부의 노출 및 화소 투명화소전극(ITO)과 드레인 메탈과 접촉시키고, 본딩 패드부에서는 패드부 절연막, 게이트 절연막, 보호막이 제거되고, 드레인부에서는 보호막만 제거되고, 투명화소전극(ITO) 투명 도전막을 셔터링 증착하고 화소와 본딩 패드의 집적회로의 접촉 향상을 위하여 패턴을 형성하는 7단계로 구성된다.

Description

블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 박막 트랜지스터 아래에 블랙 매트릭스 패턴 형성이 가능하게 금속을 증착하여 패드부의 패턴을 형성하는 1단계와, 절연막을 증착하고, 게이트 메탈과 접속을 위한 패턴을 형성하는 2단계와, 알루미늄을 사용하여 게이트 메탈을 형성하고 전면 양극 산화 공정을 실시하는 3단계와, 3층막을 에칭 스톱퍼 구조 형성을 위하여 연속 증착하고 채널 보호를 위한 에칭 스톱퍼 패턴을 형성하는 4단계와, 소스와 드레인 증착하고 패턴화하는 5단계와, 상기 소스와 드레인 금속을 마스크로 하여 전면적으로 도핑 농도가 높은 n 타임 비정질 규소가 에칭되고 소스와 드레인 메탈이 없는 부분은 비정질 규소도 에칭되고, 상기 비정질 규소가 에칭될 때 채널부는 에칭 스토퍼가 블록킹층 역할을 하여 에칭 스토퍼 하단의 비정질 규소를 보호하고, 보호막을 DVD 증착하고 패턴을 형성하고 본딩 패드부의 노출 및 화소 투명화소전극(ITO)과 드레인 메탈과 접촉하는 6단계와, 본딩 패드부에서는 패드부 절연막, 게이트 절연막, 보호막이 제거되고, 드레이부에서는 보호막만 제거되고, 투명화소전극(ITO) 투명 도전막을 증착하고 화소와 본딩 패드의 집적회로와 접촉 향상을 위하여 패턴을 형성하는 7단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 3단계에서 게이트를 알루미늄의 단일층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 1단계에서 패드와 블랙 매트릭스가 동시에 같은 금속으로 형성되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 패드와 블랙 매트릭스위에 절연막을 형성함으로서, 게이트 알루미늄에 양극 산화 포토 공정이 필요없는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 패드부는 내화학성, 내구성이 강한 금속을 재료로 사용하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 절연막으로는 SiOX, SiNXSiOXNX물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 게이트부의 증착시에 패드부와 접촉되는 부분은 알루미늄이 완전히 패드부를 덮어 씌울 수 있는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기한 채널부를 제외한 나머지 부분에서 도핑 농도가 높은 n 타입 비정질 규소와 비정질 규소를 완전히 제거하기 위하여 오버에치하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기한 채널 보호를 위한 에칭 스톱퍼는 에칭 스톱퍼 구조를 형성하기 위한 3층막으로는 SiNX와 비정질 규소와 SiNX을 연속 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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