KR900002110A - 액티브 매트릭스 패널의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

액티브 매트릭스 패널의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도(a)~(d)는 본 발명의 제 1 및 제 3의 실시예를 설명하기 위한 공정의 흐름을 도시한 도면.
제 2도(a)는 제 1도(d)에 도시한 패널의 평면도.
제 2도(b)는 제 2도(a)의 부분 확대도.
제 3도(a)~(d)는 본 발명의 제 2및 제 6의 실시예를 설명하기 위한 공정의 흐름을 도시한 도면.
제 9도(a)~(d)는 본 발명의 제 7도의 실시예를 설명하기 위한 공정의 흐름을 도시한 도면.

Claims (11)

  1. 액티브 매트릭스형의 액정 패널에 있어서, 기판위에 차례로 퇴적한 투명도전막과 금속막의 2층막을 가공하는 것에 의해 적어도 화소전극과 박막 트랜지스터의 게이트전극을 동시에 패턴 형성하고, 상기 박막 트랜지스터의 소오스 및 드레인전극을 형성하는 가공시와 동시에 상기 화소전극상의 금속막을 제거하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  2. 액티브 매트릭스형의 액정패널에 있어서, 기판위에 차례로 퇴적한 투명도전막과 금속막의 2층막을 가공하는 것에 의해 적어도 화소전극과 박막 트랜지스터의 게이트전극을 동시에 패턴형성하고, 상기 박막 트랜지스터의 소오스 및 드레인전극을 형성하는 가공시와 동시에 상기 박막 트랜지스터의 소오스 배선의 아래층쪽에 퇴적된 불순물이 함유된 비정질 실리콘막이 불필요한 부분과 상기 화소전극상의 금속막을 제거하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  3. 액티브 매트릭스형의 액정패널에 있어서, 기판위에 차례로 퇴적한 투명도전막과 금속막의 2층막을 가공하는 것에 의해 적어도 화소전극과 박막 트랜지스터의 게이트전극을 동시에 패턴형성하고, 상기 박막 트랜지스터의 소오스 및 드레인전극을 형성하는 가공시와 동시에, 상기 박막 트랜지스터의 소오스 배선의 아래층측에 퇴적된 불순물이 함유된 비정질 실리콘막이 불필요한 부분, 상기 불순물이 함유된 비정질 실리콘막의 아래층측에서 게이트절연막의 위층측에 퇴적된 비정질 실리콘막이 불필요한 부분 및 상기 화소전극상의 금속막을 제거하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  4. 특허청구의 범위 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 화소전극은 그 중앙부가 투명도전막으로 형성되고, 그 주변부가 투명도전막과 금속막의 2층막으로 형성되어 있는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  5. 특허청구의 범위 제 3항에 있어서, 상기 불순물이 함유된 비정질 실리콘막과 상기 비정질실리콘막사이에 실리콘을 주성분으로하고 적어도 산소를 함유하는 화합물로 되는 보호막을 개재시킨 액티브 매트릭스 패닐의 제조방법.
  6. 특허청구의 범위 제 4항에 있어서, 상기 불순물이 함유된 비정질 실리콘막과 상기 비정질실리콘막사이에 실리콘을 주성분으로하고 적어도 산소를 함유하는 화합물로 되는 보호막을 개재시킨 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  7. 특허청구의 범위 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 화소전극과 게이트전극을 동시에 형성하는 가공 및 상기 소오스, 드레인전극을 형성하는 가공이 포토마스크를 사용한 포토리도그래피에 의한 가공인 액티브 매트릭스패널의 제조방법.
  8. 적어도 박막 트랜지스터 부분과 화소전극부분을 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법에 있어서, 유리기판위에 투명도전막을 퇴적하고, 투명도전막위에 하부도전막을 퇴적하고, 투명도전막과 하부도전막의 2층막을 가공하는 것에 의해 상기 박막 트랜지스터 부분의 게이트전극 및 상기 화소전극부분을 형성하는 제 1의 단계, 절연막, 절연막에 이어 반도체막, 반도체막에 이어 보호막을 퇴적하고, 상기 보호막을 상기 박막 트랜지스터부분의 게이트전극의 폭보다 좁게 가공하는 것에 의해 상기 보호막을 형성하는 제 2의 단계, 상기 반도체막을 상기 게이트전극의 폭보다 채널길이 방향으로 넓게하고, 채널폭 방향으로 짧게 가공하는 제 3의 단계 및 불순물이 함유된 반도체막을 퇴적하고, 불순물이 함유된 반도체막에 이어 제 1의 상부도전막을 퇴적하고, 제 1의 상부도전막에 이어 제 2의 상부도전막을 퇴적하고, 불순물이 함유된 반도체막, 제 1및 제 2의 상부도전막의 3층막을 가공하는 것에 의해, 상기 박막 트랜지스터부분의 드레인 및 소오스전극을 형성함과 동시에, 상기 드레인 및 소오스전극의 어느 한쪽의 전극과 상기 화소전극의 접촉부분이외의 화소전극상의 영역에서 상기 3층막을 제거하고, 그후 계속해서 상기 하부도전막을 제거하는 제 4의 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  9. 적어도 박막 트랜지스터 부분과 화소전극부분을 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법에 있어서, 유리기판위에 투명도전막을 퇴적하고, 투명도전막위에 하부도전막을 퇴적하고, 투명도전막과 하부도전막의 2층막을 가공하는 것에 의해 상기 박막 트랜지스터부분의 게이트전극 및 상기 화소전극부분을 형성하는 제 1의 단계, 절연막, 절연막에 이어 반도체막을, 반도체막에 이어 보호막을 퇴적하고, 상기 보호막을 상기 박막 트랜지스터부분의 게이트전극의 폭보다 좁게 가공하는 것에 의해 상기 보호막을 형성하는 제 2의 단계, 상기 반도체막과 상기 절연막을 상기 화소전극부분보다 좁은 영역에서 제거하는 제 3의 단계 및 불순물이 함유된 반도체막을 퇴적하고, 불순물이 함유된 반도체막에 이어 상부도전막을 퇴적하고, 불순물이 함유된 반도체막과 상부도전막의 2층막을 가공하는 것에 의해 상기 박막 트랜지스터부분의 드레인 및 소오스전극을 형성함과 동시에 상기 드레인 및 소오스전극의 어느 한쪽의 전극과 상기 화소전극의 접촉부분 이외의 화소전극상의 영역에서 상기 2층막을 제거하고, 그후 계속해서 상기 반도체막을 가공하고, 또 상기 화소전극부분위의 상기 하부도전막을 제거하는 제 4의 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  10. 적어도 박막 트랜지스터부분과 화소전극부분을 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법에 있어서, 유리기판위에 투명도전막을 퇴적하고, 투명도전막위에 하부도전막을 퇴적하고, 투명도전막과 하부도전막의 2층막을 가공하는 것에 의해 상기 박막 트랜지스터부분의 게이트전극 및 상기 화소전극부분을 형성하는 제 1의 단계, 절연막, 절연막에 이어 반도체막을 반도체막에 이어 SiXOYNZ를 함유하는 보호막을 퇴적하고, 상기 보호막을 상기 박막 트랜지스터부분에 게이트전극의 폭보다 좁게 가공하는 것에 의해 상기 보호막을 형성하는 제 2의 단계, 상기 화소전극부분보다 좁은 영역에서 상기 절연막을 제거하고, 불순물이 함유된 반도체막을 퇴적하고 불순물이 함유된 반도체막을 박막 트랜지스터부분의 소오스 및 드레인전극보다 작게 또한 상기 보호막의 중앙부분을 제거하도록 가공하고, 또 계속해서 상기 반도체막을 가공하는 제 3의 단계, 제 1의 상부도전막을 퇴적하고, 제 1의 상부도전막을 퇴적하고, 제 1의 상부도전막에 이어 제 2의 상부도전막을 퇴적하고, 제 1 및 제 2의 상부도전막의 2층막을 가공하는 것에 의해 상기 드레인 및 소오스전극을 형성함과 동시에 상기 드레인 및 소오스전극의 어느 한쪽의 전극과 상기 화소전극의 접촉부분이외의 화소전극상이 영역에서 상기 2층막을 제거하고, 그후 계속해서 상기 하부도전막을 제거하는 제 4의 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
  11. 적어도 박막 트랜지스터부분과 화소전극부분을 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법에 있어서, 유리기판위에 투명도전막을 퇴적하고, 투명도전막위에 하부도전막을 퇴적하고, 상기 박막 트랜지스터부분의 게이트전극 및 상기 화소전극부분을 형성하는 제 1의 단계, 게이트절연막, 게이트절연막에 이어 a-si의 반도체막을, 반도체막에 이어 보호막을 퇴적하고, 상기 보호막을 형성하는 제 2의 단계, 상기 반도체막과 상기 절연막을 상기 화소전극부분에서 제거하는 제 3의 단계 및 불순물이 함유된 반도체막을 퇴적하고, 불순물이 함유된 반도체막에 이어 상부도전막을 퇴적하고, 상기 박막 트랜지스터부분의 드레인 및 소오스전극을 형성함과 동시에, 화소전극상에서 상기 불순물이 함유된 반도체막 및 상부도전막을 제거하고, 계속해서 상기 반도체막을 가공하고, 또 상기 화소전극부분상의 상기 하부도전막을 제거하는 제 4의 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 패널의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100862536B1 (ko) * 2002-11-07 2008-10-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
KR101013715B1 (ko) * 2003-12-23 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6319876A (ja) * 1986-07-11 1988-01-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ装置
US5270845A (en) * 1987-02-19 1993-12-14 Mitsubishi Denki K.K. Liquid crystal display unit manufacturing method including forming one of two gate line layers of display electrode material
US6067062A (en) * 1990-09-05 2000-05-23 Seiko Instruments Inc. Light valve device
US5156986A (en) * 1990-10-05 1992-10-20 General Electric Company Positive control of the source/drain-gate overlap in self-aligned TFTS via a top hat gate electrode configuration
US5402254B1 (en) * 1990-10-17 1998-09-22 Hitachi Ltd Liquid crystal display device with tfts in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films before the deposition of silicon
JPH0572553A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US5633175A (en) * 1991-12-19 1997-05-27 Hitachi, Ltd. Process for stripping photoresist while producing liquid crystal display device
JP3200639B2 (ja) * 1992-05-19 2001-08-20 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネルの製造方法
US5728592A (en) * 1992-10-09 1998-03-17 Fujitsu Ltd. Method for fabricating a thin film transistor matrix device
US6323071B1 (en) 1992-12-04 2001-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device
US5403762A (en) * 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
FR2702882B1 (fr) * 1993-03-16 1995-07-28 Thomson Lcd Procédé de fabrication de transistors à couches minces étagés directs.
JPH06347827A (ja) * 1993-06-07 1994-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
KR950012702A (ko) * 1993-10-21 1995-05-16 이헌조 박막트랜지스터 제조방법
DE4339721C1 (de) * 1993-11-22 1995-02-02 Lueder Ernst Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus Dünnschichttransistoren
US5466618A (en) * 1993-12-29 1995-11-14 Goldstar Co., Ltd. Method for fabricating a thin film transistor for a liquid crystal display
JP2738289B2 (ja) * 1993-12-30 1998-04-08 日本電気株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR0139346B1 (ko) * 1994-03-03 1998-06-15 김광호 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
JP3678437B2 (ja) * 1994-03-16 2005-08-03 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
JP2755376B2 (ja) * 1994-06-03 1998-05-20 株式会社フロンテック 電気光学素子の製造方法
US5587329A (en) * 1994-08-24 1996-12-24 David Sarnoff Research Center, Inc. Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region
US6104041A (en) * 1994-08-24 2000-08-15 Sarnoff Corporation Switching circuitry layout for an active matrix electroluminescent display pixel with each pixel provided with the transistors
JPH08184853A (ja) * 1994-12-27 1996-07-16 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法およびアクティブマトリクス基板
US5539219A (en) * 1995-05-19 1996-07-23 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Thin film transistor with reduced channel length for liquid crystal displays
JP3866783B2 (ja) * 1995-07-25 2007-01-10 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JPH0951098A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Sharp Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH09105953A (ja) 1995-10-12 1997-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US6900855B1 (en) * 1995-10-12 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having resin black matrix over counter substrate
DE69635239T2 (de) * 1995-11-21 2006-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
US6682961B1 (en) * 1995-12-29 2004-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof
JP3856889B2 (ja) 1997-02-06 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型表示装置および電子デバイス
JP3313298B2 (ja) * 1997-02-24 2002-08-12 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
US5976902A (en) * 1998-08-03 1999-11-02 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a fully self-aligned TFT-LCD
KR100459482B1 (ko) * 1998-10-02 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터및그제조방법
KR100333274B1 (ko) * 1998-11-24 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100430232B1 (ko) * 1998-12-21 2004-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및액정표시장치의축적캐패시터
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
KR100333983B1 (ko) * 1999-05-13 2002-04-26 윤종용 광시야각 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및그의 제조 방법
JP5408829B2 (ja) * 1999-12-28 2014-02-05 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー アクティブマトリックス基板の製造方法
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2003202589A (ja) 2001-12-28 2003-07-18 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
GB0229699D0 (en) * 2002-12-19 2003-01-29 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal displays
KR101086478B1 (ko) * 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101043675B1 (ko) 2004-06-05 2011-06-22 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101076426B1 (ko) * 2004-06-05 2011-10-25 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101073403B1 (ko) * 2004-09-09 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101127836B1 (ko) * 2005-06-30 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2008129314A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置およびその製造方法
US7972897B2 (en) * 2007-02-05 2011-07-05 Intermolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
KR101804589B1 (ko) 2009-12-11 2018-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2012204548A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
TWI583000B (zh) * 2012-11-21 2017-05-11 Sharp Kk Semiconductor device and display device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736229A (en) * 1983-05-11 1988-04-05 Alphasil Incorporated Method of manufacturing flat panel backplanes, display transistors and displays made thereby
JPS60189970A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ
JPS61168224A (ja) * 1985-01-18 1986-07-29 Matsushita Electronics Corp 金属配線層
JPS61183687A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスタアレイの製造方法
US4933296A (en) * 1985-08-02 1990-06-12 General Electric Company N+ amorphous silicon thin film transistors for matrix addressed liquid crystal displays
JPS62126677A (ja) * 1985-11-27 1987-06-08 Sharp Corp 薄膜トランジスタアレイ
GB2185622B (en) * 1985-11-27 1989-10-11 Sharp Kk Thin film transistor array
JPS635378A (ja) * 1986-06-25 1988-01-11 シャープ株式会社 アクテイブ・マトリクス基板
JPH0830822B2 (ja) * 1986-05-26 1996-03-27 カシオ計算機株式会社 アクテイブマトリクス液晶表示装置の製造方法
JPS62280890A (ja) * 1986-05-30 1987-12-05 松下電器産業株式会社 アクテイブマトリツクスアレイ
JPS62285464A (ja) * 1986-06-03 1987-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
JPS639977A (ja) * 1986-07-01 1988-01-16 Citizen Watch Co Ltd 薄膜トランジスタ
US4728175A (en) * 1986-10-09 1988-03-01 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal display having pixels with auxiliary capacitance
JPH0691252B2 (ja) * 1986-11-27 1994-11-14 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ
JPS63281134A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Fuji Electric Co Ltd アクティブマトリックス形表示パネル
JP2536766B2 (ja) * 1987-08-11 1996-09-18 旭硝子株式会社 アクティブマトリックス型表示素子
US4778258A (en) * 1987-10-05 1988-10-18 General Electric Company Protective tab structure for use in the fabrication of matrix addressed thin film transistor liquid crystal displays

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100862536B1 (ko) * 2002-11-07 2008-10-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
KR101013715B1 (ko) * 2003-12-23 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

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JP2771820B2 (ja) 1998-07-02
US5032531A (en) 1991-07-16
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