KR980006145A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 보호막패턴을 이용하여 패드 식각을 할 수 있는 다이렉트 패드 식각 공정을 금속 가드링공정에 적용할 수 있도록 한 것으로, 2층 금속배선구조의 반도체장치의 패드영역이 제2 금속패드의 크기보다 작게 형성된 것을 특징으로 하고, 금속 가드링구조를 갖는 반도체장치의 퓨즈 박스 지역의 상기 금속 가드링에 의해 둘러싸인 영역을 제외한 영역에 소정의 보호막패턴이 형성된 것을 특징으로 하며, 반도체장치의 스크라이브 라인지역의 상기 스크라이브 라인 안쪽을 제외한 영역에 소정의 보호막패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체장치의 패드지역과 퓨즈박스지역 및 스크라이브지역을 각각 도시한 단면구조도.
Claims (16)
- 2층 금속배선구조의 반도체장치의 패드영역이 제2 금속패드의 크기 보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드영역은 상기 제2 금속패드상에 형성되는 소정의 보호막패턴에 의해 정의되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 보호막패턴은 상기 제2 금속패드영역 밖으로 벗어나지 않는 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 금속 가드링구조를 갖는 반도체장치의 퓨즈박스 지역의 상기 금속가드링에 의해 둘러싸인 영역을 제외한 영역에 소정의 보호막패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제4항에 있어서, 상기 보호막패턴은 상기 금속 가드링의 상부 중앙 부분에서 부터 형성됨을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체장치의 스크라이브 라인지역의 상기 스크라이브 라인 안쪽을 제외한 영역에 소정의 보호막패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 보호막패턴 하부에 패시베이션막이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제6항에 있어서, 상기 보호막패턴은 반도체기판상의 소정의 단차부위를 포함하는 영역 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 소정의 반도체소자 구성요소가 형성된 반도체기판상의 소정영역에 금속패드 및 금속가드링을 각각 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 패시베이션막 및 보호막을 차례로 형성하는 단계, 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 소정의 보호막패턴을 형성하는 단계, 및 상기 보호막패턴을 마스크로 하여 패드 식각공정을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 보호막패턴을 상기 금속패드영역 안쪽에는 형성하지 않고, 금속패드영역 밖으로 벗어나지 않는 금속패드 양단부분부터 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 보호막패턴은 상기 금속 가드링에 의해 둘러싸인 영역을 제외한 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 보호막패턴은 상기 금속 가드링의 상부 중앙부분부터 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 보호막패턴은 반도체장치의 스크라이브 라인지역의 상기 스크라이브 라인 안쪽을 제외한 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 보호막패턴에 의해 상기 금속패드 및 금속가이드링이 상기 패드 식각시 배리어 역할을 하게 됨으로써 다이렉트 패드 식각이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 소정의 반도체소자 구성요소가 형성된 반도체기판상의 소정영역에 퓨즈라인을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층상에 제1층 금속막을 형성하는 단계, 상기 제1층 금속막을 소정패턴으로 패터닝하여 소정영역에 제1층 금속배선과 금속 가드링 형성을 위한 하부 금속층패턴 및 제1 금속패드를 형성하는 단계, 전체구조 상부에 다층구조의 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 제1층 금속배선 및 제1 금속패드를 노출시키는 단계, 전체구조 상부에 제2층 금속막을 형성하는 단계, 상기 제2층 금속막을 소정패턴으로 패터닝하여 기판 소정영역에 제2층 금속배선과 제2 금속패드 및 상기 금속 가드링의 상부 금속층패턴을 형성하는 단계, 전체구조 상부에 패시베이션막과 보호막을 차례로 형성하는 단계, 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 소정의 보호막패턴을 형성하는 단계, 및 상기 보호막패턴을 마스크로 이용하여 다이렉트 패드 식각을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제15항에 있어서, 상기 층간절연막을 식각하는 단계에서 상기 절연층이 선택적으로 식각되도록 하여 반도체소자의 스크라이브 라인 영역을 노출시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026518A KR980006145A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026518A KR980006145A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006145A true KR980006145A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960026518A KR980006145A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006145A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010066336A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 박종섭 | 퓨즈 박스 및 그의 형성 방법 |
| KR100449029B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2004-09-16 | 삼성전자주식회사 | 패드영역에 퓨즈박스를 구비한 반도체 장치 및 그의제조방법 |
| KR100812084B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-03-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 가드링 및 그 형성방법 |
| KR100826964B1 (ko) * | 2002-06-10 | 2008-05-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026518A patent/KR980006145A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010066336A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 박종섭 | 퓨즈 박스 및 그의 형성 방법 |
| KR100449029B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2004-09-16 | 삼성전자주식회사 | 패드영역에 퓨즈박스를 구비한 반도체 장치 및 그의제조방법 |
| KR100826964B1 (ko) * | 2002-06-10 | 2008-05-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
| KR100812084B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-03-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 가드링 및 그 형성방법 |
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