KR940027071A - 시각베리어층을 이용한 텅스텐 배선 형성방법 - Google Patents
시각베리어층을 이용한 텅스텐 배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 텅스텐배선 형상방법에 관한 것으로, 하부절연층 상부에 글루층(Glue layer)을 형성하고 그 상부에 텅스텐층을 형성하는 공정과, 텅스텐층 상부에 텅스텐층에 대해 식각선택비가 큰 식각 베리어층을 증착하고, 그 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 클로린계 플라즈마로 노출된 식각베리어층을 식각하여 식각베리어층 패턴을 형성하는 공정과, 폴리우린계 플라즈마로 노출된 텅스텐층을 식각하여 텅스텐배선을 형성하는 공정과, 노출된 글루층을 건식식각하여 글루층 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 텅스텐 배선을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (2)
- 하부절연층 상부에 글루층(Glue layer)을 형성하고 그 상부에 텅스텐층을 형성하는 공정과, 텅스텐층 상부에 텅스텐층에 대해 식각선택비가 큰 식각베리어층을 증착하고, 그 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 클로린계 플라즈마로 노출된 식각베리어층을 식각하여 식각베리어층 패턴을 형성하는 공정과, 폴리오린계 플라즈마로 노출된 텅스텐층을 식각하여 텅스텐배선을 형성하는 공정과, 노출된 글루층을 건식식각하여 글루층 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 식각베리어층을 이용한 텅스텐배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각베리어층은 TiN 또는 Ti층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 식각베리어층을 이용한 텅스텐배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019930009630A KR960015567B1 (ko) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 식각베리어층을 이용한 텅스텐 배선 형성방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR940027071A true KR940027071A (ko) | 1994-12-10 |
| KR960015567B1 KR960015567B1 (ko) | 1996-11-18 |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR960015567B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100248345B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
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1993
- 1993-05-31 KR KR1019930009630A patent/KR960015567B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR960015567B1 (ko) | 1996-11-18 |
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