KR970072147A - 반도체 소자의 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 세정 방법에 관한 것으로써, 본 발명은 콘택홀의 콘택 저항을 감소시키는 것에 의하여, 반도체 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 세정 방법이며, 본 발명은 패턴화하기 위하여 형성된 감광막을 제거하기 위하여 사용되는 O2플라즈마에 의해 형성된 자연 산화막을 Ar과 H2를 이용하여 플라즈마화하여, 콘택홀 내에 장벽 금속막을 형성하기 위한 콘택홀의 에칭 단계중에 형성된 폴리머와 상기 자연 산화막을 세정하고, 에칭으로 노출된 콘택홀 내의 기판이 상부와 절연막의 표면에 Ti를 화학기상 증착방식으로 증착하고, 콘택홀에 TiN을 증착하여 장벽 금속막을 형성한다. 상기에서, 플라즈마 세정과 Ti의 화학 기상 증착은 바람직하게 인-시튜 방식으로 진행한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 세정 방법에 의한 장벽 금속막의 형성을 설명하기 위한 도면.
Claims (5)
- 반도체 기판에 절연막을 형성하고, 절연막 상부에 콘택홀 형성용 감광막을 형성한 다음, 감광막 패턴에 의하여 절연막을 제거하여 콘택홀을 형성, 세정한 다음, 장벽 금속막과, 금속배선막을 순차적으로 형성하는 반도체 소자의 세정 방법에 있어서, 상기 세정 단계는 플라즈마 가스에 의한 건식 세정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 가스는 Ar과 H2가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽 금속막은 Ti막과 TiN의 적층막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정 방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 Ti막은 화학 기상 증착방식에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 세정 단계와 Ti막의 증착 단계는 인-시튜방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960013445A KR970072147A (ko) | 1996-04-29 | 1996-04-29 | 반도체 소자의 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960013445A KR970072147A (ko) | 1996-04-29 | 1996-04-29 | 반도체 소자의 세정 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072147A true KR970072147A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66217099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960013445A KR970072147A (ko) | 1996-04-29 | 1996-04-29 | 반도체 소자의 세정 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072147A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581244B1 (ko) * | 1999-07-15 | 2006-05-22 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100714049B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2007-05-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
-
1996
- 1996-04-29 KR KR1019960013445A patent/KR970072147A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581244B1 (ko) * | 1999-07-15 | 2006-05-22 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100714049B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2007-05-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
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