KR960002636A - 금속 층간 절연막 형성 방법 - Google Patents

금속 층간 절연막 형성 방법 Download PDF

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KR960002636A
KR960002636A KR1019940012908A KR19940012908A KR960002636A KR 960002636 A KR960002636 A KR 960002636A KR 1019940012908 A KR1019940012908 A KR 1019940012908A KR 19940012908 A KR19940012908 A KR 19940012908A KR 960002636 A KR960002636 A KR 960002636A
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KR
South Korea
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insulating film
forming
interlayer insulating
film formation
formation method
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Application number
KR1019940012908A
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손기근
고재완
구영모
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 금속 층간 절연막 중 하부 절연막 형성시 절연막 형성가스의 비율을 조절하여 금속배선막 패턴의 측벽은 층덮힘을 적게하고, 기판의 표면 및 하부 금속배선막 상부 표면의 층덮힘을 크게하는 것을 특징으로 하는 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 다층금속배선 공정에서 금속층간 절연막의 평탄화 및 층 덮힘을 향상시켜 고집적 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시키는 효과를 가져온다.

Description

금속 층간 절연막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1C는 본 발명에 따른 금속 층간 절연막 형성 공정도.

Claims (1)

  1. 패턴닝된 하부 금속 배선막(2) 및 노출된 기판(1)표면을 따라 제1절연막(3)을 형성하는 단계, 상기 제1절연막(3) 상부에 평탄화 제2절연막(4)을 형성하는 단계, 상기 평탄화 제2절연막(4) 상부에 제3절연막(5)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 금속층간 절연막 형성방법에 있어서, 상기 제1절연막(3) 형성시 절연막 형성가스의 비율을 조절하여 금속배선막(2) 패턴의측벽은 층덮힘을 적게하고, 기판(1)의 표면 및 하부 금속배선막(2) 상부 표면의 층덮힘은 크게하는 것을 특징으로 하는 금속층간 절연막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940012908A 1994-06-08 1994-06-08 금속 층간 절연막 형성 방법 KR960002636A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399929B1 (ko) * 1996-06-21 2003-12-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의층간절연막형성방법

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KR100399929B1 (ko) * 1996-06-21 2003-12-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의층간절연막형성방법

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