KR970053562A - 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다층 배선 구조의 상,하부 메탈간의 연결을 위한 비아홀 형성시 절연막의 두께 차이에 의한 프로파일의 불량을 방지코자 한 층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로서, 하부 구조가 완성된 다층 배선 구조의 반도체 장치에 있어서, 하부 구조의 메탈 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 결과물의 상부에 제1절연막을 침적하는 단계; 포토레지스트를 이용한 에치백 공정을 사용하여 상기 제1절연막을 평탄화시키는 단계; 및, 상기 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것으로, 하부 메탈간의 단차에도 불구하고 스페이서를 형성시킴으로써 일정한 프로파일을 갖는 비아홀 형성 및 상부 메탈라인의 단락을 방지할 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 층간 절연막 형성 공정도이다.
Claims (1)
- 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 층간 절연막 형성에 있어서, 하부 구조의 메탈 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 결과물의 상부에 제1절연막을 침적하는 단계; 포토레지스트를 이용한 에치백 공정를 사용하여 상기 제1절연막을 평탄화시키는 단계; 및 상기 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 비아홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065862A KR970053562A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065862A KR970053562A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053562A true KR970053562A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66622773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065862A KR970053562A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053562A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065862A patent/KR970053562A/ko not_active Application Discontinuation
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