KR970030658A - 반도체장치의 배선 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체장치의 배선 형성방법에 관한 것으로서, 그 구성은 반도체기판(10)상에 층간절연막(12)을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막(12)을 사진식각법에 의해 패터닝하여 배선영역에 대응하는 홈을 형성하는 공정과; 상기 홈내에 알류미늄을 충전하여 배선막(12a)을 형성하는 공정을 포함한다. 또한 상기 알루미늄 대신에 동(Cu)를 사용할 수 있다. 상술한 방법에 의하면 알루미늄(또는 동)의 고온 스퍼터링에 의해서 형성된 배선막은 텅스텐배선막보다 배선저항이 상대적으로 저하되고, 그리고 그 배선막과 접촉되는 층간절연막과의 응력이 낮아져서 크랙 등이 발생되지 않는다. 또한, 알루미늄(또한, 동) 배선막은 알루미늄(또는 동)의 물리적 특성상 하부층과의 접착성이 양호할 뿐만아니라, 어치백시에 균일성이 양호하게 나타나는 효과가 있다.

Description

반도체장치의 배선 형성방법.

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 2a도 내지 제 2d도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 트렌치형 커패시터의 제조 방법을 보여주는 순차 공정도.

Claims (12)

1. 반도체기판(10)상에 형성된 배선용 홈내에 금속막이 충전되어 있는 배선구조를 갖는 반도체장치의 배선형성방법에 있어서, 반도체기판(10)상에 층간절연막(12)을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막(12)을 사진식각법에 의해 패터닝하여 배선영역에 대응하는 홈을 형성하는 공정과; 상기 홈내에 알루미늄을 충전하여 배선막(12a)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 배선막형성공정은 고온 스퍼터링법에 의해서 상기 홈을 충전하면서 상기 패터닝된 층간절연막(12)상에 알루미늄막(12)을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막(12)상에 있는 알루미늄막을 에치백에 의해 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 배선막형성공정은 통상의 스퍼터링법에 의해서 상기 홈내에 알루미늄을 충전하는 공정과; 상기 홈내에 충전된 상태에서 실행하는 알루미늄 플로우공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
4. 제 1항에 있어서, 상기 배선막형성공정은 CVD(chemical vapor deposition)법에 의해서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
5. 제 1항에 있어서, 상기 홈의 형성공정 후, 상기 홈의 저부에 스퍼터링법에 의해서 장벽 금속막을 형성하는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
6. 제 1항에 있어서, 상기 배선형성방법이 다층배선구조를 갖는 반도체장치의 각 배선막을 형성하는 데 적용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
7. 반도체기판(10)상에 형성된 배선용 홈내의 금속막이 충전되어 있는 배선구조를 갖는 반도체장치의 배선형성 방법에 있어서, 상기 반도체기판(10)상에 층간절연막(12)을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막(12)을 사진식각법에 의해 패터닝하여 배선영역에 대응하는 홈을 형성하는 공정과; 상기 홈내에 동(Cu)을 충전하는 배선막(12a)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
8. 제 7항에 있어서, 상기 배선막형성공정은 고온 스퍼터링법에 의해서 상기 홈을 충전하면서 상기 패터닝된 층간절연막(12)상에 Cu막을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막(12)상에 있는 Cu막을 에치백에 의해 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
9. 제 7항에 있어서, 상기 배선막형성공정은 통상의 스퍼터링법에 의해서 상기 홈내의 Cu을 충전하는 공정과; 상기 홈내의 충전된 상태에서 실행하는 Cu 플로우공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
10. 제 7항에 있어서, 상기 배선막형성공정은 CVD법에 의해서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
11. 제 7항에 있어서, 상기 홈의 형성공정 후, 상기 홈의 저부에 스퍼터링법에 의해서 장벽금속막을 형성하는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.
12. 제 7항에 있어서, 상기 배선형성방법이 다층배선구조를 갖는 반도체장치의 각 배선막을 형성하는 데 적용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선형성방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.