KR930011116A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims 1
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 종래의 블랭킷 CVD텅스텐공정을 도시한 단면도.
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 제1방법을 도시한 단면도.
제3a도 내지 제3d도는 본 발명의 제2방법을 도시한 단면도.
제4a도 내지 제4c도는 본 발명의 제2방법에 의한 일실시예를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체기판상의 절연막의 소정영역에 형성된 콘택홀을 매몰시키기 위한 블랭킷 CVD텅스텐공정시에 발생되는 키홀을 제거하는 방법에 있어서, 콘택홀 이외의 부분에 형성된 텅스텐막을 제거하기 위한 에치백 공정 후에 상기 절연막을 습식식각에 의해 표면부분을 식각하는 공정과, 블랭킷 CVD텅스텐에 의해 매몰된 콘택홀 및 상기 식각된 절연막상에 선택 CVD텅스텐을 증착시키는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 콘택홀 매몰방법.
- 반도체기판상의 절연막의 소정영역에 형성된 콘택홀을 매몰시키기 위한 블랭킷 CVD텅스텐 공정시에 발생되는 키홀을 제거하는 방법에 있어서, 콘택홀 이외의 부분에 형성된 텅스텐막을 제거하기 위한 에치백 공정 후에 블랭킷 CVD텅스텐에 의해 매몰된 콘택홀 및 상기 절연막상에 TiN막을 증착시키는 공정과, 습식식각에 의해 상기선택 CVD텅스텐을 증착시키는 공정, 및 상기 키홀 이외의 부분에 남아 있는 TiN막을 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 콘택홀 매몰방법.
- 반도체기판상의 절연막의 소정영역에 형성된 콘택홀을 매몰하는 방법에 있어서, 상기 절연막상에 금속층을 형성하는 공정과, 상기 금속층상에 TiN막을 증착시키는 공정, 상기 콘택홀의 내부에 증착된 TiN막만을 습식식각에 의해 제거하는 공정, 상기 TiN막이 제거된 콘택홀 내부에 선택된 선택 CVD텅스텐막을 형성하는 공정, 및 상기 콘택홀 이외의 부분에 남겨진 TiN막을 습식식각에 의해 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910020524A KR940011732B1 (ko) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910020524A KR940011732B1 (ko) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 반도체장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930011116A true KR930011116A (ko) | 1993-06-23 |
KR940011732B1 KR940011732B1 (ko) | 1994-12-23 |
Family
ID=19323008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910020524A KR940011732B1 (ko) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940011732B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010003207A (ko) * | 1999-06-22 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
KR100396684B1 (ko) * | 1996-11-06 | 2003-11-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의금속배선형성방법 |
KR100423065B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-06-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의키-홀발생방지방법 |
-
1991
- 1991-11-18 KR KR1019910020524A patent/KR940011732B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396684B1 (ko) * | 1996-11-06 | 2003-11-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의금속배선형성방법 |
KR100423065B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-06-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의키-홀발생방지방법 |
KR20010003207A (ko) * | 1999-06-22 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR940011732B1 (ko) | 1994-12-23 |
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