KR970023720A - 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 접촉홀 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 복수의 절연층 내에 접속홀을 형성함에 있어 홀 내벽을 완만한 경사를 갖도록 하여 금속층의 피복성을 개선하기 위해서, 반도체 영역상에 도핑되지 않는 언도핑 절연층을 형성하는 단계; 언도핑 절연층 상에 복수의 서로 다른 식각 속도를 갖는 도핑된 절연층을 형성하는 단계 ; 접촉홀 형성을 위한 감광막 사용에 따른 마스킹 작업으로 개구부를 형성하고 상기 복수의 도핑 절연층의 일부를 습식 식각하여 개구를 형성하는 단계 ; 개구부 내의 또 다른 도핑 절연층 및 상기 언도핑 절연층을 건식 식각으로 제거하여 접촉홀을 형성하는 단계; 및 습식 식각과 건식 식각 경계에서의 도핑 절연층 표면 상의 모서리를 제거하도록 습식 석각을 더 진행하는 단계로 하여 접촉홀을 형성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A) 내지 제2도(D)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법을 설명하는 공정도.
Claims (4)
- 소정의 반도체 영역과 금속층과의 접촉을 위해 상기 반도체 영역과 상기 금속층간 개재되며, 접촉홀을 내포하는 절연층이 구비된 반도체 장치 의 금속 공정에 있어서, 상기 반도체 영역상에 도핑되지 않는 언도핑 절연층을 형성하는 단계; 상기 언도핑 절연층 상에 복수의 서로 다른 식각 속도를 갖는 도핑된 절연층을 형성하는 단계; 접촉홀 형성을 위한 감광막 사용에 따른 마스킹 작업으로 개구부를 형성하고, 상기 복수의 도핑 절연층의 일부를 습식 식각하여 개구를 형성하는 단계; 상기 개부 내의 또 다른 도핑 절연층 및 상기 언도핑 절연층을 건식식각으로 제거하여 접촉홀을 형성하는 단계; 및 상기 습식 식각과 건식 식각 경계에서의 도핑 절연층 표면 상의 모서리를 제거하도록 습식 식각을 더 진행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 영역 상의 언도핑 절연층은 SiO2층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 복수의 도핑 절연층은 상기 언도핑 절연층 상에 제1 BPSG막과, 이 위의 제2 BPSG막을 포함하며, 상기 제2 BPSG막의 식각 속도는 상기 제1 BPSG막 보다 빠르도록 B 또는 P의 농도를 조절하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 BPSG막들은 화학 기상 증착 방법으로 인 시튜 불순물 농도를 조절하여 불순물과 함께 동시에 증착 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036261A KR970023720A (ko) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950036261A KR970023720A (ko) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023720A true KR970023720A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950036261A KR970023720A (ko) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 반도체 장치의 접촉홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023720A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473157B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-05-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
| KR100479816B1 (ko) * | 1997-11-26 | 2005-07-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
-
1995
- 1995-10-19 KR KR1019950036261A patent/KR970023720A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479816B1 (ko) * | 1997-11-26 | 2005-07-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| KR100473157B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-05-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
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