KR940001282A - 자기정렬 콘택형성방법 - Google Patents
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Abstract
반도체소자 제조공정에서, 층간절연막에 자기정렬 콘택홀을 형성시키는 방법에서, 콘택홀 영역에 노출된 상부의 층간절연막에 불순물을 이온주입시켜, 콘택식각시 하부의 마스크 산화막에 대한 식각선택비를 높게 하여 비트라인과 워드라인사이에 충분한 절연층을 확보하게 함으로써 누설전류를 방지할 수 있는 안정된 자기정렬콘택을 제조한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본발명에 의한 비트라인 자기정렬 콘택을 형성하는 공정순서도로서, 제2a도는 콘택마스크를 형성한후, 하부의 층간절연막에 불순물을 이온주입하는 공정을 나타내는 반도체소자의 단면도.
제2b도는 불순물이 이온주입된 절연막을 식각하여, 콘택홀을 형성하는 공정을 나타내는 반도체소자의 단면도.
제2c도는 상부에 존재하는 감광막을 제거한후 콘택홀내에 비트라인을 형성시키는 공정을 나타내는 반도체소자의 단면도.
Claims (2)
- 자기정렬 콘택형성방법에 있어서, 실리콘기판(1) 상부에 게이트 산화막(2)을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막(2) 상부에 워드라인(3)을 형성하는 단계와, 상기 워드라인(3) 상부에 마스크 산화막(4)을 형성하고, 상기 워드 라인(3) 및 마스크 산화막(4) 측벽에 스페이스 산화막(5)을 형성하는 단계와, 상기 마스크 산화막(7) 상부에 층간절연막(6)을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막(6) 상부에 포토레지스트층을 코팅시킨후, 콘택마스크(7)를 형성하는 단계와, 상기 콘택마스크(7) 상부로부터 불순물을 이온주입하여, 불순물이 이온주입된 절연막(11)을 형성하는 단계와, 상기 콘택마스크(7)를 이용하여, 하부의 불순물이 이온주입된 절연막(11)을 식각하여 콘택홀(10)을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀(10) 상부로부터 폴리실리콘을 충진시켜 비트라인(9)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 콘택형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀(10)은 불순물이 이온주입된 절연막(11)을 습식 또는 건식 식각방법으로 제거하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 콘택형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011256A KR940001282A (ko) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 자기정렬 콘택형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011256A KR940001282A (ko) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 자기정렬 콘택형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940001282A true KR940001282A (ko) | 1994-01-11 |
Family
ID=67296456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920011256A KR940001282A (ko) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 자기정렬 콘택형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940001282A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10593557B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing a semiconductor device |
-
1992
- 1992-06-26 KR KR1019920011256A patent/KR940001282A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10593557B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing a semiconductor device |
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