KR970003464A - 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 형성시, 콘택홀의 상단부에는 실리콘 스페이서를 형성하고, 콘택홀의 하단부에는 산화막 스페이서가 위치하는 2단 구조의 스페이서를 형성함으로써 콘택홀이 형성되어질 예정된 위치로부터 벗어나는 미스 얼라인이 발생하는 경우에도, 후속으로 계속 증착되는 실리콘 도선과의 접촉에 의한 단락을 방지할 수 있으며 콘택홀 형성에 따른 제조 공정상의 여유도를 크게 증가시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2F도는 본 발명의 기술에 따른 비트라인 콘택홀 형성 공정단계를 도시한 도면, 제3도는 본 발명의 방법에 따라 전하 저장전극 콘택홀을 형성한 상태를 도시한 도면.
Claims (8)
- 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 소자간 절연을 위한 소자분리 산화막과 게이트 산화막 및 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 양측에 산화막 스페이서를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 산화막을 증착한 후, 열처리하여 평탄화하는 단계와, 상기 평탄화된 산화막 상부에 실리콘을 증착하여 얇은 두께의 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘층 상부에 콘택홀을 형성하기 위한 콘택 마스크를 형성하는 단계와, 상기 콘택 마스크를 사용하여 콘택홀이 형성되는 위치의 실리콘층과 산화막의 일부를 식각하는 단계와, 실리콘을 증착한 후 식각하여 상기 식각된 실리콘층과 절연 산화막의 양측벽에 실리콘 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 양측 실리콘 스페이서에 의해 노출된 산화막을 식각하여 콘택홀을 형성하기 위한 소정깊이의 홈을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 산화막을 증착하는 단계와, 상기 노출된 산화막을 식각하여 산화막 스페이서를 형성함과 동시에 하부면이 반도체 기판의 소오스, 드레인 영역이 되도록 콘택홀을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 평탄화 산화막으로 BPSG 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 평탄화 산화막 상부에 증착되는 실리콘은 인이 도핑된 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 콘택홀 형성방법으로 비트라인 또는 전하저장전극 형성용 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
- 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 소자간 절연을 위한 소자분리 산화막과 게이트 산화막 및 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 양측에 산화막 스페이서를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 산화막을 증착한 후, 열처리하여 평탄화하는 단계와, 상기 평탄화된 산화막 상부에 실리콘을 증착하여 얇은 두께의 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘층 상부에 콘택홀을 형성하기 위한 콘택 마스크를 형성하는 단계와, 상기 콘택 마스크를 이용하여 콘택홀이 형성될 위치의 실리콘층과 산화막의 일부를 식각하는 단계와, 실리콘을 증측하여 상기 식각된 실리콘층과 절연 산화막의 양측벽에 실리콘 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 양측 실리콘 스페이서에 의해 노출된 산화막을 식각하여 하부면이 실리콘 기판이 되도록 기판을 노출시켜 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 산화막을 증착하는 단계와, 상기 노출된 산화막을 식각하여 콘택홀내의 실리콘 스페이서의 하단부에 위치하게 되는 산화막 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
- 제5항에 있어서 상기 평탄화 산화막으로 BPSG 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
- 제5항에 있어서 상기 평탄화 산화막 상부에 증착되는 실리콘은 인이 도핑된 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
- 제5항에 있어서 상기 콘택홀 형성방법으로 비트라인 또는 전하저장전극 형성용 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016026A KR100367489B1 (ko) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 반도체소자의미세콘택홀형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016026A KR100367489B1 (ko) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 반도체소자의미세콘택홀형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003464A true KR970003464A (ko) | 1997-01-28 |
| KR100367489B1 KR100367489B1 (ko) | 2003-03-03 |
Family
ID=37491149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950016026A KR100367489B1 (ko) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 반도체소자의미세콘택홀형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100367489B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100367402B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2003-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의데이터전송라인형성방법 |
-
1995
- 1995-06-16 KR KR1019950016026A patent/KR100367489B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100367402B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2003-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의데이터전송라인형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100367489B1 (ko) | 2003-03-03 |
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