KR980005439A - 반도체 장치의 콘택 형성 방법 - Google Patents

반도체 장치의 콘택 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판의 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 방법에서는 반도체 기판상에 상면 및 측벽이 각각 제1 절연 물질로 덮인 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터를 형성하고, 결과물 전면에 제1 절연 물질과는 다른 식각 선택비를 가지는 제2 절연 물질을 적층하고, 제2 절연 물질을 반도체 기판의 활성 영역에 접해 있는 부분이 남아 있도록 패터닝하여 희생용 절연 패드를 형성하고, 결과물상에 희생용 절연 패드와는 다른 식각 선택비를 가지는 제3 절연 물질을 사용하여 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막에 상기 희생용 절연 패드의 일부를노출시키는 콘택홀을 형성하고, 희생용 절연 패드를 습식 식각하여 제거하고, 결과물 전면에 도전층을 증착하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, COB 구조의 반도체 장치를 제조하는데 있어서 반도체 장치의 막질 표면이 손상되거나 전기적 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다.

Description

반도체 자이치의 콘택 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제8도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 기판상에 상면 및 측벽이 각각 제1 절연 물질로 덮인 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터를 형성하는단계와, 상기 결과물 전면에 상기 제1 절연 물질과는 다른 식각 선택비를 가지는 제2 절연 물질을 적층하여 희생용 절연 물질층을형성하는 단계와, 상기 희생용 절연 물질층중 상기 반도체 기판의 활성 영역에 접해 있는 부분이 남아 있도록 상기 희생용 절연 물질층을 패터닝하여 희생용 절연 패드를 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 희생용 절연 패드와는 다른 식각 선택비를 가지는 제3 절연 물질을 사용하여 층간 절연막을 형성하는 단계와, 사진 식각 공정을 이용하여 상기 층간 절연막에 상기 희생용 절연 패드의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 희생용 절연 패드를 습식 식각하여 제거하는 단계와, 상기 결과물에 대해서 HF를포함하는 세정액을 사용하여 습식 세정을 행하는 단계와, 상기 결과물 전면에 도전층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연 물질은 산화막 계열의 물질이고, 상기 희생용 절연 물질층을 형성하는 단계는 제2 절연 물질로서 질화막 계열의 물질을 사용하고, 상기 층간 절연막을 형성하는 단계는 제3 절연 물질로서 산화막 계열의 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연 물질은 질화막 계열의 물질이고, 상기 희생용 절연 물질층을 형성하는 단계는 제2 절연 물질로서 산화막 계열의 물질을 사용하고, 상기 층간 절연막을 형성하는 단계는 제3 절연 물질로서 질화막 계열의 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 단계는 LPCVD에 의해 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960020371A 1996-06-07 1996-06-07 반도체 장치의 콘택 형성 방법 KR0183883B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573168B2 (en) 2000-06-28 2003-06-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for forming conductive contact body for integrated circuits using dummy dielectric layer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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