KR970008425A - 반도체 장치에 사용되는 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
오프셋길이를 증가시킬 수 있는 박막 트랜지스터의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판상에 하부절연층, 절연막 및 층간절연층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 층간절연층을 식각하여 식각된 층간절연층을 형성하는 단계와, 상기 식각된 층간절연층 상에 게이트 전극용 제1도전층을 형성하는 단계와, 상기 제1도전층을 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극의 하부에 존재하는 시각된 층간 절연막을 습식식각하여 2차 식각된 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극이 형성된 기판의 전면에 게이트산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트산화막 상에 채널용 제2도전층을 형성하는 단계와, 상기 제2도전층에 불순물을 이온주입하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 게이트전극의 구조를 변경하여 셀 면적을 늘리지 않고 오프셋 길이를 늘리여 박막 트랜지스터의 오프전류를 감소시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2G도는 본 발명에 의하여 박막 트랜지스터의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
Claims (6)
- 반도체 기판 상에 하부절연층, 절연막 및 층간절연층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 층간절연층을 식각하여 식각된 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 식각된 층간절연층 상에 게이트 전극용 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층을 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극의 하부에 존재하는 식각된 층간절연막을 습식식각하여 2차 식각된 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트전극이 형성된 기판의 전면에 게이트산화막을 형성하는 단계; 상기 게이트산화막 상에 채널용 제2도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전층에 불순물을 이온주입하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연층은 상기 절연막 대비 식각 선택비가 큰 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연층은 등방성 식각율이 큰 것임을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연층은 BPSG 또는 HTO인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전층은 아몰포스실리콘층 또는 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950023162A KR970008425A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체 장치에 사용되는 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950023162A KR970008425A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체 장치에 사용되는 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970008425A true KR970008425A (ko) | 1997-02-24 |
Family
ID=66540789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950023162A KR970008425A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체 장치에 사용되는 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970008425A (ko) |
-
1995
- 1995-07-31 KR KR1019950023162A patent/KR970008425A/ko not_active Application Discontinuation
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