KR960043106A - 반도체장치의 절연막 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 절연막 형성방법 Download PDF

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Abstract

신규한 반도체장치의 절연막 형성방법이 개시되어 있다. 반도체기판 상에 제1 물질층 및 제2 물질층을 형성한 후, 상기 제2 물질층을 식각하여 상기 제1 물질층의 소정 부위를 노출시킨다. 상기 결과물 전면에 하지의존성을 가진 절연막을 증착한 후, 상기 절연막을 전면 식각한다. 배선간 또는 소자간의 스페이서 영역에 선택적으로 두꺼운 절연막을 형성할 수 있으므로 보이드가 발생하지 않는다.

Description

반도체장치의 절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1g도는 본 발명에 의한 반도체장치의 절연막 형성방법을 설명하기 위한 단면도들, 제2a도 및 제2b도는 본 발명에 의한 반도체장치의 절연막 형성방법에 있어서, 실리콘질화막의 제거 전의, BC 대 BC 영역및 DC 대 DC 영역에서의 액티브 프로파일을 나타내는 SEM 사진들, 제3a도 및 제3b도는 본 발명에 의한 반도체장치의 절연막 형성방법에 있어서, 실리콘질화막의 제거 후의, 셀 영역 및 셀/주변회로의 경제 영역에서의 액티브 프로파일을 나타내는 SEM 사진들.

Claims (10)

  1. 반도체기판 상에 제1물질층 및 제2물질층을 형성하는 단계 : 상기 제2물질층을 식각하여 상기 제1물질층의 소정 부위를 노출시키는 단계; 상기 결과물 전면에 하지의존성을 가진 절연막을 증착하는 단계: 및 상기 절연막을 전면 식각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 절연막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 물질층을 구성하는 물질로 하지의존성을 가진 막의 증착속도를 빠르게 하는 물질을 사용하고, 상기 제2 물질층을 구성하는 물질로 하지의존성을 가진 막의 증착속도를 느리게 하는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 절연막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연막을 전면 식각하는 단계 후, 결과물 전면에 하지의존성을 가진 절연막을 증착하는 단계와 상기 절연막을 전면 식각하는 단계를 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 절연막 형성방법.
  4. 반도체장치의 트랜치 소자분리 형성방법에 있어서, 반도체기판 상에 제1 물질층 및 제2 물질층을 차례로형성하는 단계: 상기 제2 물질층 및 제1 물질층을 식각하여 소자분리 영역 형성될 상기 반도체기판 부위를 노출하는 단계: 상기 식각된 제2 및 제1 물질층의 측면에 스페이서를 형성하는 단계: 상기 스페이서를 마스크로 이용하여 노출된 상기반도체기판을 소정깊이로 식각하여 트랜치를 형성하는 단계: 상기 트랜치가 형성된 결과물 전면에 하지의존성을 가진 절연막을 증착하는 단계: 상기 절연막을 전면 식각하는 단계 : 및 상기 질화막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 소자분리 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 물질층 및 스페이서를 구성하는 물질로 하지의존성을 가진 막의 증착속도를 느리게 하는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 물질층 및 스페이서를 구성하는 물질로 고온산화물(HTO), PE-산화물, 열산화물,PSG 및 BPSG 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 형성방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 절연막을 구성하는 물질로 O3-TEOS USG 또는 O3-HMDS USG를 사용하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 소자분리 형성방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 질화막을 제거하는 단계 전에, 결과물 전면에 하지의존성을 가진 절연막을 증착하는단계와 상기 절연막을 전면 식각하는 단계를 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 형성방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 절연막을 전면 식각하는 단계에 있어서, 상기 식각공정을 화학기계폴리싱(CMP) 방법으로 실시함으로써 상기 제1 물질층까지 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 형성방법.
  10. 제4항에 있어서, 상기 절연막을 전면 식각하는 단계 전에, 상기 절연막이 증착된 결과물 전면에 습식 분위기의 산화공정을 실시하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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