KR970053417A - 반도체소자의 소자분리 방법 - Google Patents
반도체소자의 소자분리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리 방법에 관한 것으로서, 질화막 패턴을 식각마스크로 트랜치를 형성하고, 트랜치를 메우는 산화막과 유동 특성이 우수한 SOG층을 순차적으로 도포한 후, CMP 평탄화 공정을 진행하여 트랜치의 면적이나 간격에 관계없이 양호한 소자분리 영역을 형성하였으므로, 공정수율 및 소자 동작의 신회성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 반도체소자의 소자분리 공정도.
Claims (8)
- 반도체 기판상에 패드산화막을 형성하는 공정과, 상기 패드 산화막위에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판에서 소자분리 영역으로 예정되어 있는 부분 상측의 질화막과 패드산호막을 차례로 제거하여 실리콘 기판을 노출시키는 공정과, 상기 노출된 반도체기판을 식각하여 트랜치를 형성하는 공정과, 상기 구조 전표면에 산화막을 도포하여 트랜치를 메우는 공정과, 상기 산화막 상에 상기 산화막 보다 CMP공정에서의 연마 속도가 느린 SOG층을 도포하는 공정과, 상기 SOG층과 트랜치 상부의 산화막을 CMP공정에 의해 연마함으로써 평탄화시키는 공정을 구비하는 반도체소자의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드 산화막을 100~500Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막을 500~3000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트랜치를 1500~6000Å 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막을 2000-10000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SOG층을 증착한 후, 400-450℃에서 열처리하여 최종 두께가 2000-4000Å가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SOG층은 메틸-실록산 계열, 페닐-실록산 또는 메틸-페닐 실록산 계열의 SOG를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SOG층을 산화막과의 연마 속도비가 높아지도록 실리콘 원자와 결합되어 있는 메틸기나 페닐기의 전체농도가 몰비로 30% 이상의 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054967A KR970053417A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체소자의 소자분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054967A KR970053417A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체소자의 소자분리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053417A true KR970053417A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66617589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950054967A KR970053417A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체소자의 소자분리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053417A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557584B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2006-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 평탄화방법 |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054967A patent/KR970053417A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557584B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2006-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 평탄화방법 |
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