KR970052885A - 반도체 소자의 보호막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 보호막 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052885A KR970052885A KR1019950072231A KR19950072231A KR970052885A KR 970052885 A KR970052885 A KR 970052885A KR 1019950072231 A KR1019950072231 A KR 1019950072231A KR 19950072231 A KR19950072231 A KR 19950072231A KR 970052885 A KR970052885 A KR 970052885A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- protective film
- semiconductor device
- forming
- etching
- region
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제.
종래에는 제1 및 제2 및 제3보호막을 형성하고 리페어에 사용하기 위한 폴리실리콘 퓨즈 영역 및 본딩 패등 영역을 오픈시키기 위한 식각을 각각 실시하였으므로 공정이 복잡하고 공정 소요 시간도 길다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지.
제1 및 제2 및 제3보호막을 식각하기 위한 식각가스를 동일한 것으로 이용하므로써 세번의 식각 공정을 한번으로 줄여 간단한 공정으로 반도체 소자의 보호막을 형성하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 보호막을 형성하는데 이용됨.
※선택도 : 제3C도 및 제4C도.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3C도는 본 발명의 반도체 소자의 보호막 형성 방법의 한 실시예에 따른 공정도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 보호막을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상의 폴리실리콘 퓨즈가 형성된 영역에는 다층의 층간절연막이 형성되어 있고, 본딩 패드 영역에는 메탈라인이 형성된 전체 구조 상부에 제1보호막을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제2보호막을 형성하고 제3보호막을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘 퓨즈 영역 및 본딩 패드 영역이 오픈되도록 상기 제3 및 제2 및 제1보호막 및 다층의 층간 절연막을 한번에 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각 공정에 사용하는 식각가스는 CF4와 O2로 이루어진 혼합가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950072231A KR970052885A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950072231A KR970052885A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052885A true KR970052885A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66640899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950072231A KR970052885A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052885A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950072231A patent/KR970052885A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970077353A (ko) | 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| KR970052885A (ko) | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 | |
| KR980005495A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR980005436A (ko) | 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법 | |
| KR970018658A (ko) | 확산방지층을 함유하는 게이트 구조 및 그 제조방법 | |
| KR970053562A (ko) | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 | |
| KR970077331A (ko) | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 | |
| KR980005474A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR960002644A (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 | |
| KR970052839A (ko) | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 | |
| KR970023816A (ko) | 멀티 레이어 식각 방법 | |
| KR970023630A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR960015729A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950025874A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 제조방법 | |
| KR980005466A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR970053555A (ko) | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 | |
| KR970052855A (ko) | 반도체 소자의 평탄화 방법 | |
| KR970023737A (ko) | 반도체장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR960005957A (ko) | 다층배선 형성방법 | |
| KR960005847A (ko) | 금속배선간 절연막 형성방법 | |
| KR960042911A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR970053581A (ko) | 반도체 소자의 다층 금속배선 형성방법 | |
| KR960019511A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960002648A (ko) | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성방법 | |
| KR940018930A (ko) | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |