KR980005442A - 금속배선 형성방법 - Google Patents

금속배선 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980005442A
KR980005442A KR1019960020878A KR19960020878A KR980005442A KR 980005442 A KR980005442 A KR 980005442A KR 1019960020878 A KR1019960020878 A KR 1019960020878A KR 19960020878 A KR19960020878 A KR 19960020878A KR 980005442 A KR980005442 A KR 980005442A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal layer
forming
reflowing
interlayer insulating
depositing
Prior art date
Application number
KR1019960020878A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0184148B1 (ko
Inventor
양순석
성기천
Original Assignee
문정환
엘지반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019960020878A priority Critical patent/KR0184148B1/ko
Publication of KR980005442A publication Critical patent/KR980005442A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0184148B1 publication Critical patent/KR0184148B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H01L21/76882—Reflowing or applying of pressure to better fill the contact hole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H01L21/76847—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned within the main fill metal

Abstract

본 발명은 금속배선 형성방법에 관한 것으로서, 기판상에 층간절연막을 증착하고 소정 부분을 제거하여 상기 기판을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단게와, 상기 비아홀의 내부를 포함하는 상기 층간절연막 상에 제1 장벽금속층과 상기 층간 절연막 보다 얇은 두께를 갖는 제1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1 금속층을 리플로우 시켜 스텝 커버리지를 향상시키고 상기 제1 금속층 상에 제2 장벽금속층을 형성하는 단계와, 상기 제2 장벽금속층 상에 상기 제1 금속층 보다 두껍고 상기 제1 층간절연막 보다 얇은 두께를 갖는 제2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제2 금속층을 리플로우 시켜 표면을 평탄화시키고 상기 제2 금속층 상에 제3 장벽금속층을 증착하는 단계를 구비하는 공정으로 이루어진다. 따라서, 얇은 금속층을 증착하고 리플로우 시켜 스텝 커버리지를 향상시킨 후 장벽금속층과 두꺼운 금속층을 증착하고 다시 리플로우 시켜 표면을 평탄화시켜 금속배선을 형성하므로 비아홀 내부에 동공이 형성되는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 비아홀을 플러그로 채우지 않고 다층의 금속배선을 형성하므로 제조 공정이 간단하다.

Description

금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도2도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 금속배선 형성방법을 나타내는 공정도.

Claims (6)

  1. 기판상에 층간절연막을 증착하고 소정 부분을 제거하여 상기 기판을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 비아홀의 내부를 포함하는 상기 층간절연막 상에 제1 장벽금속층과 상기 층간절연막 보다 얇은 두께를 갖는 제1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1금속층을 리플로우 시켜 스텝커버리지를 향상시키고 상기 제1 금속층 상에 제2 장벽금속층을 형성하는 단계와, 상기 제2 장벽금속층상에 상기 제1 금속층 보다 두껍고 상기 제1 층간절연막 보다 얇은 두께를 갖는제2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제2 금속층을 리플로우 시켜 표면을 평탄화시키고 상기 제2 금속층 상에제3 장벽금속층을 증착하는 단계를 구비하는 공정으로 이루어진 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속배선을 형성하는 공정을 다수 번 반복하여 다층의 금속배선을 형성하는 금속배선 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 장벽금속층을 400~600Å두께로 증착하여 형성하는 금속배선 형성방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 층간절연막을 8000~10000Å의 두께로 형성하는 금속배선 형성방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 금속층을 2000~4000Å의 두께로 형성하는 금속배선 형성방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2금속층 5000~7000Å의 두께로 형성하는 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960020878A 1996-06-12 1996-06-12 금속배선 형성방법 KR0184148B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960020878A KR0184148B1 (ko) 1996-06-12 1996-06-12 금속배선 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960020878A KR0184148B1 (ko) 1996-06-12 1996-06-12 금속배선 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980005442A true KR980005442A (ko) 1998-03-30
KR0184148B1 KR0184148B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=19461502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960020878A KR0184148B1 (ko) 1996-06-12 1996-06-12 금속배선 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0184148B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560292B1 (ko) * 1998-12-29 2006-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선 형성 방법
KR100946024B1 (ko) * 2007-09-06 2010-03-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 및 그것의 형성 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560292B1 (ko) * 1998-12-29 2006-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선 형성 방법
KR100946024B1 (ko) * 2007-09-06 2010-03-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 및 그것의 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0184148B1 (ko) 1999-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3478171D1 (en) A method of producing a layered structure
KR930001314A (ko) 다층 배선의 형성방법
KR950034482A (ko) 반도체 소자의 다층금속 배선의 형성방법
KR980005442A (ko) 금속배선 형성방법
KR950004499A (ko) 반도체 장치의 금속배선 형성방법
JPH05275543A (ja) 半導体装置の製造方法
KR960002636A (ko) 금속 층간 절연막 형성 방법
KR950021224A (ko) 다층 금속배선 형성방법
KR930011116A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970053298A (ko) 금속배선 형성방법
KR970053548A (ko) 반도체소자의 적층 비아홀 형성방법
KR960043215A (ko) 고유전체막 커패시터의 제조방법
KR970053562A (ko) 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법
KR970024013A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR970018413A (ko) 반도체장치의 다층배선 형성방법
KR960002681A (ko) 다층 금속배선 형성방법
KR960039288A (ko) 반도체장치 제조방법
KR950007000A (ko) 반도체 소자의 평탄화막 형성방법
KR970052391A (ko) 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법
KR960035853A (ko) 미세 패턴의 형성방법
KR960019511A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR950021425A (ko) 다층 금속배선 형성방법
KR960002668A (ko) 다층구조 금속막 형성방법
KR960015729A (ko) 반도체소자의 금속배선 형성방법
KR970052312A (ko) 반도체 소자의 금속배선 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051118

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee