KR960002668A - 다층구조 금속막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속층절연막으로 SOG(Spin On Glass)막을 사용할 경우 고온 금속막 증착공정으로 인한 포이슨 비아(posion via)유발을 방지하는 다층구조 금속막 형성방법에 있어서, 제1금속막(41), 제1층간절연막(42)을 형성하고, SOG 도포 및 커링(curing)공정을 통해 SOG막(43)을 형성 및 안정화시키는 단계; 마스크 공정을 통하여 금속막 측벽의 SOG를 제거하는 단계; 전체구조 상부에 제2층간절연막(44)을 도포한 후 비아홀 형성용 마스크를 이용하여 상기 제2층간절연막(44), SOG막(43), 제1층간 절연막(42)을 차례로 식각함으로써 비아홀을 형성하는 단계; 제2금속막(45)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래방법에 따라 형성된 이층구조 금속막 형성시 공정흐름도,
제2도는 종래방법에 따라 형성된 이층구조 금속막의 단면도,
제3도는 본 발명에 따른 이층구조 금속막 형성시 공정흐름도,
제4도는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 이층구조 금속막의 단면도,
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 이층구조 금속막의 단면도.
Claims (1)
- 금속층간절연막으로 SOG(Spin On Glass)막을 사용할 경우 고온 금속막 증착공정으로 인한 포이슨 비아(posion via)유발을 방지하는 다층구조 금속막 형성방법에 있어서, 제1금속막(41), 제1층간절연막(42)을 형성하고, SOG 도포 및 커링(curing)공정을 통해 SOG막(43)을 형성 및 안정화시키는 단계; 마스크 공정을 통하여 금속막 측벽의 SOG를 제거하는 단계; 전체구조 상부에 제2층간절연막(44)을 도포한 후 비아홀 형성용 마스크를 이용하여 상기 제2층간절연막(44), SOG막(43), 제1층간 절연막(42)을 차례로 식각함으로써 비아홀을 형성하는 단계; 제2금속막(45)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층구조 금속막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013045A KR960002668A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 다층구조 금속막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013045A KR960002668A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 다층구조 금속막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002668A true KR960002668A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013045A KR960002668A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 다층구조 금속막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002668A (ko) |
-
1994
- 1994-06-09 KR KR1019940013045A patent/KR960002668A/ko not_active Application Discontinuation
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