KR970052929A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 SOG코팅을 이용하여 금속배선층의 높이를 감소시킨 반도체소자의 금속배선 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속배선 형성방법은 제1금속간 산화막을 형성하는 단계; 감광막 마스크 패턴을 형성하는 단계; SOG막을 전면 도포하는 단계; SOG막을 감광막이 드러날 때까지 블랑킷 식각하는 단계; 감광막을 제거하는 단계; 전면에 제2층간 절연막을 형성하는 단계; 제2금속간 산화막을 블랑킷 식각하는 단계; 전면에 배선용 금속막을 형성하는 단계; 제2금속간 산화막이 드러날 때까지 중착된 금속막을 식각하는 단계; 표면 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 금속배선의 형성방법을 설명하기 위한 공정 흐름도.
Claims (3)
- 제1금속간 산화막을 형성하는 단계; 감광막 마스크 패턴을 형성하는 단계; SOG막을 전면 도포하는 단계; SOG막을 감광막이 드러날 때까지 블랑킷 식각하는 단계; 감광막을 제거하는 단계; 전면에 제2층간 절연막을 형성하는 단계; 제2금속간 산화막을 블랑킷 식각하는 단계; 전면에 배선용 금속막을 형성하는 단계; 제2금속간 산화막이 드러날 때까지 중착된 금속막을 식각하는 단계; 표면 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2금속간산화막의 도포시 SOGS막 상에 도포된 두께가 SOG막 사이에 도포된 두께 보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2금속산화막의 두께는 1.3 내지 1.7㎛범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950048299A KR970052929A (ko) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950048299A KR970052929A (ko) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052929A true KR970052929A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66594462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950048299A KR970052929A (ko) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052929A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518521B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 터널링을 내재한 패시베이션막으로 인한 메탈 라인 손상을 방지하는 반도체장치의 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-11 KR KR1019950048299A patent/KR970052929A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518521B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 터널링을 내재한 패시베이션막으로 인한 메탈 라인 손상을 방지하는 반도체장치의 제조방법 |
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