KR970003522A - 금속배선 형성방법 - Google Patents

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KR970003522A
KR970003522A KR1019950019103A KR19950019103A KR970003522A KR 970003522 A KR970003522 A KR 970003522A KR 1019950019103 A KR1019950019103 A KR 1019950019103A KR 19950019103 A KR19950019103 A KR 19950019103A KR 970003522 A KR970003522 A KR 970003522A
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KR
South Korea
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forming
interlayer insulating
film
insulating film
metal
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Application number
KR1019950019103A
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Inventor
엄용택
정중택
윤종원
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 칩면적 감소를 위해 건식식각만으로는 비아 - 콘택홀을 형성할 수 있는 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체 소자 제조공정 중 서로 다른 금속층과 금속층 사이를 연결하기 위한 금속배선 형성방법에 있어서, 배선형성하고자 하는 제1금속막 상에 제1층간절연막을 형성하여 콘택홀 형성영역의 상기 금속막만을 노출시키는 제1단계; 상기 제1단계에 의한 구조 전체 상부에 콘택홀 매립용 제2금속막을 상기 제1층간절연막보다 두껍게 형성하는 제2단계; 상기 제1단계 및 제2단계에 의한 구조의 전체 상부에 제2층간절연막을 형성하는 제3단계; 상기 제2층간절연막을 블랭킷 에치백(blanket etch back)하여 하부의 상기 제2금속막을 노출시키는 제4단계 및 배선형성용 제3금속막을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성과정을 나타내는 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 소자 제조공정 중 서로 다른 금속층과 금속층 사이를 연결하기 위한 금속배선 형성방법에 있어서, 배선형성하고자 하는 제1금속막 상에 제1층간절연막을 형성하여 콘택홀 형성영역의 상기 금속막만을 노출시키는 제1단계; 상기 제1단계에 의한 구조의 전체 상부에 콘택홀 매립용 제2금속막을 상기 제1층간절연막보다 두껍게 형성하는 제2단계; 상기 제1단계 및 제2단계에 의한 구조의 전체 상부에 제2층간절연막을 형성하는 제3단계; 상기 제2층간절연막을 블랭킷 에치백(blanket etch back)하여 하부의 상기 제2금속막을 노출시키는 제4단계 및 배선형성용 제3금속막을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀 매립용 제2금속막은 알루미늄막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1단계는 상기 제1금속막 상에 제1층간절연막을 형성하는 단계와 상기 제1층간절연막 상에 제1감광막을 도포한 다음 콘택홀 형성용 마스크를 사용한 포토리소그래피 공정을 통해 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용한 건식식각으로 콘택홀 형성영역의 상기 제1금속막을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2단계는 상기 제1단계에 의한 구조 전체 상부에 콘택홀 매립용 제2금속막을 증착하는 단계와 상기 제2금속막 상에 광에 대한 패턴형성이 상기 제1감광막과 반대되는 형(type)의 제2감광막을 도포한 다음 콘택홀 형성용 마스크를 사용한 포토리소그래피 공정을 통해 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용한 건식식각으로 콘택홀 형성영역 이외의 상기 제1층간절연막을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1층간절연막은 200 내지 500Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1층간절연막 또는 제2층간절연막은 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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