KR950034439A - 반도체 소자의 금속배선 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체소자의 금속배선 제조방법에 관한것으로, 고집적 반도체소자의 콘택홀에 금속층을 충입하되 보이드가 발생되지 않도록 하고 면저항을 줄여서 반도체소자의 신뢰성과 수율을 증대시킬수 있는 금속배선 제조방법에 관한것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의해 반도체소자의 금속배선을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (5)
- 반도체소자의 금속배선 제조방법에 있어서, 셀지역과 주변회로지역을 갖는 실리콘기판상에 소자분리절연막을 형성하고, 예정된 소자들을 셀지역에 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 절연막을 도포하고 주변회로지역의 절연막의 일정부분을 제거하여 실리콘기판에 형성된 확산영역이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 블랭킷 텅스텐막으로 상기 콘택홀을 층입한 후, 그 상부에 알루미늄판을 예정된 두계로 증착하고 금속배선 마스크용 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 알루미늄막을 식각하여 알루미늄막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 텅스텐막을 식각하여 텅스텐막패턴을 형성하고 남아있는 상기 감광막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 반도체소자의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐막의 두께는 콘택홀의 크기와 텅스텐막의 스텝커버리지를 고려하여 콘택홀을 완전히 메울수 있을 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐막을 증착하기 전에 글루층으로 Ti, Tin, Ti/Tin층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 알루미늄막을 식각하는 주요 개스로 염소(CI)가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐막을 식각하는 주요 개스로 불소(F)가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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