KR950009360A - 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 Download PDF

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KR950009360A
KR950009360A KR1019930019245A KR930019245A KR950009360A KR 950009360 A KR950009360 A KR 950009360A KR 1019930019245 A KR1019930019245 A KR 1019930019245A KR 930019245 A KR930019245 A KR 930019245A KR 950009360 A KR950009360 A KR 950009360A
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현대전자산업 주식회사
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 관한 것으로, 미세 패턴을 형성하기 위하여, 평탄화용 감광막 상부에 실리레이션(Silylation)용 감광막을 얇게 도표한 다음, 그 상부에 해상력이 우수한 단일 레지스트(Single Resist)를 도표 및 패턴화하여 블랭킷 노광, 실리레이션 공정, O2플라자마 식각방법을 통하여 미세 패턴을 형성시키므로써 버즈비크(Birds Beak)없이 실리레이트된 감광막 영역을 형성하여 노광기;술의 향상없이 메세 패턴을 형성할 수 있는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A내지 1C도는 본 발명에 따라 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하는 단계를 나타내는 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 있어서, 필드 산화막(9)이 형성된 기판(10) 상부의 미세패턴이 형성될 하부층(1)상에 제1감광막(2)을 도포 및 평탄화한 후 열처리 공정을 실시하여 상기 제1감광막(2)을 중합시키고, 상기 제1감광막(2)상부에 실리레이션용 제2감광막(3) 및 제3감광막(4)을 순차적으로 도포한 다음 상기 제3감광막(4)을 패턴화시키는 단계와, 상기단계로부터 블랭킷 노광공정을 실시하여 상기 실리레이션용 제2감광막(3)의 노출된 부분에 노광영역(5)을 형성하고 열처리 공정을 실시한 후 실리레이션 공정에 의해 실리레이트된 감광막 영역(5A)를 형성하고 O2-플라즈마에 의한 식각 공정에 의해 상기 제3감광막(4)이 식각되면서 상기 실리레이트된 감광막 영역(5A)상부에 형성된 산화막(6)을 식각 장벽층으로 하여 실리레이션용 제2감광막(3 및 2)을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930019245A 1993-09-22 1993-09-22 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 KR100231735B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399924B1 (ko) * 1996-06-21 2003-12-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의패턴형성방법

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