KR970003652A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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홍상기
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 소자의 다층 금속 배선 공정시 층간 평탄화막으로 2중의 SOG막을 코팅하여 소자의 열화를 방지할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 소자의 평탄화막으로 이용되는 SOG막을 실록산 SOG와 실리케이트 SOG막의 조합 또는 실록산 SOG를 탄소의 함유량을 달리하여 2중막으로 도포하여 비아홀 또는 콘택홀을 형성시 수분 흡착등의 문제점을 배제할 수 있어 소자의 제조 수율을 향상할 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(가) 내지 (바)는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 나타낸 요부 단면도.

Claims (5)

  1. 하부층이 구비된 반도체 기판상에 금속 배선 패턴과 그 상부에 제1층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1층간 절연막 상부에 1차 SOG막을 도포하는 단계; 상기 1차 SOG 상부에 2차 SOG막을 형성하는 단계; 및 상기 2차 SOG막 상부에 제2층간 절연막을 형성한 후, 상기 하부 배선을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1차 SOG는 실록산 SOG이고, 2차 SOG는 실리케이트 SOG인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 1차 SOG는 탄소 함유량이 높은 실록산 SOG이고, 2차 SOG는 탄소 함유량이 낮은 실록산 SOG인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 1차 SOG의 탄소 함유량은 10 내지 20% 이상이고, 2차 SOG의 탄소 함유량은 0 내지 5%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각각의 SOG막의 두께는 1000 내지 3000A인 것을 특징으로 한느 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100414565B1 (ko) * 2001-06-29 2004-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 비아홀 형성 방법

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