KR960039286A - 비아홀 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이중금속배선 구조에서 제1산화막 및 SOG막을 차례로 형성한 후, SOG막을 에치 백한 후, 낮은 온도에서 제2산화막을 형성하여 수분이 함유된 층이 형성을 최소화함으로써 금속층간 절연막의 특성을 향상시키고, SOG막의 수분 방출을 억제하여 비아 저항 가소 및 비아홀의 형성 실패를 방지하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2g도는 본 발명의 일실시예에 따른 비아 홀 형성 공정도.
Claims (4)
- 하부금속막이 패터닝된 기판 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상에 평탄화 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막이 노출될때까지 평탄화 절연막을 에치백하는 단계; 전체구조 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 및 비아홀 마스크를 사용하여 상기 하부금속막의 일부 표면이 노출되도록 상기 절연막들을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비아홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서; 상기 제1절연막 및 제2절연막은 플라즈마 화학기상증착법으로 증착되는 산화막인 것을 특징으로 하는 비아홀 형성 방법.
- 제2항에 있어서; 상기 평탄화 절연막은 SOG막인 것을 특징으로 하는 비아홀 형성 방법.
- 제3항에 있어서; 상기 제2절연막은 150∼250℃의 낮은 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 비아홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008392A KR960039286A (ko) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 비아홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008392A KR960039286A (ko) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 비아홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039286A true KR960039286A (ko) | 1996-11-25 |
Family
ID=66553429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008392A KR960039286A (ko) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 비아홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039286A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414565B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비아홀 형성 방법 |
-
1995
- 1995-04-11 KR KR1019950008392A patent/KR960039286A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414565B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비아홀 형성 방법 |
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