KR940008049A - 집적 회로 제조 방법 - Google Patents

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안내 볼링거 캐릴
앤 파이버 캐더린
조오지 스테이너 커트
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제이.티. 래버그
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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Abstract

집적 회로 및 그 제조 방법의 형성은 설명되었다. 상기 회로는 레벨간 절연층으로써 스핀-온-유리(spin-on-glass)를 이용한다. 인이 도핑된 절연층(19 및 29)은 스핀-온-유리 상하부에 위치한다. 상기 도핑된 절연층은 소디음이 전기장의 영향으로 이동하는 것을 방지한다.

Description

집적 회로 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 대해 이해하는데 도움을 줄 일부 제조된 집적 회로의 절단도.

Claims (6)

  1. 기판(11)상에 제1절연층(19)을 형성하는 단계와, 제1절연층(19)상에 방사 유리와 오존 TEOS로 구성한 군으로부터 선택된 제2층(25)을 형성하는 단계와, 유동 이온이 오염시키는 프로세스 단계를 형성하는 단계를 포함하는 집적 회로 제조 방법에 있어서, 제2절연층(25)위에 제3절연층(29)을 형성하는 단계와, 상기 제1(19) 및 제3(29) 절연층이 인 도핑하는 단계를 특징으로 하는 집적 회로 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 유동 이온이 오염시키는 상기 프로세스가 상기 제2절연층(25)의 에칭 백 프로세스인 것을 특징으로 하는 집적 회로 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1(19) 및 제3(29) 절연층이 비중의 2% 내지 6% 인을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스핀-온-유리(spin-on-glass)(25)가 폴리실록산, 폴리실리케이트 및 실세스큐옥산으로 구성된 군으로 선택되는 것을 특징으로 하는 집적 회로 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1(19) 및 제3(29) 절연막이 TEOS로 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 회로 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1(19) 및 제3(29) 절연막이 TEOS로 형성되고 4000 내지 7000Å의 두께를 가지며, 상기 제1(19) 및 제3절연막(29)이 비중의 2% 내지 6% 인으로 도핑되고 전구체(precusor)로써 트리메틸포스피트(trimethylphosphite)를 이용하며, 상기 제2층(25)은 상기 제1(19) 절연막의 노출부분에 플라즈마 프로세스로써 에칭 백되는 것을 특징으로 하는 집적 회로 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930018418A 1992-09-22 1993-09-14 집적 회로 제조 방법 KR940008049A (ko)

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