KR960019566A - 에칭 장치 - Google Patents

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Abstract

에칭 장치는 처리않된 기판 홀딩룸, 기판 이송룸, 처리된 기판 홀딩룸, 에칭 룸을 구비한다. 이 에칭룸에 있어서, CIF3가스 같은 할로겐 플루오르 가스를 이용한 에칭, 예컨대, 박막 트랜지스터의 활성층에 대한 에칭은 할로겐 플루오르 가스를 이온화하거나 플라즈마 증가하지 않고 실행된다.
플라즈마 손상이 발생하지 않기 때문에, 활성층의 사이드 표면에 트랩 레벨 발생은 예방되고, 따라서, 이 트랩 레벨을 통과하는 캐리어의 이동은 억압하고, 그 결과, 박막 트랜지스터의 오프 전류값은 증가된다.

Description

에칭 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예의 에칭 장치에 대한 절단도,
제5A도 내지 제5D도는 제3실시예의 주변 구동기 회로 영역 및 화소 영역에 배치된 TFTs를 생산하는 공정도.

Claims (25)

  1. 할로겐 플루오르 가스를 이온화하거나 플라즈마를 증가하지 않고 할로겐 플루오르 가스를 이용하여 에칭을 행하는 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  2. 에칭을 행하는 제1챔버와, 복수의 기판을 홀딩하는 제2챔버, 및 기판을 이송하는 수단을 갖추고 상기 제1 및 제2챔버 사이에 배치되는 압력을 축소할 수 있는 제3챔버를 구비하고, 상기 할로겐 플루오르 가스를 이용하는 에칭 공정은 상기 할로겐 플로오르 가스를 이온화하거나 플라즈마를 증가하지 않고 상기 제1챔버에서 수행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  3. 할로겐 플루오르 가스를 유입하는 수단을 갖는 챔버를 구비하고, 할로겐 플루오르 가스를 이용하는 에칭 공정은 할로겐 플로오르 가스를 이온화하거나 플라즈마를 증가하지 않고 상기 챔버에서 수행되고, 상기 챔버는 에칭된 재료를 이송하는 광을 측정하여, 이 재료의 에칭 상태를 결정하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  4. 처리않된 기판 활성룸과, 상기 처리않된 기판 홀딩룸에 접속된 제1기판 이송룸과, 상기 제1기판 이송룸에 접속된 에칭룸과, 상기 에칭룸에 접속된 제2기판 이송룸, 및 상기 제2기판 이송룸에 접속된 처리된 기판 홀딩룸을 구비하고, 상기 처리않된 기판 홀딩룸 및 처리된 기판 홀딩룸은 복수의 기판을 홀딩하는 수단을 갖고, 상기 제1 및 제2이송룸은 상기 기판을 이송하는 수단을 갖고, 상기 에칭룸은 에칭 가스로 이용된 할로겐 플루오르 가스를 이온화하거나 플라즈마 증가없는 할로겐 플라즈마 가스를 이용하여 에칭을 행하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 할로겐 플루오르 가스는 CIF3, CIF, BrF3, IF3, BrF, BrF5및 IF5중 적어도 한개를 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 할로겐 플루오르 가스는 CIF3, CIF, BrF3, IF3, BrF, BrF5및 IF5중 적어도 한개를 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 할로겐 플루오르 가스는 CIF3, CIF, BrF3, IF3, BrF, BrF5및 IF5중 적어도 한개를 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 할로겐 플루오르 가스는 CIF3, CIF, BrF3, IF3, BrF, BrF5및 IF5중 적어도 한개를 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  9. 제1항에 있어서, 에칭은 0.01 내지 1토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  10. 제2항에 있어서, 에칭은 0.01 내지 1토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  11. 제3항에 있어서, 에칭은 0.01 내지 1토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  12. 제4항에 있어서, 에칭은 0.001 내지 100 토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  13. 제1항에 있어서, 에칭은 0.001 내지 100 토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  14. 제2항에 있어서, 에칭은 0.001 내지 100 토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  15. 제3항에 있어서, 에칭은 0.001 내지 100 토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  16. 제4항에 있어서, 에칭은 0.001 내지 100 토르에서 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  17. 제1항에 있어서, 에칭은 가열하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  18. 제2항에 있어서, 에칭은 가열하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  19. 제3항에 있어서, 에칭은 가열하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  20. 제4항에 있어서, 에칭은 가열하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  21. 제1항에 있어서, 에칭은 소정의 온도를 유지하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  22. 제2항에 있어서, 에칭은 소정의 온도를 유지하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  23. 제3항에 있어서, 에칭은 소정의 온도를 유지하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  24. 제4항에 있어서, 에칭은 소정의 온도를 유지하는 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  25. 상기 할로겐 플루오르 가스를 이온화하거나 플라즈마 증가하지않은 할로겐 플루오르 가스를 이용하여 에칭을 실행하는 제1챔버와, 에칭에 이용된 레지스트를 벗기는 제2챔버, 및 기판을 이송하는 수단을 갖는 상기 제1 및 제2챔버 사이에 배치된 제3챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950044538A 1994-11-26 1995-11-25 에칭장치 KR100313386B1 (ko)

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