KR970030363A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 있어서; 그 하부에 콘택 지역을 갖으며 토포로지를 갖는 제1절연막 상에 버퍼막을 형성하는 단계; 상기 버퍼막상에 제2절연막을 형성하고 상기 버퍼막이 노출되도록 제2절연막을 에치백하여 평탄화하는 단계; 전체구조 상부에 제3절연막을 형성하는 단계; 및 콘택 마스크를 사용하여 상기 제3절연막, 제2절연막, 버퍼막 및 제1절 연막을 차례로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 모든 콘택 지역 지역의 층간절연막 두께를 동일하게 형성함으로써, 콘택 식각시의 식각 타겟 조절이 용이하여 잔류 산화막 및 노출되는 하부전도층의 손상을 방지한다. 즉, 콘택 안정성을 향상시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1c도 내지 제1d도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀 형성 공정도.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조 방법에 있어서; 그 하부에 콘택 지역을 갖으며 토포로지를 갖는 제1절연막 상에 버퍼막을 형성하는 단계; 상기 버퍼막상에 제2절연막을 형성하고 상기 버퍼막이 노출되도록 상기 제2절연막을 에치백하여 평탄화하는 단계; 전체구조 상부에 제3절연막을 형성하는 단계; 및 콘택 마스크를 사용하여 상기 제3절연막, 제2절연막, 버퍼막 및 제1절 연막을 차례로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 버퍼막은 상기 산화막의 건식식각 조건에서 식각되는 얇은 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950045852A KR970030363A (ko) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950045852A KR970030363A (ko) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030363A true KR970030363A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66593329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950045852A KR970030363A (ko) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030363A (ko) |
-
1995
- 1995-11-30 KR KR1019950045852A patent/KR970030363A/ko not_active Application Discontinuation
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