KR950007000A - 반도체 소자의 평탄화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 평탄화막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 평탄화막 형성방법에 관하여 기술한 것으로, 다층 배선구조를 갖는 반도체 소자의 제조공정 중 회로 설계룰에 따라 형성된 선간 간격을 달리하는 다수의 금속배선상에 평탄화막을 형성되는 평탄화막의 스텝커버리지를 향상시키기 위하여, 스텝퍼 기능을 겸비한 레이저 CVD 장비로 평탄화막 형성시 단차가 예상되는 금속배선간선간격이 넓은 지역에만 선택적으로 평탄화 물질을 소정 두께 증착하고, 다시 전체구조 상부에 평탄화물질을 도포하여 평탄화하는 2단계 평탄화 물질 적층방법으로 평탄화막을 형성하는 방법에 관하여 기술된다.

Description

반도체 소자의 평탄화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 및 제3B도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 평탄화막 형성 단계를 나타낸 단면도.

Claims (1)

  1. 다층 배선구조를 갖는 반도체 소자의 제조공정 중 회로설계룰에 따라 형성된 선간간격을 달리하는 다수의 금속배선상에 평탄화막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 평탄화막의 스텝커버리지를 향상시키기 위하여, 스텝퍼기능을 겸비한 레이저 CVD장비로 평탄화막 형성시 단차가 예상되는 금속배선간선간격이 넓은 지역에만 선택적으로 평탄화 물질을 소정 두께 증착한 다음, 전체구조상부에 평탄화 물질을 도포하여 평탄화공정을 실시하여 평탄화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 평탄화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771803B1 (ko) * 2006-03-20 2007-10-30 현대모비스 주식회사 에이비에스장치용 솔레노이드밸브의 듀티 비 산출 방법

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