KR950027949A - 반도체장치의 배선방법 - Google Patents

반도체장치의 배선방법 Download PDF

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노재성
박주석
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 배선방법에 관한 것으로, 칩 사이즈를 감소시키고 신뢰도를 향상시키기에 적당한 반도체장치의 배선방법에 관한 것이다.
이와같은 본 발명은 반도체 소자가 형성된 기판상에 층간 절연막을 증착하고 제1메탈 콘택 홀을 형성하는 공정과, 상기 제1메탈 콘택 홀내에 제1메탈 플러그를 형성하고 제1메탈 플러그를 연결되도록 제1메탈과 금속층간 제1절연막을 차례로 형성하는 공정과, 상기 금속층간 제1절연막을 선택적으로 제거하여 제2메탈콘택 홀을 형성하는 공정과, 상기 제2메탈 콘택 홀내에 제2메탈 플러그를 형성하고 제1메탈 배선을 위한 노광 공정으로 금속층간 제1절연막과 제1메탈이 제거하는 공정과 상기 금속층간 제1절연막과 제1메탈이 제거된 부위에 금속층간 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2메탈 플러그에 연결되도록 제2메탈 배선을 형성하는 공정으로 이루어진다.

Description

반도체장치의 배선방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체장치의 배선공정 단면도,
제4도는 제3도에 따른 작용, 효과를 나타낸 레이아웃도 및 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자가 형성된 기판상에 층간 절연막을 증착하고, 제1메탈 콘택 홀을 형성하는 공정과, 상기 제1메탈 콘택 홀에서 제1메탈 플러그를 형성하고 제1메탈 플러그에 연결되도록 제1메탈과 금속층간 제1절연막을 차례로 형성하는 공정과, 상기 금속층간 제1절연막을 선택적으로 제거하여 제2메탈 콘택 홀을 형성하는 공정과, 상기 제2메탈 콘택 홀내에 제2메탈 플러그를 형성하고 제1메탈 배선을 위한 노광 공정으로 금속층간 제1절연막과 제1메탈을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 금속층간 제1절연막과 제1메탈이 제거된 부위에 금속층간 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2메탈 플러그에 연결되도록 제2메탈 배선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로하는 반도체장치의 배선방법.
  2. 제1항에 있어서 제1, 제2메탈 플러그를 텅스텐으로 형성함을 특징으로 하는 반도체장치의 배선방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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