KR950001952A - 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950001952A
KR950001952A KR1019930010714A KR930010714A KR950001952A KR 950001952 A KR950001952 A KR 950001952A KR 1019930010714 A KR1019930010714 A KR 1019930010714A KR 930010714 A KR930010714 A KR 930010714A KR 950001952 A KR950001952 A KR 950001952A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
forming
metal wiring
organic resin
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019930010714A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970000705B1 (en
Inventor
박대일
박상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR93010714A priority Critical patent/KR970000705B1/ko
Publication of KR950001952A publication Critical patent/KR950001952A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970000705B1 publication Critical patent/KR970000705B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 제1금속배선(5´)을 형성하는 제 1 단계, 제 1 유기계수지(11) 및 산화막(12)를 증착하고 소정의 패턴을 갖는 제 2 유기계수지(13)를 형성하는 제2단계, 상기 산화막(12) 및 제 1 유기계수지(11)를 소정의 크기로 식각하는 제 3단계, 제2금속층(10,10´)을 증착하되 상기 접촉창 내에 형성되는 제 2 금속층(10´)의 단차는 상기 산화막(12)보다 낮지 않게 증착하고 제3유지계수지(14)를 도포하는 제4단계, 상기 산화막(12)를 식각 정지층으로 에치백한 후, 제 3 금속층(15)을 접속하는 제 5단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 공정이 수월하고, 유기계수지에 의한 완전 평탄화된 금속배선을 실현할 수 있으므로 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 다층 금속배선 형성 공정도이다.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법에 있어서, 전도층(3´)상에 소정의 패턴을 갖는 제1금속배선(5´)을 콘택시키는 제1단계, 제 1 유기계수지(11) 및 산화막(12)을 차례로 증착하고 후에 형성되는 제 2 금속배선의 접촉창 형성을 위한 소정의 패턴을 갖는 제 2 유기계수지(13)를 형성하는 제2단계, 상기 제 2 유기계수지(13)를 마스크로 하여 상기 제 1 금속배선(5´)이 드러나도록 상기 산화막(12) 및 제 1 유기계수지(11)를 소정의 크기로 식각하여 접촉창을 형성하는 제3단계, 제2금속층(10,10´)을 증착하되 상기 접촉창 내에 형성되는 제 2금속층(10´)의 단차는 상기 산화막(12)보다 낮지 않게 증착하고 제 3 유지계수지(14)를 도포하는 제4단계, 상기 접촉창 내부의 제2금속층(10´)이 드러나도록 제2 및 제3 유기계수지(13, 14)와 제2금속층(10)간의 식각속도를 동일하게 에치백한 후, 제3금속층(15)을 증착하여 접촉상 내의 상기 제2금속층(10´)과 접속시키는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기계수지(11,13,14)는 폴리이미드수지 또는 감광수지중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화막(12)은 저온 산화막 또는 플라즈마 보조산화막중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93010714A 1993-06-12 1993-06-12 Multi-level metalizing method of semiconductor device KR970000705B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR93010714A KR970000705B1 (en) 1993-06-12 1993-06-12 Multi-level metalizing method of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR93010714A KR970000705B1 (en) 1993-06-12 1993-06-12 Multi-level metalizing method of semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950001952A true KR950001952A (ko) 1995-01-04
KR970000705B1 KR970000705B1 (en) 1997-01-18

Family

ID=19357307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR93010714A KR970000705B1 (en) 1993-06-12 1993-06-12 Multi-level metalizing method of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970000705B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR970000705B1 (en) 1997-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940022801A (ko) 반도체소자의 콘택 형성방법
KR950001952A (ko) 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법
KR950021425A (ko) 다층 금속배선 형성방법
KR950034523A (ko) 반도체장치 제조방법
KR950034602A (ko) 반도체장치의 다층배선 형성방법
KR960026191A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR900005578A (ko) 평탄화 식각을 이용한 다층 배선구조의 반도체장치의 제조방법
KR970018098A (ko) 비감광성 폴리이미드 수지 절연막의 콘택홀 형성방법
KR970018413A (ko) 반도체장치의 다층배선 형성방법
JPS5638843A (en) Mos type semiconductor device
KR960026213A (ko) 콘택 홀 형성방법
KR950021414A (ko) 반도체 장치의 다층 배선간 연결공정
KR940007611A (ko) 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법
KR950025874A (ko) 반도체소자의 게이트전극 제조방법
KR950027946A (ko) 반도체 소자의 금속배선 콘택 제조방법
KR970003522A (ko) 금속배선 형성방법
KR940016735A (ko) 반도체 소자의 금속 배선 제조 방법
KR960012363A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970053571A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조 방법
KR910001901A (ko) 접촉창 형성 방법
KR890001173A (ko) 반도체 장지의 제조방법
KR950025937A (ko) 반도체 소자의 패드 형성방법
KR940027101A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR970052885A (ko) 반도체 소자의 보호막 형성 방법
KR950021413A (ko) 다층배선 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041220

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee