KR900005578A - 평탄화 식각을 이용한 다층 배선구조의 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
평탄화 식각을 이용한 다층 배선구조의 반도체장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(A)-(D)도는 본 발명에 따른 일실시예의 제조공정도.
Claims (3)
- 반도체 장치의 다층 배선공정에 있어서, 소자가 형성된 상기 반도체 기판상에 제 1배선층을 형성하는 제1공정과, 상기 기판상에 제1층간 절연막을 상기 제1배선층의 두께보다 두꺼운 두께로 형성하는 제2공정과, 상기 제 1층간 절연막상에 포토레지스트를 형성하는 제 3공정과, 상기 제1층간 절연막과 포토레지스트를 소정의 식각비로 선택 식각하는 제4공정과, 상기 기판상의 포토레지스트를 제거하고 상기 기판상에 제2층간 절연막을 형성하는 제5공정과, 상기 기판상의 제2배선층과 접촉될 부분을 형성하는 제 6공정과, 상기 기판상에 상기 제 2배선층을 형성하는 제7공정을 구비하여 상기 공정이 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제 공정이 상기 제1층간 절연막과 상기 포토레지스트의 식각비가 제1층간 절연막이 1로 식각될때 포토레지스트를 0.8-1.5 정도로 식각함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 제1층간 절연막이 제1배선층상으로부터 500-1000Å 두께정도가 남도록 식각함을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880012050A KR900005578A (ko) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 평탄화 식각을 이용한 다층 배선구조의 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880012050A KR900005578A (ko) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 평탄화 식각을 이용한 다층 배선구조의 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900005578A true KR900005578A (ko) | 1990-04-14 |
Family
ID=68158106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880012050A KR900005578A (ko) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 평탄화 식각을 이용한 다층 배선구조의 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900005578A (ko) |
-
1988
- 1988-09-16 KR KR1019880012050A patent/KR900005578A/ko not_active Application Discontinuation
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