KR940027101A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 다층 금속배선 공정시 에스오지(SOG)의 흡습을 방지하여 금속간의 접촉이 원활해질 수 있도록 하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위하여 제1절연막/SOG/제2절연막의 3층 층간막을 사용하는 다층 금속배선 구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1 및 제2금속과의 접촉을 위해 비아 홀 형성 후 상기 비아 홀을 형성하기 위해 사용한 마스크 제거시 N2플라즈마 주입 단계를 추가하여 SOG의 표면을 질화시켜 흡습 상태를 방지토록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 장치의 다층 금속배선 제조공정도.
Claims (1)
- 제1절연막/SOG/제2절연막의 3층 층간막을 사용하는 다층 금속배선 구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 제1 및 제2금속과의 접촉을 위해 비아 홀 형성 후 상기 비아 홀을 형성하기 위해 사용한 마스크 제거시 N2플라즈마 주입 단계를 추가하여 SOG의 표면을 질화시켜 흡습 상태를 방지토록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008434A KR940027101A (ko) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008434A KR940027101A (ko) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 반도체 장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940027101A true KR940027101A (ko) | 1994-12-10 |
Family
ID=67137434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930008434A KR940027101A (ko) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 반도체 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940027101A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100413044B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-03-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 비아홀 형성 방법 |
-
1993
- 1993-05-18 KR KR1019930008434A patent/KR940027101A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100413044B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-03-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 비아홀 형성 방법 |
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