KR970052197A - 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속배선 형성에 관한 것으로, 고융점 금속을 사용하여 하부 금속배선을 형성하는 공정과, 상기 하부 금속배선상에 Al을 증착하고 패터닝 하여 상부 금속배선과 연결층으로 이용되는 비아홀용 금속층을 형성하는 공정과, 전면에 금속층간 절연막을 상기 비아홀용 금속층과 동일한 높이로 형성하고 다시 Al층을 형성하고 패터닝 하여 상부 금속배선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어져 상,하부 금속배선의 연결을 비아필링(Via Filling)용 금속층을 이용하는 방법으로 소자의 특성을 향상시킨 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a) 내지 (d)는 본 발명의 금속배선 형성방법을 나타낸 공정단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 다층금속 배선형성에 있어서, 고융점 금속을 사용하여 하부 금속배선을 형성하는 공정과 상기 하부 금속배선상에 Al을 증착하고 패터닝 하여 상부 금속배선과의 연결층으로 이용되는 비아홀용 금속층을 형성하는 공정과, 전면에 금속층간 절연막을 상기 비아홀용 금속층과 동일한 높이로 형성하고 다시 Al층을 형성하고 패터닝 하여 상부 금속배선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046864A KR970052197A (ko) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046864A KR970052197A (ko) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052197A true KR970052197A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046864A KR970052197A (ko) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052197A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434716B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2004-09-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의다층금속배선형성방법 |
| KR101333012B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2013-12-02 | 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 | 나노와이어 기반의 투명 도전체 |
-
1995
- 1995-12-05 KR KR1019950046864A patent/KR970052197A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434716B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2004-09-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의다층금속배선형성방법 |
| KR101333012B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2013-12-02 | 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 | 나노와이어 기반의 투명 도전체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |