KR920010871A - 다층 배선 구조의 반도체 장치 - Google Patents

다층 배선 구조의 반도체 장치 Download PDF

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KR920010871A
KR920010871A KR1019910021376A KR910021376A KR920010871A KR 920010871 A KR920010871 A KR 920010871A KR 1019910021376 A KR1019910021376 A KR 1019910021376A KR 910021376 A KR910021376 A KR 910021376A KR 920010871 A KR920010871 A KR 920010871A
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KR
South Korea
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semiconductor device
wiring structure
layered wiring
wiring
connection region
Prior art date
Application number
KR1019910021376A
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English (en)
Inventor
마사아키 이와이
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시기가이샤 도시바
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics

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Abstract

내용 없음

Description

다층 배선 구조의 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 관한 반도체 장치의 단면 구조를 도시하는 도면, 제2도는 제1도에 도시한 장치의 한 제조 공정을 도시하는 도면, 제3도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 반도체 장치의 구조를 도시하는 도면.

Claims (3)

  1. 층을 절연막(15)에 의하여 상호 절연된 하층 배선(14)과 상층 배선(17)과의 접속 영역에 있어서의 하층 배선의 하부에 하층 배선을 융기시키는 융기대(13)를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조의 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접속 영역은 슬루홀인 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조의 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 융기대는 그 측부에 측벽이 형성되어 구성되는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021376A 1990-11-27 1991-11-27 다층 배선 구조의 반도체 장치 KR920010871A (ko)

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