KR970053298A - 금속배선 형성방법 - Google Patents

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윤규한
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문정환
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76816Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches

Abstract

본 발명은 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 한 번의 콘택형성 공정에 의해 다층배선 공정을 수행할 수 있어 배선공정수를 줄일 수 있으므로 제조공정 단가를 낮출 수 있고, 제작수율을 높일 수 있도록 한 것이다.
본 발명에 따른 금속배선 형성방법은 복수개의 도전층들을 연결하는 금속배선 형성방법에 있어서, 기판상에 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층상에 제1층간절연막을 형성하는 단계; 상기 제1층간절연막 위에 콘택부분을 제외한 부분만 남도록 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 제2도전층과 상기 제1층간절연막의 노출된 표면에 상기 제2도전층의 콘택부분을 매립하도록 제2층간절연막을 형성하는 단계; 상기 제2층간절연막과 제1층간절연막을 선택적으로 제거하여 상기 제2도전층의 콘택부분을 통해서 제1도전층을 노출시키는 제1콘택홀과, 제2도전층을 노출시키는 제2콘택홀을 각각 형성하는 단계; 상기 제1 및 2콘택홀내에 제1 및 2금속바아를 각각 매립형성하는 단계; 상기 제2금속바아를 포함한 상기 제2층간절연막 위에 제3도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a∼2e도는 본 발명에 따른 금속배선 형성공정 단면도.

Claims (3)

  1. 복수개의 도전층들을 연결하는 금속배선 형성방법에 있어서, 기판상에 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층상에 제1층간절연막을 형성하는 단계; 상기 제1층간절연막 위에 콘택부분을 제외한 부분만 남도록 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 제2도전층과 상기 제1층간절연막의 노출된 표면에 상기 제2도전층의 콘택부분을 매립하도록 제2층간절연막을 형성하는 단계; 상기 제2층간절연막과 제1층간절연막을 선택적으로 제거하여 상기 제2도전층의 콘택부분을 통해서 제1도전층을 노출시키는 제1콘택홀과, 제2도전층을 노출시키는 제2콘택홀을 각각 형성하는 단계; 상기 제1 및 2콘택홀내에 제1 및 2금속바아를 각각 매립형성하는 단계; 상기 제2금속바아를 포함한 상기 제2층간절연막 위에 제3도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 2콘택홀은 한 번에 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 2금속바아는 한 번에 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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