KR960026103A - 스테퍼 정열 키의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리공정에서 스테퍼 정열 키의 형성방법으로서, 산화막과 질화막으로 이루어지는 정열 키의 두께를 2,500 옹그스트롬 이상이 되게하는 것이 특징이다. 이 질화막이 1,500 옹그스트롬 이상되게 하고, 산화막이 1,500 옹그스크롬 이하되게 하는 것이 좋다. 그리고 질화막의 식각 각도가 70도 이상되게 하여야 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도의 (가)는 본 발명의 정열 키의 오목형 단면을 보인 단면도이고, 제4도의 (나)는 본 발명의 정열 키에서 얻는 양호한 정열신호 파형도이다.
Claims (4)
- 반도체 웨이퍼 처리공정에서 스테퍼 정열 키의 형성방법으로서, 산화막과 질화막으로 이루어지는 정열키의 두께를 2,500 옹그스트롬 이상이되게 하는 것이 특징인 스테퍼 정열 키의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막이 1,500 옹그스트롬 이상되게 하는 것이 특징인 스테퍼 정열 키의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막이 1,500 옹그스트롬 이하되게 하는 것이 특징인 스테퍼 정열 키의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막이 식각 각도가 70도 이상되게 하는 것이 특징인 스테퍼 정열 키의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039572A KR960026103A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 스테퍼 정열 키의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039572A KR960026103A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 스테퍼 정열 키의 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026103A true KR960026103A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039572A KR960026103A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 스테퍼 정열 키의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026103A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490277B1 (ko) * | 1996-07-26 | 2005-08-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 얼라인먼트에러측정방법및얼라인먼트에러측정패턴 |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039572A patent/KR960026103A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490277B1 (ko) * | 1996-07-26 | 2005-08-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 얼라인먼트에러측정방법및얼라인먼트에러측정패턴 |
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