KR940016744A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터의 제조에 있어서 보호절연층 형성시 롤 인쇄법으로 고무판을 이용하여 유효표시영역에만 포토레지스터를 도포하여 단차를 없애고 아울러 노광 및 디벨로프 공정을 없애 원가절감으로 인한 생산성을 향상시키고자 한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 이러한 본 발명의 목적은 유리기판(1) 위에 게이트전극(1)을 증착한 후 패턴을 형성시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정후 게이트 절연층(3)을 증착하고 그위에 화소전극(4), 반도체층(5), 불순물주입 반도체층(6)을 증착한 후 상기 반도체층(5), 불순물주입 반도체층(6)의 패턴을 형성시키는 제 2 공정과, 상기 패턴화된 불순물주입 반도체층(6) 위에 소스전극(7), 드레인전극(8)을 형성시키는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정후 유효표시영역에만 포토레지스터를 도포하여 보호절연층(9)을 형성시키는 제 4 공정을 이룸으로써 달성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래 박막트랜지스터의 단면도, 제 2 도는 본 발명 박막트랜지스터의 단면도, 제 3 도는 제 2 도의 제조공정도, 제 4 도는 본 발명의 롤 인쇄법에 사용하는 고무판 단면도, 제 5 도는 본 발명에 사용되는 롤 코팅장치 개략구성도.
Claims (4)
- 유리기판(1) 위에 게이트전극(1)을 증착한 후 패턴을 형성시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정후 게이트절연층 (3)을 증착하고 그위에 화소전극(4), 반도체층(5), 불순물주입 반도체층(6)을 증착한 후 상기 반도체층(5), 불순물주입 반도체층(6)의 패턴을 형성시키는 제 2 공정과, 상기 패턴화된 불순물주입 반도체층(6) 위에 소스전극(7), 드레인전극(8)을 형성시키는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정후 유효표시영역에만 포토레지스터를 도포하여 보호절연층(9)을 형성시키는 제 4 공정을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 한 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 화소전극(4)은 단차를 없애기 위해 볼록하게 형성시킴을 한 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 보호절연층(9)은 SINx계통의 용액을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 보호절연층(9)은 요철이 형성된 고무판을 이용하여 롤 인쇄법으로 유효표시 영역에만 포토레지스터를 인쇄하는 것을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920024953A KR940016744A (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920024953A KR940016744A (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016744A true KR940016744A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67214963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920024953A KR940016744A (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016744A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412743B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2003-12-31 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-12-21 KR KR1019920024953A patent/KR940016744A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412743B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2003-12-31 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
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